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  • 特性:高密度单元设计,实现低RDS(ON)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力
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  • 用于保护基带设备免受破坏性过电压瞬变的影响。
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  • DY 20N60WS 是一款高压功率 MOSFET,采用先进的超结技术制造。由此生产的器件具有极低的导通电阻、低栅极电荷和快速的开关时间,使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用场景。20N60WS 的击穿电压为 600V,具有高抗雪崩特性
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