安森美二极管_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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描述

价格(含税)

库存

操作

独立式耐压:130V 电流:1uA@98.8V

型号：1SMB5952BT3G 编号：C236106

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0264
50+
￥0.7997
150+
￥0.7025
500+
￥0.5813
2500+
￥0.5273
5000+
￥0.4949

有货

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独立式耐压:3.6V 电流:35.5uA

型号：1SMA5914BT3G 编号：C152496

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0266
50+
￥0.8049
150+
￥0.7098
500+
￥0.5604
2500+
￥0.5076
5000+
￥0.4759

有货

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耐压:400V 电流:2A 反向恢复时间：65ns

型号：NRVUS240VT3G 编号：C604318

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

该 Ultrafast 整流器适用于高电压、高频率整流，或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用，其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

数据手册

5+
￥1.0874
50+
￥0.9402
150+
￥0.8772
500+
￥0.7992
2500+
￥0.7641
5000+
￥0.7431

有货

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独立式耐压:4.3V 电流:5uA@1V

型号：1SMB5916BT3G 编号：C45586

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥1.1353
50+
￥0.8982
150+
￥0.7966
500+
￥0.6698

有货

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400V 2A

型号：MUR240RLG 编号：C480720

封装：DO-204AL

品牌：onsemi(安森美)

Ultrafast 整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

5+
￥1.186
50+
￥0.924
150+
￥0.8117
500+
￥0.6716
2500+
￥0.6093
5000+
￥0.5718

有货

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电压:40V 电流:500mA

型号：NSR05F40NXT5G 编号：C146713

封装：0402

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管经优化适用于低正向压降和低漏电流，采用芯片级封装 (CSP) 以减少板空间。低热电阻使设计人员能够完成提高能效并满足减少空间要求的具有挑战性的任务。

数据手册

5+
￥1.3163
50+
￥1.046
150+
￥0.9301
500+
￥0.7855
2500+
￥0.6394
5000+
￥0.6008

有货

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独立式耐压:30V 电流:1uA

型号：1SMB5936BT3G 编号：C127882

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.3462
50+
￥1.071
150+
￥0.9531
500+
￥0.8059

有货

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电压:30V 电流:1A

型号：MBRM130LT1G 编号：C154834

封装：DO-216AA

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用势垒金属和外延结构，可产生优化的正向压降-逆向电流权衡。这种先进的封装技术可用于实现高能效的微型、节省空间的表面贴装整流器。由于其独特的散热设计，该整流器与 SMA 具有相同的热性能，而占位减小 50%，提供了业内最小高度的外形，不到 1.1 mm。由于其尺寸小巧，适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡等便携式电池供电产品。典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多个供应电压的“OR”操作，以及性能和尺寸性能至关重要的其他应用。

数据手册

5+
￥1.3733
50+
￥1.0876
150+
￥0.9652
500+
￥0.8124
3000+
￥0.6616
6000+
￥0.6208

有货

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50V 2A

型号：MURA105T3G 编号：C895504

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

适用于高压、高频整流，或作为表面贴装应用中的续流和保护二极管，在尺寸和重量对系统至关重要的情况下使用。

数据手册

5+
￥1.5055
50+
￥1.183
150+
￥1.0447
500+
￥0.8141
2500+
￥0.7373
5000+
￥0.6912

有货

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耐压:10V 电流:2.5uA@8V

型号：SZ1SMA5925BT3G 编号：C896068

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

1+
￥1.7385 ￥2.85
10+
￥1.3005 ￥2.55
30+
￥0.984 ￥2.4
100+
￥0.9266 ￥2.26
500+
￥0.8897 ￥2.17
1000+
￥0.8692 ￥2.12

有货

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独立式耐压:10V 电流:5uA

型号：1N5347BRLG 编号：C114207

封装：DO-14

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

5+
￥2.0456
50+
￥1.6172
150+
￥1.4336
500+
￥1.2046
2500+
￥1.1352
4000+
￥1.074

有货

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电压:40V 电流:1A

型号：NRVB140SFT1G 编号：C152277

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该器件采用大面积金属-硅功率二极管的肖特基势垒原理。非常适合用于低电压、高频整流，或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中作为续流二极管和极性保护二极管。该封装还为无引脚34封装形式提供了一种易于操作的替代方案

数据手册

5+
￥2.1797
50+
￥1.6896
150+
￥1.4796
500+
￥1.2175
3000+
￥1.1008
6000+
￥1.0308

有货

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耐压:1kV 电流:2A 反向恢复时间：100ns

型号：MUR2100ERLG 编号：C242294

封装：DO-41

品牌：onsemi(安森美)

超快 E 系列，具有高逆向能量功能,此类先进器件适用于开关电源、逆变器或用作续流二极管

数据手册

5+
￥2.1903
50+
￥1.7064
150+
￥1.4991
500+
￥1.2404
2500+
￥1.1252
5000+
￥1.056

有货

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电压:100V 电流:1A

型号：S100 编号：C556396

封装：DO-214AC

品牌：onsemi(安森美)

该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。

数据手册

5+
￥2.2446
50+
￥1.7462
150+
￥1.5326
500+
￥1.2661
2500+
￥1.1474

有货

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耐压:800V 电流:0.5A

型号：MB8S 编号：C232761

封装：SOIC-4

品牌：onsemi(安森美)

MB 系列桥式整流器是 0.5 A 整流器系列，实现高浪涌电流吸收，占位极小。MB 系列外形小为 35 mm2，具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流，该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些功能使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流，更小型封装，或者更低 VF 值，请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装内的 VF 和提高能效值，或需要更高的浪涌能力，请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。

数据手册

5+
￥2.2796
50+
￥1.8602
150+
￥1.6805
500+
￥1.4562

有货

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耐压:36V 电流:1uA@27.4V

型号：SZ1SMB5938BT3G 编号：C231292

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V 至 200V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。 AEC-Q101 认证且具备生产件批准程序能力（SZ1SMB59xxT3G）。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

1+
￥2.286 ￥5.08
10+
￥1.5925 ￥4.55
30+
￥1.07 ￥4.28
100+
￥1.005 ￥4.02
500+
￥0.965 ￥3.86
1000+
￥0.945 ￥3.78

有货

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独立式耐压:16V 电流:1uA@12.2V

型号：1N5353BRLG 编号：C9087

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

5+
￥2.3364
50+
￥1.8576
150+
￥1.6524
500+
￥1.3964
2500+
￥1.2159
4000+
￥1.1475

有货

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200V 3A

型号：MURD320T4G 编号：C152459

封装：TO-252-2

品牌：onsemi(安森美)

这些先进的器件设计用于开关电源、逆变器，并可作为续流二极管。

数据手册

1+
￥2.95
10+
￥2.29
30+
￥2
100+
￥1.64
500+
￥1.49
1000+
￥1.39

有货

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耐压:3.9V 电流:25uA@1V

型号：SZ1SMB5915BT3G 编号：C889919

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

数据手册

1+
￥3.287 ￥3.46
10+
￥2.635 ￥3.1
30+
￥2.19 ￥2.92
100+
￥2.055 ￥2.74
500+
￥1.9725 ￥2.63
1000+
￥1.935 ￥2.58

有货

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电压:20V 电流:3A

型号：1N5820G 编号：C95400

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

该系列采用肖特基势垒原理，应用于大面积金属硅功率二极管。其先进的几何结构采用了铬势垒金属、具有氧化物钝化和金属重叠接触的外延结构。非常适合用作低压、高频逆变器中的整流器、续流二极管和极性保护二极管。

数据手册

1+
￥3.42
10+
￥2.72
30+
￥2.37
100+
￥2.03
500+
￥1.82
1000+
￥1.72

有货

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耐压:600V 电流:8A 反向恢复时间：60ns

型号：MUR860G 编号：C50428

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

1+
￥4.83
10+
￥3.91
50+
￥3.15
100+
￥2.69
500+
￥2.42
1000+
￥2.28

有货

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200V 8A

型号：MUR820G 编号：C90996

封装：TO-220AC-2

品牌：onsemi(安森美)

此超快整流器适用于开关电源、逆变器和用作续流二极管。

数据手册

1+
￥5.07
10+
￥4.06
50+
￥3.55
100+
￥3.04
500+
￥2.74
1000+
￥2.59

有货

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电压:100V 电流:5A

型号：NRVTSS5100ET3G 编号：C556398

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：精细光刻沟槽式肖特基技术，实现极低正向电压和低泄漏。快速开关，具有出色的温度稳定性。低功耗和较低的工作温度。更高的效率，以符合法规要求。高浪涌能力。 NRV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力。应用：开关电源，包括无线、智能手机和笔记本电脑适配器。高频和 DC-DC 转换器

数据手册

1+
￥5.41
10+
￥4.86
30+
￥4.56
100+
￥4.22
500+
￥4.07
1000+
￥4

有货

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耐压:600V 电流:8A 反向恢复时间：60ns

型号：MUR1660CTG 编号：C40990

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。

数据手册

1+
￥6.36
10+
￥5.23
50+
￥4.61
100+
￥3.9
500+
￥3.59
1000+
￥3.45

有货

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耐压:600V 电流:60A 反向恢复时间：60ns

型号：FFH60UP60S 编号：C605072

封装：TO-247-2LD

品牌：onsemi(安森美)

FFH60UP60S 是一款具有极低正向电压降和强大 UIS 功能的超快速二极管。此类器件适合用作各种开关电源和其他电源开关应用中的续流和箝位二极管。它特别适合用于焊接机和 UPS 等开关电源和工业应用。

数据手册

1+
￥15.07
10+
￥13.93
30+
￥10.77
90+
￥10.04
510+
￥9.71
990+
￥9.57

有货

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耐压:600V 电流:30A 反向恢复时间：60ns

型号：RURG3060 编号：C389623

封装：TO-247-2

品牌：onsemi(安森美)

是一种具有低正向压降的超快二极管。该器件旨在用作各种开关电源和其他功率开关应用中的续流和钳位二极管。特别适用于开关电源和工业应用。

数据手册

1+
￥19.18
10+
￥16.62
30+
￥15.01
90+
￥13.37
510+
￥12.63
1200+
￥12.31

有货

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耐压:50V 电流:400mA 反向恢复时间：4ns

型号：1N4454TR 编号：C896638

封装：DO-35

品牌：onsemi(安森美)

高导通超快速二极管，源自 Process 1R。参见 MMBD1201-1205 了解特性。

数据手册

20+
￥0.1822
200+
￥0.1413
600+
￥0.1186
2000+
￥0.1049

有货

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独立式耐压:3V 电流:0.8uA@1V

型号：MMSZ4683T1G 编号：C235985

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

特性：500 mW额定功率，适用于FR-4或FR-5电路板。齐纳反向电压范围宽：1.8 V至43 V。低反向电流 (IZT)：50 μA。封装设计便于自动电路板组装。小封装尺寸，适用于高密度应用。人体模型静电放电等级为3级（> 16 kV）。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅且符合RoHS标准

数据手册

20+
￥0.2339
200+
￥0.1937
600+
￥0.1714
3000+
￥0.1467
9000+
￥0.1351
21000+
￥0.1288

有货

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独立式耐压:5.1V 电流:2uA@2V

型号：BZX84C5V1LT1G 编号：C47075

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

数据手册

20+
￥0.2407
200+
￥0.1909
600+
￥0.1633
3000+
￥0.1467
9000+
￥0.1323
21000+
￥0.1245

有货

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独立式耐压:5.6V 电流:1uA@2.0V

型号：MM3Z5V6T1G 编号：C82071

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

数据手册

20+
￥0.2428
200+
￥0.1974
600+
￥0.1722
3000+
￥0.1337
9000+
￥0.1206
21000+
￥0.1135

有货

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