VISHAY二极管_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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描述

价格(含税)

库存

操作

独立式耐压:6.8V 电流:2uA@4V

型号：BZX384C6V8-E3-08 编号：C5358882

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压按照国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%；将“C”替换为“B”可实现±2%公差。AEC-Q101认证可用。符合AEC-Q101的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。RoHS合规，商业级。RoHS合规，AEC-Q101认证

10+
￥0.4232
100+
￥0.3324
300+
￥0.287
3000+
￥0.240255 ￥0.2529
6000+
￥0.214415 ￥0.2257
9000+
￥0.2014 ￥0.212

有货

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独立式耐压:8.2V 电流:3uA

型号：TZM5237B-GS08 编号：C3733669

封装：MiniMELF(SOD-80)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常尖锐的反向特性。非常高的稳定性。电气数据与1N5221B至1N5267B器件相同。低反向电流水平。标准齐纳电压容差 ±5%。应用：电压稳定

10+
￥0.4291
100+
￥0.3397
300+
￥0.2951

有货

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75V 150mA

型号：1N4148W-G3-08 编号：C3313027

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅外延平面二极管。快速开关二极管。可提供AEC-Q101认证（需咨询具体型号）。基础型号为G3-绿色，商业级

10+
￥0.4292
100+
￥0.3365
300+
￥0.2902

有货

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电压:40V 电流:1A

型号：B140-E3/61T 编号：C968568

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装，适合自动贴装。设有过压保护保护环。低功率损耗，高效率。低正向压降。高浪涌能力。符合MSL 1级，根据J-STD-020标准，LF最高峰值260℃。应用：低压、高频逆变器。续流

数据手册

10+
￥0.4298
100+
￥0.3384
300+
￥0.2927
1800+
￥0.245575 ￥0.2585
5400+
￥0.219545 ￥0.2311
10800+
￥0.20653 ￥0.2174

有货

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独立式耐压:4.7V 电流:1nA

型号：BZT52C4V7-E3-08 编号：C3731095

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。提供AEC-Q101认证。 ESD能力符合AEC-Q101：人体模型> 8kV，机器模型> 800V。基础型号-E3，符合RoHS标准，商业级。基础型号-HE3_A，符合RoHS标准，通过AEC-Q101认证

10+
￥0.4427
100+
￥0.3491
300+
￥0.3023

有货

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独立式耐压:2.7V 电流:1uA@1V

型号：MMSZ4682-E3-08 编号：C3733106

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。标准齐纳电压容差为 ±5%。可提供AEC-Q101认证。根据AEC-Q101的ESD能力：人体模型 >8kV，机器模型 >800V。符合RoHS标准，商业级。符合RoHS标准，AEC-Q101认证

10+
￥0.4495
100+
￥0.3578
300+
￥0.312

有货

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耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：35ns

型号：ES1D-E3/5AT 编号：C511594

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装，适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。超快恢复时间，效率高。低正向电压，低功耗。高正向浪涌能力。符合MSL 1级，按照J-STD-020标准，LF最大峰值为260℃。应用：用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用

数据手册

10+
￥0.4592
100+
￥0.3704
300+
￥0.326

有货

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75V 150mA

型号：1N4148WS-G3-08 编号：C335590

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅外延平面二极管。快速开关二极管。可通过AEC-Q101认证。绿色环保，通过AEC-Q101认证。绿色环保，商业级

10+
￥0.4604
100+
￥0.3692
300+
￥0.3235

有货

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1对共阳极耐压:4.7V

型号：AZ23C4V7-G3-08 编号：C5374824

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：双硅平面齐纳二极管，共阳极。齐纳电压根据国际E24标准分级，标准齐纳电压公差为±5%（订货代码中用“C”表示），用“B”替换“C”可实现2%的公差。封装内两个二极管的参数均有效，封装内两个二极管的ΔVz和ΔRzj ≤ 5%。可提供符合AEC-Q101标准的产品（需咨询具体型号）。根据AEC-Q101标准的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V

数据手册

5+
￥0.4875
50+
￥0.3811
150+
￥0.3278
500+
￥0.2879

有货

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独立式耐压:6.2V 电流:3uA

型号：BZX384C6V2-HE3-08 编号：C3008983

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%；将“C”替换为“B”可实现±2%公差。符合AEC-Q101标准。根据AEC-Q101的ESD能力：人体模型>8kV，机器模型>800V。基本型号E3：符合RoHS标准，商业级。基本型号HE3：符合RoHS标准，符合AEC-Q101标准

数据手册

5+
￥0.5188
50+
￥0.4117
150+
￥0.3582
500+
￥0.3181

有货

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电压:30V 电流:2A

型号：MSS2P3HM3_A/H 编号：C3757747

封装：MicroSMP(DO-219AD)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形。典型高度为 0.65mm。适合自动贴装。低正向压降，低功耗。高效率。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级，LE 最大峰值为 260℃。应用：低压高频逆变器。续流

5+
￥0.5258
50+
￥0.4209
150+
￥0.3685
500+
￥0.322616 ￥0.3292
2500+
￥0.257544 ￥0.2628
4500+
￥0.24206 ￥0.247

有货

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电压:20V 电流:1A

型号：MSS1P2L-M3/89A 编号：C506621

封装：MicroSMP(DO-219AD)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形。典型高度为0.65mm，适合自动贴装。低正向压降，低功率损耗。高效率。符合J-STD-020的MSL 1级，最高峰值温度为260℃。可提供AEC-Q101认证。应用：用于低压高频逆变器。续流

数据手册

5+
￥0.5387
50+
￥0.4288
150+
￥0.3738
500+
￥0.3192 ￥0.3325
2500+
￥0.28752 ￥0.2995
4500+
￥0.27168 ￥0.283

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:0.1uA

型号：BZM55B5V1-TR 编号：C5224089

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：节省空间。密封部件。电气数据与BZT55系列、TZM系列器件相同。适合SOD-323封装。非常陡峭的反向特性。低反向电流水平。应用：电压稳定

数据手册

5+
￥0.5491
50+
￥0.4437
150+
￥0.391
500+
￥0.3514

有货

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电压:60V 电流:30mA

型号：LL101A-GS08 编号：C3000831

封装：MiniMELF

品牌：VISHAY(威世)

特性：适用于通用应用。是金属硅肖特基势垒器件，由PN结保护环保护。低正向压降和快速开关特性，适用于MOS器件保护、快速开关和低逻辑电平应用中的转向、偏置和耦合二极管。集成静电放电保护环。低电容。低泄漏电流。应用：高频探测器。保护电路

数据手册

5+
￥0.5558
50+
￥0.4429
150+
￥0.3865
500+
￥0.3441

有货

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耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：25ns

型号：ES1DHE3_A/I 编号：C241886

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装，适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。超快恢复时间，高效率。低正向电压，低功率损耗。高正向浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。应用：用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用

数据手册

5+
￥0.5584
50+
￥0.4361
150+
￥0.3749

有货

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独立式耐压:18V 电流:0.04uA@16V

型号：TLZ18B-GS08 编号：C3733886

封装：SOD-80

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常尖锐的反向特性。低反向电流水平。非常高的稳定性。低噪声。高可靠性。应用：电压稳定

5+
￥0.5626
50+
￥0.4502
150+
￥0.394
500+
￥0.3518

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:1uA

型号：BZX85C5V1-TAP 编号：C467534

封装：DO-41 (DO-204AL)

品牌：VISHAY(威世)

特性：硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳压和限幅电路。齐纳电压根据国际E24标准分级。用“B”替换后缀“C”可实现±2%的公差。通过AEC-Q101认证。符合RoHS标准且无卤。应用：电压稳定

数据手册

5+
￥0.5851
50+
￥0.4862
150+
￥0.4367
500+
￥0.3996

有货

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电压:50V 电流:1A

型号：SB150-E3/54 编号：C145422

封装：DO-41

品牌：VISHAY(威世)

特性：保护环用于过压保护。极低的传导损耗。极快的开关速度。低正向压降。高正向浪涌能力。高频操作。应用：低压高频逆变器。续流

数据手册

5+
￥0.592353 ￥0.7313
50+
￥0.522531 ￥0.6451
150+
￥0.492642 ￥0.6082
500+
￥0.455382 ￥0.5622
2500+
￥0.438777 ￥0.5417
5500+
￥0.428733 ￥0.5293

有货

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电压:60V 电流:30mA

型号：SD101AWS-E3-08 编号：C3313088

封装：SOD-323

品牌：VISHAY(威世)

特性：用于通用应用。是金属硅肖特基势垒器件，由PN结保护。低正向压降和快速开关，适用于MOS器件保护、快速开关和低逻辑电平应用中的转向、偏置和耦合二极管。可提供AEC-Q101认证。符合RoHS标准，商业级。符合RoHS标准，AEC-Q101认证

5+
￥0.6083
50+
￥0.4779
150+
￥0.4127
500+
￥0.3638
2500+
￥0.3246

有货

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独立式耐压:6V 电流:5uA@3.5V

型号：MMSZ5233C-E3-18 编号：C5358741

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

特性：标准齐纳电压公差：带“B”后缀为±5%，后缀“C”为±2%公差。具备AEC-Q101认证选项。 ESD能力（根据AEC-Q101）：人体模型>8kV，机器模型>800V

5+
￥0.6332
50+
￥0.5069
150+
￥0.4438
500+
￥0.3965

有货

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600V 1A

型号：1N4937-E3/54 编号：C113449

封装：DO-41

品牌：VISHAY(威世)

特性：快速开关，实现高效率。低正向压降。低漏电流。高正向浪涌能力。最高浸焊温度275℃，持续10s。应用：用于电源、逆变器、转换器的快速开关整流。用于消费和电信领域的续流二极管

数据手册

5+
￥0.6411
50+
￥0.5043
150+
￥0.4359
500+
￥0.376908 ￥0.3846
2500+
￥0.336728 ￥0.3436
5500+
￥0.31654 ￥0.323

有货

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电压:60V 电流:1A

型号：SS16HE3_B/H 编号：C266798

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装，适合自动贴装。有保护环用于过压保护。低功率损耗，高效率。低正向压降。高浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。应用：低压、高频逆变器。续流

数据手册

5+
￥0.6507
50+
￥0.5202
150+
￥0.4549

有货

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电压:120V 电流:1A

型号：V1PM12HM3/H 编号：C5816356

封装：-

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常薄的外形。典型高度为 0.65mm。适合自动贴装。沟槽 MOS 肖特基技术。低正向压降。低功耗，高效率。应用：用于低压高频逆变器、续流、DC/DC 转换器和极性保护应用。适用于商业、工业和汽车领域

5+
￥0.6695
50+
￥0.5332
150+
￥0.4651
500+
￥0.40572 ￥0.414
2500+
￥0.365638 ￥0.3731
4500+
￥0.345548 ￥0.3526

有货

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电压:50V 电流:200mA

型号：BAS386-TR 编号：C435860

封装：MicroMELF

品牌：VISHAY(威世)

特性：集成静电放电防护环。极低正向电压。通过 AEC-Q101 认证。材料分类：如需了解合规定义，请参考相关文档。应用：需要极低正向电压的应用

数据手册

5+
￥0.6714
50+
￥0.5254
150+
￥0.4525
500+
￥0.389746 ￥0.3977
2500+
￥0.346822 ￥0.3539
5000+
￥0.32536 ￥0.332

有货

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SD103AW-HE3_A-08

型号：SD103AW-HE3_A-08 编号：C27498389

封装：SOD-123

品牌：VISHAY(威世)

5+
￥0.7927
50+
￥0.6343
150+
￥0.5551
500+
￥0.44613 ￥0.4957
3000+
￥0.40338 ￥0.4482
6000+
￥0.38196 ￥0.4244

有货

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电压:30V

型号：LS103B-GS08 编号：C5241894

封装：SOD-80

品牌：VISHAY(威世)

特性：集成静电放电保护环。低电容。低漏电流。低正向压降。应用：高频探测器。保护电路

5+
￥0.7982
50+
￥0.6222
150+
￥0.5342
500+
￥0.4682

有货

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电压:45V 电流:1A

型号：V1PL45HM3/H 编号：C3758887

封装：MicroSMP(DO-219AD)

品牌：VISHAY(威世)

5+
￥0.8198
50+
￥0.6518
150+
￥0.5678
500+
￥0.45432 ￥0.5048
2500+
￥0.40896 ￥0.4544
4500+
￥0.38628 ￥0.4292

有货

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电压:150V 电流:1A

型号：V1PM15HM3/H 编号：C7139528

封装：MicroSMP(DO-219AD)

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常薄的外形。典型高度为 0.65mm。适合自动贴装。沟槽 MOS 肖特基技术。低正向压降。低功耗，高效率。应用：用于商业、工业和汽车应用中的低压高频逆变器、续流、DC/DC 转换器和极性保护应用

5+
￥0.8865
50+
￥0.6698
150+
￥0.5769
500+
￥0.461

有货

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双向对称低电容双线路ESD保护二极管

型号：VCAN36A2-03S-E3-08 编号：C3713290

封装：SOT-23-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：适用于CAN和FLEX总线应用。小型SOT-23封装。2线ESD保护。工作范围 ±36V。低泄漏电流 IR < 0.05μA。低负载电容 CD < 10pF。符合IEC 61000-4-2的ESD抗扰度：接触放电 ±30kV，空气放电 ±30kV。根据AEC-Q101的ESD能力：人体模型：H3B类 > 8kV。引脚镀锡 (Sn)。可提供AEC-Q101认证

5+
￥0.9666
50+
￥0.7474
150+
￥0.6534
500+
￥0.5361

有货

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电压:40V 电流:2A

型号：SS24-E3/5BT 编号：C467994

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装，适合自动贴装。保护环用于过压保护。低功率损耗，高效率。低正向压降。高浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃。应用：低压高频逆变器。续流

数据手册

5+
￥1.0097
50+
￥0.7827
150+
￥0.6854
500+
￥0.564

有货

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70万种现货SKU

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