安森美二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SZMM5Z9V1T5G 编号：C896610

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。

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型号：1N5368BRLG 编号：C9116

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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型号：NRTS1060PFST3G 编号：C895792

封装：TO-277-3

品牌：onsemi(安森美)

这款TO−277沟槽肖特基整流器在紧凑且散热高效的封装中提供快速开关性能。TO−277封装是DPAK的绝佳替代方案,在占用不到一半电路板空间的封装中提供近乎相同的散热性能。其低外形使其成为平板显示器和其他垂直空间有限应用的理想选择。该器件在不同温度下具有低泄漏电流,非常适合需要低静态电流的应用。

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型号：FSV20120V 编号：C463989

封装：TO-277-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：超低正向压降。低热阻。超薄外形：典型高度为1.1mm。沟槽肖特基技术。符合IEC61249标准的绿色模塑料。仅无DAP选项。这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准

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型号：MBRD660CTG 编号：C512978

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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型号：80SQ045NG 编号：C154825

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

该轴心线肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。它非常适合用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。

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型号：NRVSRD620VCTT4RG 编号：C905007

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

采用先进几何结构，具有玻璃钝化的外延结构。非常适合低压、高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。

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型号：NTST30100SG 编号：C604492

封装：TO-220-3

品牌：onsemi(安森美)

极低正向电压：在 IF = 5A 时，VF = 0.39V

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型号：SBRB20200CTT4G 编号：C604689

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用铂金势垒金属。此先进器件适用于高频率开关电源和转换器，最高为 48 V 输出。此器件会阻挡高达 200 v 电压，在 250 kHz 至 5.0MHz 的频率下提供改善的肖特基性能。

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型号：NHP420LFST1G 编号：C893365

封装：LFPAK-4(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 LFPAK Ultrafast 整流器提供了快速开关性能，带软恢复，采用紧凑型热高效封装。LFPAK 封装提供了 DPAK 的绝佳替代品，两者具有同样优秀的热性能，而板空间只有后者的一半以下。其小外形使其成为平板显示屏和垂直间隙有限的其他应用的优秀选项。该器件提供随时间的低漏电流，适用于需要低静止电流的应用。

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型号：EGP30D 编号：C241726

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化无空洞结。高浪涌电流能力。低漏电流。超快速恢复时间，效率高。低正向电压，高电流能力

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型号：NTMD4184PFR2G 编号：C730375

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

表面贴装型 P通道肖特基二极管

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型号：MBR2060CTG 编号：C274649

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

这些先进的设备采用铂势垒金属的肖特基势垒原理。

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型号：FFSB2065B 编号：C898608

封装：D2PAK-2(TO-263)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：GBU8D 编号：C898672

封装：GBU

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化结。浪涌过载额定值：200A 峰值。采用模塑塑料技术的可靠低成本结构。适用于印刷电路板。 UL 认证：UL #E258596

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型号：GBPC1506W 编号：C906972

封装：GBPC-W

品牌：onsemi(安森美)

特性：一体成型散热器，热阻极低，散热效果极佳。浪涌过载额定值为 300 A 至 400 A。外壳到引脚的隔离电压超过 2500 V。 UL 认证，UL #E258596。端子表面处理材料: -线式 GBPC-W 封装为银（可根据 MIL-STD-202 方法 208 进行焊接）。 -GBPC 封装为镍。最大安装扭矩：20 in-lbs。这些是无铅器件

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型号：GBPC2502W 编号：C906980

封装：GBPC-W

品牌：onsemi(安森美)

特性：一体成型散热器，热阻极低，散热效果极佳。浪涌过载额定值为 300 A 至 400 A。外壳到引脚的隔离电压超过 2500 V。 UL 认证，UL #E258596。端子表面处理材料: -线式 GBPC-W 封装为银（可根据 MIL-STD-202 方法 208 进行焊接）。 -GBPC 封装为镍。最大安装扭矩：20 in-lbs。这些是无铅器件

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型号：NDSH20120C 编号：C3757891

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术,与硅相比,具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性以及出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

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型号：FFSB20120A 编号：C605083

封装：TO-263

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅SiC

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型号：GBPC2508 编号：C906985

封装：GBPC

品牌：onsemi(安森美)

特性：一体成型散热器，热阻极低，散热效果极佳。浪涌过载额定值为 300 A 至 400 A。外壳到引脚的隔离电压超过 2500 V。 UL 认证，UL #E258596。端子表面处理材料: -线式 GBPC-W 封装为银（可根据 MIL-STD-202 方法 208 进行焊接）。 -GBPC 封装为镍。最大安装扭矩：20 in-lbs。这些是无铅器件

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