安森美二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：NSR10F40NXT5G 编号：C604340

封装：DSN-2(0.6x1.4)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于低正向压降和低漏电流，采用芯片级 (CSP) 封装以减少板空间。低热电阻让设计人员能够完成实现更高能效的难题，满足减少空间要求。

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5+
￥2.073
50+
￥1.6362
150+
￥1.449

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型号：1N5935BRLG 编号：C896121

封装：插件

品牌：onsemi(安森美)

这是一个完整的3W齐纳二极管系列，具有一定限制和出色的工作特性，体现了氧化硅钝化结的卓越性能。采用轴向引线、传递模塑塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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1+
￥2.11
10+
￥2.07
30+
￥2.05

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型号：MUR550APFRLG 编号：C900203

封装：插件

品牌：onsemi(安森美)

这些设备专为不连续和临界传导模式下的功率因数校正而设计。

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1+
￥2.24
10+
￥2.19
30+
￥2.16

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型号：SS28 编号：C3759988

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：onsemi(安森美)

包括高效、低功耗的通用肖特基整流器。夹焊引脚结构提供了高热性能和低电阻。这些整流器适用于续流、二次整流和反极性保护应用。

1+
￥2.36
10+
￥2.31
30+
￥2.27

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型号：1SMB5942BT3G 编号：C152465

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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1+
￥2.41
10+
￥1.88
30+
￥1.65

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型号：NSVRB521S30T5G 编号：C896484

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

这些肖特基势垒二极管专为高速开关应用、电路保护和电压钳位而设计。极低的正向电压可降低传导损耗。微型表面贴装封装非常适合空间有限的手持和便携式应用。

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1+
￥2.41
10+
￥1.88
30+
￥1.66

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型号：RS1KFA 编号：C894220

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化芯片结。快速开关，高效能。高浪涌能力。低正向电压：最大1.3 V。 UL可燃性94V-0分类。 MSL 1 per J-STD-020。 RoHS合规/绿色模塑料。符合AEC-Q101标准的工业器件。 NRVHP前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力

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1+
￥2.51
10+
￥1.98
30+
￥1.75

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型号：ES1H 编号：C184281

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：适用于表面贴装应用。玻璃钝化结。低轮廓封装。易于贴装。内置应力消除。超快速恢复时间，实现高效率

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1+
￥2.63
10+
￥2.09
30+
￥1.86
100+
￥1.57

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型号：GF1M 编号：C232820

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

1.0A通用整流器

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1+
￥2.78
10+
￥2.21
30+
￥1.96

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型号：US1GFA 编号：C894757

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化芯片结。低功耗、高效率。快速开关反向恢复时间：最大50-75 ns。高浪涌能力。 UL可燃性94V-0等级。符合J-STD-020的MSL 1。 NRV前缀适用于需要独特站点和控制变更要求的汽车和其他应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准

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1+
￥2.82
10+
￥2.28
30+
￥2.04

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型号：SZ1SMB5918BT3G 编号：C604750

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型3级静电放电额定值（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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1+
￥2.92
10+
￥2.85
30+
￥2.8

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型号：1N5336BG 编号：C898879

封装：插件,D3.3xL8.4mm

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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1+
￥2.93
10+
￥2.32
30+
￥2.06

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型号：1N5362BG 编号：C232450

封装：插件,D3.3xL8.4mm

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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1+
￥2.97
10+
￥2.33
30+
￥2.06
100+
￥1.72

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型号：1N5378BG 编号：C898900

封装：插件,D3.3xL8.4mm

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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1+
￥3.1
10+
￥2.46
30+
￥2.19

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型号：US1BFA 编号：C894754

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化芯片结。低功耗、高效率。快速开关反向恢复时间：最大50-75 ns。高浪涌能力。 UL可燃性94V-0分类。符合J-STD-020的MSL 1。 NRV前缀适用于需要独特场地和控制变更要求的汽车和其他应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅、无卤且符合RoHS标准

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1+
￥3.12
10+
￥3.06
30+
￥3.01

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型号：SESD7L5.0DT5G 编号：C448645

封装：SOT-723

品牌：onsemi(安森美)

设计用于在需要超低电容以保持信号完整性的应用中，保护电压敏感组件免受静电放电 (ESD) 损坏。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，结合 0.5pF 的超低二极管电容，可提供一流的保护，防止 IC 因 ESD 而损坏。超小的 SOT-723 封装非常适合电路板空间有限的设计。可用于保护两条单向线路或一条双向线路。当用于保护一条双向线路时，有效电容为 0.25pF。因其低电容特性，非常适合保护高频信号线，如 USB2.0 高速和天线线路应用。

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1+
￥3.13
10+
￥3.06
30+
￥3.02

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型号：1N5334BRLG 编号：C894805

封装：插件,D3.3xL8.4mm

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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1+
￥3.25
10+
￥2.58
30+
￥2.29
100+
￥1.94

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型号：SESDONCAN1LT3G 编号：C604695

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

用于CAN/CAN-FD总线的低电容ESD保护二极管，旨在保护CAN收发器免受ESD和其他有害瞬态电压事件的影响。该器件采用单个紧凑的SOT-23封装，为每条数据线提供双向保护，为系统设计人员提供了一种低成本的选择，以提高系统可靠性并满足严格的EMI要求。

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1+
￥3.26
10+
￥2.57
30+
￥2.28
100+
￥1.92

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型号：1N5336BRLG 编号：C9712

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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1+
￥3.37
10+
￥2.75
30+
￥2.49

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型号：NRVHP120SFT3G 编号：C604285

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

这款超快速整流器在紧凑且热效率高的封装中提供快速开关性能和软恢复特性。其紧凑的占位面积使其非常适合电路板空间有限的便携式和汽车应用。其低矮的外形使其成为平板显示器和其他垂直空间有限的应用的理想选择。该器件在不同温度下具有低泄漏电流，适合需要低静态电流的应用。

1+
￥3.39
10+
￥2.69
30+
￥2.39

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型号：SSA24 编号：C463660

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：UL 可燃性 94V-0 分类。 MSL 1。符合 RoHS 标准/绿色模塑料。符合 AEC-Q101 标准的工业器件

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1+
￥3.66
10+
￥2.94
30+
￥2.63
100+
￥2.25

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型号：SZ1SMA5920BT3G 编号：C896065

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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1+
￥4.21
10+
￥4.11
30+
￥4.05
100+
￥3.98

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型号：SZ1SMA5926BT3G 编号：C896069

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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1+
￥4.21
10+
￥4.11
30+
￥4.05

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型号：EGF1D 编号：C896132

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低正向压降。低外形封装。快速开关，效率高

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1+
￥4.22
10+
￥3.42
30+
￥3.02

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型号：SZ1SMA5934BT3G 编号：C896072

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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