安森美二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：1N5352BG 编号：C232447

封装：DO-201

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

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1+
￥3.01
10+
￥2.42
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￥2.17
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￥1.86

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型号：NRVB5100MFST1G 编号：C463392

封装：DFN-5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低功耗/高效率。新封装提供板载安装后检查和探测能力。保护环用于应力保护。低正向压降。工作结温175°C。 NRVB前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些是无铅器件

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1+
￥3.07
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￥2.75
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型号：FYP1010DNTU 编号：C899415

封装：TO-220-3

品牌：onsemi(安森美)

特性：低正向压降。高频特性和开关速度。用于过压保护的保护环。应用：开关电源。续流二极管

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￥3.5055 ￥8.55
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￥2.4428 ￥7.88
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￥1.5666 ￥7.46
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￥1.4763 ￥7.03
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￥1.4364 ￥6.84
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￥1.4196 ￥6.76

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型号：MBR3100RLG 编号：C242293

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。

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1+
￥3.85
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￥3.26
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￥3.01
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￥2.69
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￥2.12
1500+
￥2.03

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型号：BYW29-200G 编号：C232399

封装：TO-220AC-2

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

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1+
￥4.13
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￥3.35
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￥2.96
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￥2.57
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型号：SZ1SMA5929BT3G 编号：C462962

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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￥4.5
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￥3.67
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￥3.26
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￥2.85

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型号：FFPF20UP30DNTU 编号：C899187

封装：TO-220F

品牌：onsemi(安森美)

FFPF20UP30DN 是一款超快双二极管，具备低正向电压压降和坚固耐用的 UIS 功能。该器件适合用作各种开关电源和其他电源开关应用中的续流和箝位二极管。它特别适合用于开关电源、焊机等工业应用和 UPS 应用。

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1+
￥7.09
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￥6.46
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￥5.97
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￥5.57
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￥5.38
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￥5.3

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型号：MUR3040 编号：C19161982

封装：TO-218

品牌：onsemi(安森美)

适用于开关电源、逆变器，可作为续流二极管使用。

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￥31.97
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￥27.09
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￥24.19
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￥21.26

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型号：FFSH3065B-F085 编号：C605108

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，具有卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性以及出色的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰以及更小的系统尺寸和成本。

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1+
￥59.79
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￥47.1289 ￥51.79
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￥37.9971 ￥46.91
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￥34.6842 ￥42.82

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型号：MICROFC-60035-SMT-TR 编号：C603293

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 C 系列硅光电倍增 (SiPM) 传感器具有行业领先的 30 kHz/mm2 低暗计数率，以及卓越的 ±250 mV 击穿电压均匀性。高光子探测效率 (PDE) 使用大容量 CMOS 工艺延伸到了光谱蓝色部分。 C 系列传感器提供 1 mm、3 mm 和 6 mm 尺寸以及多种微单元尺寸。此类器件封装在可平铺成型引线框架 (MLP) 封装内，可兼容行业标准、无引线、回流焊接工艺。C 系列还具有独特的快速输出，适用于快速计时应用。

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1+
￥177.72
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￥168.2

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型号：MICROFJ-60035-TSV-TR 编号：C603295

封装：WBGA-36

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的 J 系列硅光电倍增传感器 (SiPM) 针对高性能计时应用进行了优化，如 ToF-PET（飞行时间正电子发射层析成像）。由于提高了微单元密度，J 系列传感器可以实现 50% 的光电检测效率 (PDE)，灵敏度可扩展到紫外线。该系列具有行业领先的低低暗计数率 50 kHz/mm2，并且因为此类传感器是使用大容量 CMOS 硅工艺生产的，所以它们具有 ±250 mV 的卓越中断电压一致性。 J 系列提供在 TSV 芯片级封装中封装的 3 mm、4 mm 和 6 mm 尺寸，符合行业标准的无铅回流焊接工艺。J 系列还具有安森美半导体独特的快速输出，适用于快速计时功能。

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1+
￥184.94
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￥175.01

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型号：MM3Z24VST1G 编号：C891594

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功耗为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。适用于手机、手持便携式设备和高密度PC板等应用。

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20+
￥0.20064 ￥0.2112
200+
￥0.14144 ￥0.1664
600+
￥0.106125 ￥0.1415
3000+
￥0.09495 ￥0.1266
9000+
￥0.085275 ￥0.1137
21000+
￥0.080025 ￥0.1067

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型号：MMBZ5254BLT1G 编号：C255604

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

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20+
￥0.20121 ￥0.2118
200+
￥0.141865 ￥0.1669
600+
￥0.1065 ￥0.142
3000+
￥0.09525 ￥0.127
9000+
￥0.0855 ￥0.114
21000+
￥0.08025 ￥0.107

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型号：MMBZ5227BLT1G 编号：C236208

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。

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20+
￥0.2023
200+
￥0.1584
600+
￥0.134
3000+
￥0.1193

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型号：MM3Z13VT1G 编号：C236178

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

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20+
￥0.2187
200+
￥0.1737
600+
￥0.1487
3000+
￥0.1285
9000+
￥0.1155
21000+
￥0.1085

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型号：BZX84C7V5LT1G 编号：C236201

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

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20+
￥0.2237
200+
￥0.1749
600+
￥0.1478

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型号：MMSZ5247BT1G 编号：C236089

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

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20+
￥0.2321
200+
￥0.1842
600+
￥0.1576
3000+
￥0.1416
9000+
￥0.1278
21000+
￥0.1203

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型号：MM3Z3V9T1G 编号：C58025

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

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10+
￥0.2394
100+
￥0.1866
300+
￥0.1602
3000+
￥0.1404
6000+
￥0.1246
9000+
￥0.1167

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型号：MMSZ4709T1G 编号：C891719

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计便于自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（> 16 kV）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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10+
￥0.2419
100+
￥0.1891
300+
￥0.1627

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型号：BZX84C6V8LT1G 编号：C90848

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

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10+
￥0.2483
100+
￥0.1966
300+
￥0.1707
3000+
￥0.1453
6000+
￥0.1298
9000+
￥0.122

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型号：MM3Z9V1T1G 编号：C603323

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

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10+
￥0.2504
100+
￥0.1979
300+
￥0.1716

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型号：SZBZX84C4V7ET1G 编号：C463664

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用便捷的表面贴装塑料 SOT 23 封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合手机、手持式设备以及高密度 PC 板等应用。

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20+
￥0.258786 ￥0.2614
200+
￥0.184675 ￥0.2075
600+
￥0.140225 ￥0.1775
3000+
￥0.121265 ￥0.1535
9000+
￥0.108941 ￥0.1379
21000+
￥0.102305 ￥0.1295

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型号：NSVBAT54HT1G 编号：C179609

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

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10+
￥0.2637
100+
￥0.2119
300+
￥0.186

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型号：MMSZ4692T1G 编号：C43431

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率（FR-4或FR-5板）。宽齐纳反向电压范围：1.8 V至43 V。为优化自动电路板组装而设计的封装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电（ESD）等级为3级（>16 kV）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

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