安森美二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：GBU8K 编号：C3590915

封装：GBU

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化结。浪涌过载额定值：200A峰值。采用模塑塑料技术的可靠低成本结构。适用于印刷电路板。 UL认证：UL #E258596

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￥9.65
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￥8.09
40+
￥7.24
100+
￥6.27
500+
￥5.84
1000+
￥5.64

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型号：MBR2545CTG 编号：C2724

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

特性：保护环用于应力保护。低正向电压。工作结温：175℃。这些是无铅器件

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1+
￥15.28
10+
￥13.05
50+
￥11.18

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型号：MBRB60H100CTT4G 编号：C462785

封装：D2PAK-3

品牌：onsemi(安森美)

肖特基增强整流器，VF 更低、浪涌能力更高、IR 参数更低。

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￥16.48
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￥16.07
30+
￥15.8

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型号：RHRG3060-F085 编号：C898297

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRG3060_F085 是一款具有软恢复特性 (trr 45ns) 的超高速 <二极管。恢复时间仅为超快速二极管的一半，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。该器件主要是在各种汽车开关电源及其他电源开关汽车应用中用作续流/箝位二极管和整流器。其低存储电荷和超快速软恢复特性可最大限度地降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声，由此降低开关晶体管中的功耗。

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1+
￥18.39
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￥17.99
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￥17.73

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型号：NRVTS8100MFST1G 编号：C5205919

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

NTS8100MFS 是我们的全新双 8A 100V 极低正向电压沟槽双肖特基整流器。此新型技术可实现更低的正向电压降，而且不会发生平面肖特基整流器出现的高逆向泄漏。此平台还基于宽温度范围提供非常稳定的开关特性，是用于开关电源的理想输出整流器。

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1+
￥19.69
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￥16.96
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￥15.33
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￥11.8
500+
￥11.05
1500+
￥10.7

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型号：FFSB3065B-F085 编号：C605086

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术，能够提供卓越的开关性能，且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能，使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI，以及减小的系统尺寸和成本。

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1+
￥31.63
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￥30.86
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￥30.35

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型号：GBPC3510 编号：C3589820

封装：GBPC

品牌：onsemi(安森美)

特性：一体成型的散热器，热阻极低，可实现最大散热。浪涌过载额定值为300 A至400 A。外壳与引脚之间的隔离电压超过2500 V。 UL认证，UL编号E258596。端子表面处理材料：线式GBPC-W封装为银（可根据MIL-STD-202方法208进行焊接），GBPC封装为镍。后缀“W”：线式引脚结构。后缀“M”：端子面对面布局

1+
￥34.41
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￥29.29
50+
￥26.17

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型号：NRVBB60H100CTT4G 编号：C604281

封装：D2PAK-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：低正向电压：0.72 V @ 125℃。低功耗/高效率。高浪涌能力。 175℃工作结温。 60 A 总电流（每个二极管支路 30 A）。带有 NRVB 前缀，适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。应用：电源-输出整流。电源管理

1+
￥37.98
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￥33.11
30+
￥30.15

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型号：UJ3D06520KSD 编号：C45343203

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥116.39
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￥111.2
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￥102.2

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型号：NVDSH50120C 编号：C3759820

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和出色的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

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1+
￥118.96
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￥115.14

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型号：MICROFJ-30035-TSV-TR 编号：C891567

封装：WBGA-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

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1+
￥164.38
30+
￥155.58

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型号：1N5232B 编号：C895243

封装：DO-35

品牌：onsemi(安森美)

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单价：
￥0.0984 / 个

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型号：SZBZX84C6V8LT1G 编号：C236171

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节。

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单价：
￥0.11352 / 个

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型号：SZBZX84C13LT3G 编号：C896933

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

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10+
￥0.1439
100+
￥0.1408
300+
￥0.1387

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型号：MMBD7000LT3G 编号：C154798

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准

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单价：
￥0.08988 / 个

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型号：SZBZX84C3V6LT1G 编号：C894479

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节。

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10+
￥0.1621
100+
￥0.1586
300+
￥0.1563

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型号：MMBZ5244BLT1G 编号：C236109

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间要求提供电压调节。

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10+
￥0.1709
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￥0.1672
300+
￥0.1648

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型号：MMSZ4708T1G 编号：C236102

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计便于自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（> 16 kV）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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