WILLSEMI二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：WS742904M-8/TR 编号：C717879

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS742904由双通道独立、高增益、内部频率补偿运算放大器组成，专为在宽电压范围内的单电源下工作而设计。这些器件在与数字系统的接口电路中特别有用，可由单一的5VDC通用电源供电。WS742904提供8引脚SOP和MSOP封装

数据手册

5+
￥0.7064
50+
￥0.6102
150+
￥0.569
500+
￥0.5176
2500+
￥0.4947

有货

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型号：WS72142S-8/TR 编号：C717871

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72142 是一款双路低压运算放大器，具备轨到轨输入/输出摆幅。超低功耗特性使该放大器非常适合电池供电和便携式应用。WS72142 的增益带宽积为 13kHz（典型值），且具有单位增益稳定性

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5+
￥0.84532 ￥1.5095
50+
￥0.548504 ￥1.1924
150+
￥0.380376 ￥1.0566
500+
￥0.319356 ￥0.8871
2500+
￥0.292176 ￥0.8116
4000+
￥0.275868 ￥0.7663

有货

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型号：WS72141E-5/TR 编号：C717870

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72141是一款单路低压运算放大器，具有轨到轨输入/输出摆幅。超低功耗使该放大器非常适合电池供电和便携式应用。WS72141的增益带宽积为13kHz（典型值），并且是单位增益稳定的。

数据手册

5+
￥0.9924
50+
￥0.8667
150+
￥0.8128
500+
￥0.7456

有货

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型号：WAS4642Q-24/TR 编号：C2931304

封装：QFN2534-24L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

5+
￥1.4019
50+
￥1.2227
150+
￥1.1459
500+
￥1.05
2500+
￥1.0073

有货

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型号：WS4665D-8/TR 编号：C429740

封装：WDFN-8(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS4665是一款单通道负载开关，可提供可配置的上升时间，以最大限度地减少浪涌电流。该器件包含一个N沟道MOSFET，可在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作，最大连续电流支持6A。该开关由一个开/关输入（ON）控制，能够直接与低电压控制信号接口

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5+
￥1.5609
50+
￥1.2439
150+
￥1.108
500+
￥0.9385

有货

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型号：WAS7227Q-10/TR 编号：C213170

封装：WQFN-10(1.4x1.8)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WAS7227Q是一款高性能的双刀双掷（DPDT）CMOS模拟开关，可在+2.5V至+5.5V的单电源下工作。WAS7227Q专为手机和消费类应用中的高速USB2.0信号切换而设计，这些应用包括手机、数码相机以及配备集线器或USB输入/输出有限的控制器的笔记本电脑。

数据手册

5+
￥1.8366
50+
￥1.4926
150+
￥1.2432
500+
￥1.0375

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型号：WPT2F06-3/TR 编号：C501343

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

适用于通用放大器应用。标准产品无铅、无卤。

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20+
￥0.120888 ￥0.1752
200+
￥0.081066 ￥0.1374
600+
￥0.057036 ￥0.1164
3000+
￥0.050862 ￥0.1038
9000+
￥0.045521 ￥0.0929
21000+
￥0.04263 ￥0.087

有货

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型号：WL2836D30-4/TR 编号：C506138

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能。具有折返式最大输出电流，其大小取决于输出电压。因此，电流限制功能既可以作为短路保护，也可以作为输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.14265 ￥0.4755
50+
￥0.0838 ￥0.419
150+
￥0.03908 ￥0.3908
500+
￥0.03696 ￥0.3696
2500+
￥0.03527 ￥0.3527
5000+
￥0.03442 ￥0.3442

有货

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型号：WNM5002-3/TR 编号：C2931330

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM5002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于小信号开关

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20+
￥0.1732
200+
￥0.134
600+
￥0.1122

有货

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型号：ESD5491S-2/TR 编号：C5140546

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5491S是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件因静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力损坏。ESD5491S可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达9A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5491S采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1819
200+
￥0.136
600+
￥0.1105

有货

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型号：ESD9X7V-2/TR 编号：C189965

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9X7V是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。它旨在替代消费设备应用（如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等）中的多层压敏电阻（MLV）。ESD9X7V根据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±30kV（接触）的ESD瞬态电压；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受8/20μs脉冲下高达9.5A的峰值电流。ESD9X7V采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1905
200+
￥0.1565
600+
￥0.1319
2000+
￥0.1115

有货

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型号：ESD9N18BA-2/TR 编号：C719450

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9N18BA是一款瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD9N18BA可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达6.5A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD9N18BA采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.2013
200+
￥0.1552
600+
￥0.1295
2000+
￥0.1141

有货

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型号：ESD9N5BL-2/TR 编号：C2931909

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9N5BL是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力影响。ESD9N5BL可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±20 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达3A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD9N5BL采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.2407
200+
￥0.1899
600+
￥0.1617
2000+
￥0.1448

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型号：WL2815D30-4/TR 编号：C411886

封装：UDFN-4-EP(1x1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是低压差线性稳压器，针对电池供电系统进行了优化，可提供低静态电流的高性能解决方案。适用于手机、笔记本电脑和其他便携式设备。采用低成本陶瓷电容器，确保输出电流的稳定性，提高效率，延长便携式设备的电池寿命。采用DFN1x1-4L封装，标准产品为无铅和无卤产品。

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10+
￥0.2776
100+
￥0.2412
300+
￥0.223
1000+
￥0.2093
5000+
￥0.1984

有货

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型号：WL2820D18-4/TR 编号：C506109

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该产品在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能水平。具有折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压。因此，电流限制功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装。标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.2865
100+
￥0.2264
300+
￥0.1964
1000+
￥0.1739
5000+
￥0.1559

有货

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型号：ESD56201D15-2/TR 编号：C506133

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56201DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56201DXX专为保护电源线而设计。ESD56201DXX采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.3955
100+
￥0.3083
300+
￥0.2646
1000+
￥0.2319

有货

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型号：WL2836D25-4/TR 编号：C2931316

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。提供折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此限流功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.3956
100+
￥0.3164
300+
￥0.2768
1000+
￥0.247

有货

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型号：WNM3025-3/TR 编号：C240200

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3025 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.4387
50+
￥0.3426
150+
￥0.2946
500+
￥0.2585
2500+
￥0.2297
5000+
￥0.2153

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型号：WPT2N41-8/TR 编号：C239620

封装：PDFN-8-EP(2x3)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPT2N41 是一款具有极低饱和电压的 PNP 双极型功率晶体管。该器件适用于标准产品。WPT2N41 为无铅产品

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5+
￥0.47
50+
￥0.3715
150+
￥0.3222
500+
￥0.2853

有货

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型号：ESD56201D04-2/TR 编号：C399980

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56201DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56201DXX专为保护电源线而设计。ESD56201DXX采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅、无卤。

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5+
￥0.4954
50+
￥0.3946
150+
￥0.3442

有货

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型号：WNM3018-3/TR 编号：C719462

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3018 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关

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5+
￥0.515256 ￥0.6134
50+
￥0.361564 ￥0.4886
150+
￥0.272768 ￥0.4262
500+
￥0.242816 ￥0.3794
3000+
￥0.218816 ￥0.3419
6000+
￥0.206848 ￥0.3232

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型号：SPD81152A-2/TR 编号：C506162

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD81152A可保护敏感电子设备免受电感负载切换和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、VCC总线和其他集成电路。

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5+
￥0.6218
50+
￥0.497
150+
￥0.4346
500+
￥0.3878

有货

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型号：WPM3012-3/TR 编号：C239638

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3012 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下可实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥0.6945
50+
￥0.5705
150+
￥0.4806
500+
￥0.4064

有货

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型号：WL2851E33-5/TR 编号：C467852

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2851E系列是一款高精度、高输入电压、低静态电流、高速、低压差的线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件采用Bi-CMOS工艺制造。WL2851E具备过流限制和过温保护功能，以确保器件在良好的条件下工作

数据手册

5+
￥0.8073
50+
￥0.6445
150+
￥0.5632
500+
￥0.5022

有货

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型号：WS72358M-8/TR 编号：C717850

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72358系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地电平，这使得该器件可用于低端电流分流测量

数据手册

5+
￥0.8706
50+
￥0.6882
150+
￥0.597
500+
￥0.5286

有货

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型号：WS3202E61-6/TR 编号：C191359

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3202E 是一款过压保护（OVP）和过流保护（OCP）器件。当输入电压或输入电流超过阈值时，该器件将关断内部 MOSFET，断开输入与输出的连接，以保护负载。过温保护（OTP）功能可监测芯片温度，以保护器件

数据手册

5+
￥1.0827
50+
￥0.8393
150+
￥0.7349
500+
￥0.6048

有货

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型号：WS72358D-8/TR 编号：C2943885

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

通用运算放大器 WS72358系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合便携式电池供电设备。共模输入范围包括地，使该器件可用于低端电流分流测量。

数据手册

5+
￥1.1751
50+
￥0.9379
150+
￥0.8362
500+
￥0.7093

有货

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型号：WNM3056-6/TR 编号：C2941866

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3056 是单 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥1.2553
50+
￥0.9731
150+
￥0.8521
500+
￥0.7012
3000+
￥0.634

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型号：WS3241C-12/TR 编号：C2931337

封装：CSP-12L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3241C 具备低导通电阻（RON）内部高压开关，其输入范围的绝对最大值为 29V。WS3241C 具有过压保护（OVP）功能，若 OVLO 引脚电压超过 1.2V 参考电压，内部开关将关闭。可使用外部电阻分压器来设置输入电压过压保护阈值

数据手册

5+
￥1.92
50+
￥1.5269
150+
￥1.3584
500+
￥1.1482

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型号：ESD5451NL-2/TR 编号：C2931298

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5451NL是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力影响。ESD5451NL可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±15 kV（接触放电和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达4.0A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5451NL采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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50+
￥0.0385
500+
￥0.0375
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