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首页 > 热门关键词 > VISHAY二极管
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特性:非常低的外形。 典型高度为0.95mm。 适用于自动贴装。 沟槽MOS肖特基技术。 低功率损耗,高效率。 低正向压降。应用:用于低压、高频逆变器。 续流
数据手册
  • 1+

    ¥3.36
  • 10+

    ¥2.68
  • 30+

    ¥2.39
  • 100+

    ¥1.9392 ¥2.02
  • 500+

    ¥1.7856 ¥1.86
  • 1000+

    ¥1.6896 ¥1.76
  • 有货
  • 最先进的超快速恢复整流器,专门设计用于优化正向压降和超快速恢复时间的性能。平面结构和铂掺杂寿命控制确保了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。极低的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗,并降低开关元件的功耗。
    • 1+

      ¥4.15
    • 10+

      ¥3.38
    • 30+

      ¥3
    • 100+

      ¥2.5578 ¥2.61
    • 500+

      ¥2.3422 ¥2.39
    • 1500+

      ¥2.2246 ¥2.27
  • 有货
  • 最先进的超快速恢复整流器,在正向压降、超快速恢复时间和软恢复方面具有优化性能。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件适用于开关电源交流/直流部分的PFC升压级、逆变器或作为续流二极管。其极优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗,并减少开关元件和缓冲器的过耗散。
    • 1+

      ¥4.4
    • 10+

      ¥3.87
    • 50+

      ¥3.61
    • 100+

      ¥3.2732 ¥3.34
    • 500+

      ¥3.1262 ¥3.19
    • 1000+

      ¥3.0478 ¥3.11
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 保护环用于过压保护。 低功率损耗,高效率。 极低的正向压降。 高浪涌能力。应用:低压高频逆变器。 续流
    数据手册
    • 1+

      ¥4.54
    • 10+

      ¥3.74
    • 30+

      ¥3.34
    • 100+

      ¥2.94
    • 500+

      ¥2.5
  • 有货
  • 特性:沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降,低功率损耗。 高效运行。 低热阻。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值245℃(适用于TO-263AB封装)。 焊锡浴温度最高275℃,持续10s,符合JESD 22-B106(适用于TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装)。应用:高频转换器。 开关电源
    数据手册
    • 1+

      ¥4.77
    • 10+

      ¥4.27
    • 50+

      ¥3.52
    • 100+

      ¥3.21
    • 500+

      ¥3.07
  • 有货
  • VEMD5010X01是一款高速、高灵敏度的PIN光电二极管。它是一种薄型表面贴装器件(SMD),其芯片的感光面积为7.5 mm²,可检测可见光和近红外辐射。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.6
    • 10+

      ¥4.56
    • 30+

      ¥4.04
    • 100+

      ¥3.4496 ¥3.52
    • 500+

      ¥2.6656 ¥2.72
    • 1000+

      ¥2.5088 ¥2.56
  • 有货
  • 是一款先进的超快恢复二极管。采用最新的外延结构和先进的加工技术,具有卓越的特性组合,其性能超越以往任何整流器。基本额定值为600V和15A连续电流,特别适合作为IGBT和MOSFET的配套二极管。除了超快恢复时间外,该产品系列的峰值恢复电流(IRRM)极低,并且在恢复的tb部分不会出现“骤断”现象。这些特性为设计人员提供了一种在二极管和开关晶体管中具有更低噪声和显著更低开关损耗的整流器。这些优势有助于显著减少缓冲、元件数量和散热器尺寸。非常适合用于需要高速、高效率的电源和功率转换系统(如逆变器)、电机驱动器等应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.62
    • 10+

      ¥5.1
    • 50+

      ¥4.25
    • 100+

      ¥3.93
    • 500+

      ¥3.78
  • 有货
  • 特性:沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降,低功耗。 高效运行。 符合J-STD-020标准的MSL 1级,LF最大峰值为245℃。 太阳能旁路应用中,最大结温Tj为200℃。 符合RoHS标准。应用:用于太阳能电池接线盒,作为旁路二极管进行保护,使用无反向偏置的直流正向电流
    • 1+

      ¥7.12
    • 10+

      ¥6.48
    • 30+

      ¥6.08
    • 100+

      ¥5.67
  • 有货
  • 特性:沟槽MOS肖特基技术。 非常低的外形,典型高度为1.7mm。 适合自动贴装。 低正向压降,低功率损耗。 高效运行。 符合MSL 1级,LF最大峰值为260℃。应用:用于高频DC/DC转换器。 开关电源
    • 1+

      ¥10.18
    • 10+

      ¥8.52
    • 30+

      ¥7.61
    • 100+

      ¥6.251 ¥6.58
    • 500+

      ¥5.8235 ¥6.13
    • 1000+

      ¥5.624 ¥5.92
  • 有货
  • 基于宽带隙碳化硅的650V肖特基二极管,专为高性能和耐用性而设计。是高速硬开关和宽温度范围内高效运行的最佳选择,也推荐用于所有受硅超快恢复特性影响的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.61
    • 10+

      ¥9.76
    • 50+

      ¥9.24
    • 100+

      ¥8.7
  • 有货
    • 1+

      ¥32.07
    • 10+

      ¥27.97
    • 30+

      ¥25.54
    • 100+

      ¥22.1568 ¥23.08
    • 500+

      ¥21.0624 ¥21.94
    • 1000+

      ¥20.5728 ¥21.43
  • 有货
  • 高压整流器,针对极低正向压降和适度泄漏进行了优化。这些器件适用于主整流(单相或三相桥)。
    数据手册
    • 1+

      ¥34.01
    • 10+

      ¥29.85
    • 30+

      ¥24.14
  • 有货
    • 1+

      ¥35.3
    • 10+

      ¥30.51
    • 25+

      ¥27.59
  • 有货
  • 14V,500mW
    数据手册
    • 10+

      ¥0.096002 ¥0.2087
    • 100+

      ¥0.085054 ¥0.1849
    • 300+

      ¥0.07958 ¥0.173
    • 1000+

      ¥0.07544 ¥0.164
    • 5000+

      ¥0.072174 ¥0.1569
    • 10000+

      ¥0.070518 ¥0.1533
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。应用:电压稳定
    数据手册
    • 20+

      ¥0.228
    • 200+

      ¥0.175
    • 600+

      ¥0.1455
    • 2000+

      ¥0.1278
  • 有货
  • 特性:硅外延平面二极管。 快速开关二极管。 符合AEC-Q101标准。 符合RoHS标准,商业级
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2684
    • 100+

      ¥0.2123
    • 300+

      ¥0.1843
    • 1000+

      ¥0.1632
  • 有货
  • 特性:非常尖锐的反向特性。 低反向电流水平。 非常高的稳定性。 低噪声。 VZ 公差 ±5%(TZMC)。 VZ 公差 ±2%(TZMB)。应用:电压稳定
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2813
    • 100+

      ¥0.2248
    • 300+

      ¥0.1965
    • 2500+

      ¥0.1709
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 标准齐纳电压公差:订购代码中带“B”后缀的为±5%,带“C”后缀的为±2%。 该二极管也有MiniMELF封装(型号为TZM5221至TZM5267)、SOT-23封装(型号为MMBZ5225至MMBZ5267)和SOD-123封装(型号为MMSZ5225至MMSZ5267)。应用:电压稳定
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2903
    • 100+

      ¥0.2263
    • 300+

      ¥0.1943
    • 1000+

      ¥0.1702
  • 有货
  • 特性:低正向压降。 低漏电流。 高正向浪涌能力。 浸焊温度最高275°C,持续10秒,符合JESD22-B106标准。 符合RoHS指令2002/95/EC和WEEE指令2002/96/EC。应用:用于电源、逆变器、转换器的通用整流以及续流二极管应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.304
    • 100+

      ¥0.2463
    • 300+

      ¥0.2175
    • 3000+

      ¥0.1706
  • 有货
  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 标准齐纳电压公差:订货代码中带“B”后缀的为 ±5%,带“C”后缀的为 ±2%。 该二极管也有MiniMELF封装(型号为TZM5221至TZM5267)、SOT-23封装(型号为MMBZ5225至MMBZ5267)和SOD-123封装(型号为MMSZ5225至MMSZ5267)。应用:电压稳定
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3078
    • 100+

      ¥0.2458
    • 300+

      ¥0.2148
    • 1000+

      ¥0.18384 ¥0.1915
    • 5000+

      ¥0.155904 ¥0.1624
    • 10000+

      ¥0.14688 ¥0.153
  • 有货
  • 特性:极低的导通电压和快速开关。 由PN结保护环保护,防止过电压,如静电放电。 可提供AEC-Q101认证。 符合RoHS标准,商业级。 符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3736
    • 100+

      ¥0.2968
    • 300+

      ¥0.2585
    • 3000+

      ¥0.2089
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。齐纳电压根据国际E24标准分级。标准齐纳电压公差为±5%,订货代码中用“C”表示;若公差为±2%,则用“B”替换“C”。可提供AEC-Q101认证。ESD能力符合AEC-Q101:人体模型>8kV,机器模型>800V。符合RoHS标准,商业级。符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    数据手册
    • 10+

      ¥0.38
    • 100+

      ¥0.3041
    • 300+

      ¥0.2661
    • 3000+

      ¥0.144936 ¥0.2376
    • 6000+

      ¥0.131089 ¥0.2149
    • 9000+

      ¥0.124135 ¥0.2035
  • 有货
  • 特性:硅平面齐纳二极管。 齐纳电压按照国际E24标准分级。 可提供AEC-Q101认证。 ESD能力:根据AEC-Q101,人体模型 >8kV,机器模型 >800V。 基础型号E3,符合RoHS标准,商业级。 基础型号HE3_A,符合RoHS标准,通过AEC-Q101认证
    • 10+

      ¥0.4347
    • 100+

      ¥0.3488
    • 300+

      ¥0.3058
    • 1000+

      ¥0.2736
  • 有货
  • 特性:集成静电放电保护环。 低电容。 低泄漏电流。 低正向压降。 通过AEC-Q101认证。应用:HF探测器。 保护电路
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4785
    • 100+

      ¥0.3857
    • 300+

      ¥0.3394
  • 有货
  • 特性:非常低的外形-典型高度为1.0mm。 适用于自动贴装。 低正向压降,低功率损耗。 高效率。 低热阻。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值260℃。应用:用于高频逆变器、续流、DC/DC转换器和极性保护应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5377
    • 50+

      ¥0.5237
    • 150+

      ¥0.5144
    • 500+

      ¥0.5051
  • 有货
    • 5+

      ¥0.582
    • 50+

      ¥0.569
    • 150+

      ¥0.5604
    • 500+

      ¥0.5518
  • 有货
    • 5+

      ¥0.609
    • 50+

      ¥0.596
    • 150+

      ¥0.5874
    • 500+

      ¥0.5788
  • 有货
  • 特性:硅外延平面二极管。 通用型。 可提供AEC-Q101认证。 符合RoHS标准,商业级。 符合RoHS标准,AEC-Q101认证
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6205
    • 50+

      ¥0.4916
    • 150+

      ¥0.4271
    • 500+

      ¥0.3788
  • 有货
    • 5+

      ¥0.6606
    • 50+

      ¥0.5286
    • 150+

      ¥0.4626
    • 500+

      ¥0.4131
  • 有货
  • 特性:低外形封装。 适合自动贴装。 过压保护保护环。 低功率损耗,高效率。 低正向压降。 高浪涌能力。应用:低压高频逆变器。 续流
    数据手册
    • 5+

      ¥0.708
    • 50+

      ¥0.565
    • 150+

      ¥0.4935
    • 500+

      ¥0.4399
    • 1800+

      ¥0.3373
  • 有货
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