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首页 > 热门关键词 > 德州仪器二极管
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±24V低电容浪涌二极管
型号：TSM24CADBZR 编号：C37061920
封装：SOT-23
品牌：TI(德州仪器)
可将高达30A的IEC61000-4-5 (8 / 20μs)故障电流进行可靠分流，从而保护系统免受高功率瞬态冲击或雷击。该器件提供了一种满足常见工业信号线路EMC要求的解决方案，可承受通过42阻抗耦合的高达1kV IEC61000-4-5开路电压，将浪涌钳位至40 (Iₚₚ = 24A)。还具有12pF的极低线路电容，可保护常见汽车通信网络（例如CAN）免受电动汽车充电应用中的浪涌影响。 此外，采用小型引线式SOT-23（DBZ）封装，尺寸大概比业界通用SMA封装小50%。器件的漏电流和电容都非常低，可尽可能减少受保护线路所受的影响。
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    ￥1.8573

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    单向TVS二极管ESD和浪涌保护
    型号：TSD36DYFR 编号：C48892008
    封装：SOD-323
    品牌：TI(德州仪器)
    数据手册

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    低IQ电池反向保护理想二极管控制器
    型号：LM74700QDDFRQ1 编号：C3236229
    封装：TSOT-23-8
    品牌：TI(德州仪器)
    LM74700-Q1 3.2V 至 65V、80uA IQ 汽车理想二极管控制器
    数据手册

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    具备断路器、过压保护和故障输出功能的汽车用理想二极管浪涌抑制器
    型号：LM74930QRGERQ1 编号：C22428070
    封装：VQFN-24-EP(4x4)
    品牌：TI(德州仪器)
    理想二极管控制器驱动和控制外部背对背N沟道MOSFET，以模拟理想二极管整流器和电源路径的通断控制，并具有过流和过压保护功能。4V至65V的宽输入电源可保护和控制12V和24V汽车电池供电的ECU。该器件可以承受低至 -65V的负电源电压，并保护负载。集成的高端栅极控制（HGATE）驱动电源路径中的第一个MOSFET
    数据手册

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    双向ESD保护二极管
    型号：ESD851DYFR 编号：C41726006
    封装：SOT-2
    品牌：TI(德州仪器)
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    具有输入极性保护功能的5.5V、1.5A、低IQ理想二极管
    型号：LM66100QDCKRQ1 编号：C5219211
    封装：SC-70-6
    品牌：TI(德州仪器)
    LM66100-Q1 具有集成式 FET 的汽车类 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二极管
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    0.5-A/0.8-A半桥驱动器，带5-V欠压锁定和集成自举二极管
    型号：LM2105DR 编号：C21316176
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
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    8通道ESD保护二极管，适用于键盘和GPIO
    型号：TPD8E003DQDR 编号：C2867469
    封装：WSON-8(1.4x1.7)
    品牌：TI(德州仪器)
    TPD8E003 8 通道 9pF、5.5V、±12kV ESD 保护二极管
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    具有有源整流和负载突降保护功能的理想二极管控制器
    型号：LM74810QDRRRQ1 编号：C3215601
    封装：WSON-12-EP(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    LM7481-Q1 具有有源整流功能、可驱动 B2B NFET 的汽车类理想二极管控制器
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    具有过压和过流保护的60V、2.2A集成式理想二极管
    型号：LM76202QPWPRQ1 编号：C1849484
    封装：HTSSOP-16-EP
    品牌：TI(德州仪器)
    LM76202-Q1 具有集成 FET 的 4.2V 至 60V、2.2A 300uA IQ 汽车理想二极管
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    双通道36V ESD保护二极管
    型号：ESD852DBZR 编号：C31693867
    封装：SOT-23
    品牌：TI(德州仪器)
    ESD8x2器件是用于USB电力传输(USB-PD)和工业接口的双向ESD保护二极管。这些器件旨在耗散达到或超过IEC61000-4-2标准所规定最高水平（±25kV接触放电和气隙放电，或 ±18kV接触放电和气隙放电）的ESD。低动态电阻和低钳位电压支持针对瞬态事件提供系统级保护。这种保护至关重要，因为工业系统对鲁棒性和可靠性的要求很高。
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    具有集成模拟电流调节功能的1.5A降压发光二极管(LED)驱动器
    型号：TPS92513HVDGQT 编号：C2678537
    封装：MSOP-10-EP
    品牌：TI(德州仪器)
    TPS92513/HV为1.5A降压电流稳压器，其集成有MOSFET，用于驱动高电流LED。这两款LED驱动器的输入电压上限分别为42V和60V (HV)，并且可在峰值电流模式控制下以用户选择的固定频率工作，同时可提供出色的线路和负载调节性能。 TPS92513/HV LED驱动器特有分别用于模拟调光和脉宽调制(PWM)调光的独立输入，并且不会影响到亮度控制，对比度分别高达10:1和100:1以上。
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    全功能N+1和ORing电源轨控制器
    型号：TPS2411PW 编号：C1523991
    封装：TSSOP-14
    品牌：TI(德州仪器)
    TPS2411 0.8V 至 16.5V、1.2A IQ、293uA Igate 拉电流、N+1 和 OR-ing 电源轨控制器
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    具有集成模拟电流调节功能的2.5A降压发光二极管（LED）驱动器
    型号：TPS92512HVDGQT 编号：C2678896
    封装：MSOP-10-EP
    品牌：TI(德州仪器)
    TPS92512/HV 为 2.5A 降压电流稳压器，其集成有 MOSFET，用于驱动高电流 LED。这两款 LED 驱动器的输入电压上限分别为 42V 和 60V (HV)，并且可在峰值电流模式控制下以用户选择的固定频率工作，同时可提供出色的线路和负载调节性能。 TPS92512/HV LED 驱动器特有分别用于模拟调光和脉宽调制(PWM) 调光的独立输入，并且不会影响到亮度控制，对比度分别高达 10:1 和 100:1 以上。
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    零IQ反极性保护智能二极管控制器
    型号：LM74610QDGKTQ1 编号：C202259
    封装：VSSOP-8-0.65mm
    品牌：TI(德州仪器)
    LM74610-Q1 0.48V 至 42V、零 IQ 汽车理想二极管控制器
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      ￥14.82

    • 10+

      ￥12.58

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      ￥11.18
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    理想二极管控制器，具备负载突降保护功能
    型号：LM74801QDRRRQ1 编号：C2873366
    封装：WSON-12-EP(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    LM7480-Q1 用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器
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    • 1+

      ￥16.4

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      ￥12.62
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    3.5V - 23V, 12.2mΩ, 8A eFuse 双向功率传输
    型号：TPS259480AYWPR 编号：C22421991
    封装：DSBGA-12
    品牌：TI(德州仪器)
    TPS25948xx系列电子保险丝是一款高度集成的电路保护和电源管理解决方案，采用小封装。该器件提供多种保护模式，所需外部元件极少，能有效抵御过载、短路、电压浪涌和过大浪涌电流。集成背靠背FET，可随时阻断从输出到输入的反向电流，非常适合电源多路复用和“或”应用，以及在输入电源故障时需要负载侧能量保持存储的系统。该器件采用基于线性“或”的方案，确保几乎为零的直流反向电流，并以最小的正向压降和功耗模拟理想二极管的行为。该器件还提供外部引脚控制选项，可禁用反向电流阻断功能，允许在稳态下进行双向功率传输。可使用单个外部电容器调节输出压摆率和浪涌电流。如果输入超过可调过压阈值，器件会切断输出，从而保护负载免受输入过压影响。器件通过主动限制电流来应对输出过载。输出电流限制阈值以及瞬态过流消隐定时器均可由用户调节。限流控制引脚还可作为模拟负载电流监测器。该器件采用2.4mmx1.7mm、12球功率晶圆级芯片尺寸封装（PowerWCSP），可改善热性能并减小系统尺寸。该器件的工作结温范围为-40℃至+125℃。
    数据手册

    • 1+

      ￥17.08

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      ￥12.83
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    11.3Gbps 低功耗激光二极管驱动器
    型号：ONET1151LRGER 编号：C779400
    封装：VQFN-24-EP(4x4)
    品牌：TI(德州仪器)
    ONET1151L 11.3Gbps 低功耗激光二极管驱动器
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    • 1+

      ￥25.66

    • 10+

      ￥22.79

    • 30+

      ￥21.08
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    带两线接口的三二极管输入及本地数字温度传感器
    型号：LM83CIMQAX/NOPB 编号：C2869475
    封装：SSOP-16-150mil
    品牌：TI(德州仪器)
    LM83 具有 SMBus 和 I2C 接口且兼容 ACPI 的三路远程和本地温度传感器
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    • 1+

      ￥65.17

    • 10+

      ￥56.06

    • 30+

      ￥50.5
  • 有货
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    低电容ESD二极管用于RF和ADAS信号保护
    型号：ESD701DPYR 编号：C42409125
    封装：X1SON-2(0.6x1)
    品牌：TI(德州仪器)
    数据手册

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      ￥0.978

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      ￥0.6872
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    高侧OR-ing FET控制器（适用于冗余电源系统）
    型号：LM5050Q1MKX-1/NOPB 编号：C701909
    封装：SOT-23-Thin-6
    品牌：TI(德州仪器)
    LM5050-1-Q1 汽车类 5V 至 75V、400uA IQ ORing FET 控制器
    数据手册

    • 1+

      ￥6.38

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      ￥6.14
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    具有外部FET运行状况指示的汽车类理想二极管控
    型号：LM74703QDDFRQ1 编号：C22450804
    封装：TSOT-23-8
    品牌：TI(德州仪器)
    一款符合汽车AECQ100标准的理想二极管控制器，与外部N沟道MOSFET配合工作，可作为理想二极管整流器利用20mV正向压降实现低损耗反极性保护。3.2V至65V的宽电源输入范围可实现对常用直流总线电压（例如12V、24V和48V汽车电池系统）的控制。3.2V输入电压支持可满足汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可耐受低至－65V的负电源电压，并提供负载保护
    数据手册

    • 1+

      ￥10.01

    • 10+

      ￥8.92

    • 30+

      ￥8.15
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    零IQ智能二极管整流器控制器
    型号：LM74670QDGKTQ1 编号：C2653685
    封装：VSSOP-8
    品牌：TI(德州仪器)
    LM74670-Q1 具有 70uA 栅极驱动器的 0.48V 至 42V、零 IQ 汽车理想二极管整流器控制器
    数据手册

    • 1+

      ￥11.81

    • 10+

      ￥11.54

    • 30+

      ￥11.36
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    低侧或运算FET控制器
    型号：LM5051MAX/NOPB 编号：C529543
    封装：SOIC-8
    品牌：TI(德州仪器)
    LM5051 -6V 至 -100V、690uA IQ ORing FET 控制器
    数据手册

    • 1+

      ￥13.33

    • 10+

      ￥11.34

    • 30+

      ￥10.1
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    具有有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器
    型号：LM74720QDRRRQ1 编号：C5219205
    封装：WSON-12(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    LM74720-Q1 具有有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器
    数据手册

    • 1+

      ￥15.48

    • 10+

      ￥13.18

    • 30+

      ￥11.74
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    具有体二极管导通感测功能的低侧栅极驱动器
    型号：UCD7138DRSR 编号：C702451
    封装：SON-6-EP(3x3)
    品牌：TI(德州仪器)
    UCD7138 UCD7138 具有本体二极管导通传感功能的低侧栅极功率 MOSFET 驱动器
    数据手册

    • 1+

      ￥18.45

    • 10+

      ￥18.02

    • 30+

      ￥17.73
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    汽车理想二极管控制器，具备故障输出、过压、欠压和短路保护功能
    型号：LM74912QRGERQ1 编号：C34779753
    封装：VQFN-24-EP(4x4)
    品牌：TI(德州仪器)
    LM74912-Q1理想二极管控制器驱动并控制外部背靠背N沟道MOSFET，以模拟具有电源路径开/关控制、过压、欠压和输出短路保护功能的理想二极管整流器。3 V至65 V的宽输入电源范围可对12 V和24 V汽车电池供电的电子控制单元（ECU）进行保护和控制。该器件能够承受低至 -65 V的负电源电压，并保护负载免受其影响。集成的理想二极管控制器（DGATE）驱动第一个MOSFET，以取代肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持。通过在电源路径中使用第二个MOSFET，该器件可在过流和过压事件发生时，利用HGATE控制实现负载断开（开/关控制）。该器件集成了电流检测放大器，可基于外部MOSFET的VDS检测提供短路保护，且电流限制可调。当检测到输出端出现短路情况时，器件会锁存负载断开MOSFET。该器件具备可调过压关断保护功能。它还具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗（6 μA），同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM74912-Q1的最大电压额定值为65 V。
    数据手册

    • 1+

      ￥33.41

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    双向 TVS 二极管 ESD 和浪涌保护
    型号：TSD36CDYFR 编号：C41889927
    封装：SOT-2
    品牌：TI(德州仪器)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4604

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      ￥0.4486

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      ￥0.4408
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    36V双向浪涌保护二极管
    型号：TSM36CADBZR 编号：C42015894
    封装：SOT-23-3
    品牌：TI(德州仪器)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5873

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      ￥0.5744

    • 150+

      ￥0.5657
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    高侧OR-ing FET控制器
    型号：LM5050Q0MKX-1/NOPB 编号：C2877561
    封装：SOT-23-Thin-6
    品牌：TI(德州仪器)
    LM5050-1-Q1 汽车类 5V 至 75V、400uA IQ ORing FET 控制器
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