安森美二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SS15 编号：C896153

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

SS系列是高效率、低功耗通用肖特基整流器。夹片焊接引脚结构具有良好的热性能以及低电气电阻。该整流器尤为适合续流、次级端整流和反向极性保护应用。

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5+
￥2.0463
50+
￥1.5986
150+
￥1.4067

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型号：NRVBA2H100NT3G 编号：C893765

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

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￥2.2405
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￥1.7849
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￥1.2375
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型号：GF1A 编号：C184687

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：onsemi(安森美)

1.0A通用整流器

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￥2.3236
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型号：SS23 编号：C232851

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构具有较高的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。

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5+
￥2.3669
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￥1.8703
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型号：ESD7382MUT5G 编号：C5206026

封装：X3-DFN-2

品牌：onsemi(安森美)

ESD7382 适用于针对 ESD 事件为需要超低电容的电压敏感部件提供保护。出色的箝位功能、低电容、低漏和快速响应时间，使得这些零部件非常适用于在板空间非常宝贵的设计中提供 ESD 防护。由于其电容较低，适用于 USB 2.0 高速和天线应用等高频率设计。

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1+
￥2.48
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型号：1N5355BG 编号：C232448

封装：DO-201

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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1+
￥2.62
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￥2.08
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￥1.85
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￥1.35
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型号：NUP2301MW6T1G 编号：C242265

封装：SC-88

品牌：onsemi(安森美)

NUP2301MW6T1G是一款微型集成器件，旨在保护敏感元件免受可能有害的电瞬变影响，例如静电放电（ESD）。

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￥2.81
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￥2.19
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型号：SZ1SMB5922BT3G 编号：C604751

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级为3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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￥2.8665 ￥4.55
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￥1.9663 ￥3.71
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￥1.4147 ￥3.29
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￥1.2341 ￥2.87
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￥1.1266 ￥2.62
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￥1.0707 ￥2.49

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型号：S210 编号：C184977

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。

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￥2.89
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￥2.82
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型号：MB10S 编号：C480680

封装：SOIC4 W

品牌：onsemi(安森美)

MB 系列桥式整流器是 0.5 A 整流器系列，实现高浪涌电流吸收，占位极小MB 系列外形小为 35 mm2，具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流，该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些特性使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流，更小型封装，或者更低 VF 值，请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装内的 VF 和提高能效值，甚至更高的浪涌能力，或需要更高的浪涌能力，请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。

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￥3.39
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￥2.38
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型号：SS33 编号：C894441

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该系列包括高效、低功耗的通用肖特基整流器。夹焊引脚结构提供了高散热性能和低电阻。这些整流器适用于续流、二次整流和反极性保护应用。

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1+
￥3.45
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￥2.7
30+
￥2.38
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型号：SZ1SMB5919BT3G 编号：C463423

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

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1+
￥3.86
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￥3.07
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型号：QEE123 编号：C463649

封装：插件,L=4.4mm

品牌：onsemi(安森美)

QEE12X 是一款 880nm AlGaAs LED，采用中宽角、塑料 sidelooker 封装。

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￥4.6308 ￥6.81
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￥3.3002 ￥5.69
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￥2.4384 ￥5.08
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￥2.1072 ￥4.39
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￥1.9584 ￥4.08
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￥1.8912 ￥3.94

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型号：ES3B 编号：C241733

封装：DO-214AB(SMC)

品牌：onsemi(安森美)

特性：适用于表面贴装应用。玻璃钝化结。低轮廓封装。易于拾取和放置。内置应力消除。超快恢复时间，效率高

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￥4.88
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￥4
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型号：MUR840G 编号：C62326

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

该系列产品设计用于开关电源、逆变器，并可作为续流二极管使用。

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1+
￥6.59
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￥5.46
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￥4.43
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型号：MUR1620CTRG 编号：C21889

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于负开关电源、逆变器和续流二极管。另外，此器件结合共阴极双超快速整流器使用时，会产生一个单相全波形桥。

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1+
￥6.81
10+
￥5.59
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￥3.96
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型号：MUR1640CTG 编号：C41159

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

这些先进的器件是为开关电源、逆变器设计的系列产品，也可用作续流二极管。

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1+
￥7.21
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￥5.94
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￥5.03
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￥4.24
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￥3.89
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型号：FFSH20120ADN-F155 编号：C463729

封装：TO-247-3

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性以及出色的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、降低的电磁干扰以及减小的系统尺寸和成本。

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1+
￥58.9869 ￥93.63
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￥47.4085 ￥89.45
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￥35.3503 ￥82.21
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￥32.6327 ￥75.89

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型号：MMBZ5256BLT1G 编号：C150060

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。

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单价：
￥0.087 / 个

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型号：MMBZ5229BLT1G 编号：C236154

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。

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单价：
￥0.08796 / 个

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型号：MM3Z22VT1G 编号：C891591

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功耗为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。

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10+
￥0.2056
100+
￥0.2006
300+
￥0.1974

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型号：MMSZ5251BT1G 编号：C236214

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

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20+
￥0.2489
200+
￥0.2049
600+
￥0.1804

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型号：1N5245B 编号：C895266

封装：DO-35

品牌：onsemi(安森美)

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10+
￥0.2625
100+
￥0.2084
500+
￥0.1813

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型号：SBAS70-04LT1G 编号：C489574

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间受限的手持和便携式应用。

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10+
￥0.2696
100+
￥0.2653
300+
￥0.2624

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型号：MMSZ4706T1G 编号：C236101

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5板）。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计适合优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（> 16 kV）。SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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10+
￥0.2745
100+
￥0.2147
300+
￥0.1848

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型号：MMSZ4681T1G 编号：C236097

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计便于自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（> 16 kV）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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10+
￥0.2752
100+
￥0.2182
300+
￥0.1896

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型号：1N5240B 编号：C895258

封装：插件,D1.53xL3.05mm

品牌：onsemi(安森美)

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10+
￥0.3028
100+
￥0.2407
300+
￥0.2097

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型号：SZBZX84C36LT1G 编号：C463425

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。

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10+
￥0.3251
100+
￥0.2563
300+
￥0.2219
3000+
￥0.1844
6000+
￥0.1638
9000+
￥0.1535

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型号：FDLL914B 编号：C903615

封装：SOD-80

品牌：onsemi(安森美)

小信号二极管

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10+
￥0.3514
100+
￥0.2794
300+
￥0.2434

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型号：SZMMSZ4680T1G 编号：C463203

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率，适用于FR-4或FR-5板。宽齐纳反向电压范围：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计便于优化自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级 (>16 kV)。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。这些器件无铅且符合RoHS标准

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50+
￥0.3713
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