东沃二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SMD4532-230M 编号：C20622194

封装：1812

品牌：DOWO(东沃)

4.5*3.2*2.7

5+
￥0.7429
50+
￥0.579
150+
￥0.4971
500+
￥0.4356

有货

立即购买

型号：P6KE250A 编号：C294007

封装：DO-15

品牌：DOWO(东沃)

特性：玻璃钝化芯片。 600W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）为 0.01%。低泄漏。单向和双向单元。出色的钳位能力。非常快的响应时间。符合 RoHS 标准

数据手册

5+
￥1.0712
50+
￥0.8293
150+
￥0.7256
500+
￥0.5962
2000+
￥0.5386
4000+
￥0.504

有货

立即购买

型号：SMDJ160CA 编号：C326367

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DOWO(东沃)

特性：玻璃钝化芯片。 3000W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）为 0.01%。低泄漏。单向和双向单元。出色的钳位能力。非常快的响应时间。符合 RoHS 标准

数据手册

5+
￥1.1087
50+
￥0.8816
150+
￥0.7842
500+
￥0.6628
3000+
￥0.5849
6000+
￥0.5524

有货

立即购买

型号：P6KE300CA 编号：C294010

封装：DO-15

品牌：DOWO(东沃)

特性：玻璃钝化芯片。 600W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）为 0.01%。低泄漏。单向和双向单元。出色的钳位能力。非常快的响应时间。符合 RoHS 标准

数据手册

5+
￥1.1132
50+
￥0.8713
150+
￥0.7677
500+
￥0.6383
2000+
￥0.5938
4000+
￥0.5592

有货

立即购买

型号：1.5KE22CA 编号：C294185

封装：DO-201

品牌：DOWO(东沃)

特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。低泄漏。单向和双向单元。出色的钳位能力。极快的响应时间。符合 RoHS 标准

数据手册

5+
￥1.1795
50+
￥0.9364
150+
￥0.8322
1000+
￥0.7221
2000+
￥0.6642
5000+
￥0.6294

有货

立即购买

型号：2R090N-S5042 编号：C22439029

封装：SMD,5x5mm

品牌：DOWO(东沃)

贴片陶瓷气体放电管 90V 5*5*4.2

5+
￥1.7049
50+
￥1.334
150+
￥1.175
1000+
￥0.9987

有货

立即购买

型号：1.5KE400A 编号：C294194

封装：DO-201

品牌：DOWO(东沃)

特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。低泄漏。单向和双向单元。出色的钳位能力。极快的响应时间。符合 RoHS 标准

数据手册

5+
￥2.0849
50+
￥1.6313
150+
￥1.4369
500+
￥1.2214
2500+
￥1.1134
5000+
￥1.0485

有货

立即购买

型号：1.5KE250CA 编号：C294187

封装：DO-201

品牌：DOWO(东沃)

特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。低泄漏。单向和双向单元。出色的钳位能力。极快的响应时间。符合 RoHS 标准

数据手册

5+
￥2.1502
50+
￥1.6966
150+
￥1.5022
1000+
￥1.1809
2000+
￥1.0729
5000+
￥1.008

有货

立即购买

型号：5KP48A 编号：C366564

封装：R-6(P600)

品牌：DOWO(东沃)

特性：玻璃钝化芯片。 5000W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。低泄漏。单极性和双极性单元。出色的钳位能力。极快的响应时间。符合 RoHS 标准

数据手册

1+
￥3.17
10+
￥2.84
30+
￥2.67
100+
￥2.5
500+
￥2.09
1000+
￥2.04

有货

立即购买

型号：5KP24A 编号：C293984

封装：R-6(P600)

品牌：DOWO(东沃)

特性：玻璃钝化芯片。 5000W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。低泄漏。单极性和双极性单元。出色的钳位能力。极快的响应时间。符合 RoHS 标准

数据手册

1+
￥3.8475 ￥4.05
10+
￥3.1065 ￥3.27
30+
￥2.7455 ￥2.89
100+
￥2.375 ￥2.5
500+
￥2.0995 ￥2.21
1000+
￥1.9855 ￥2.09

有货

立即购买

型号：5KP18A 编号：C293980

封装：R-6(P600)

品牌：DOWO(东沃)

特性：玻璃钝化芯片。 5000W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。低泄漏。单极性和双极性单元。出色的钳位能力。极快的响应时间。符合 RoHS 标准

数据手册

1+
￥4.56
10+
￥3.69
30+
￥3.26
100+
￥2.83
500+
￥2.38
1000+
￥2.24

有货

立即购买

型号：15KP280CA 编号：C293971

封装：R-6(P600)

品牌：DOWO(东沃)

特性：玻璃钝化芯片。 15000 W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000 μs，重复率（占空比）：0.01%。低泄漏。单向和双向单元。出色的钳位能力。极快的响应时间。符合 RoHS 标准

数据手册

1+
￥11.51
10+
￥9.86
30+
￥8.82
250+
￥7.02
500+
￥6.54
1000+
￥6.33

有货

立即购买

型号：KA-380C 编号：C5208075

封装：插件

品牌：DOWO(东沃)

专为满足交流和直流线路保护应用的严苛浪涌测试环境而设计。与传统金属氧化物（MOV）解决方案相比，具有非常快速的响应和超低钳位特性。可以串联和/或并联连接，以创建非常高的浪涌电流保护解决方案。超低钳位电压。超紧凑：尺寸小于传统分立解决方案的十分之一。陡峭的击穿电压。低斜率电阻。双向。具有折返技术，可实现出色的钳位系数。引脚宽度对称，便于组装期间焊接。符合IEC 61000-4-2标准的数据线路ESD保护。符合IEC 61000-4-4标准的数据线路EFT保护。无卤。符合RoHS标准。玻璃钝化结。无铅E4表示二级互连无铅，终端表面处理材料为银

数据手册

1+
￥65.57
10+
￥56.34
28+
￥49.52
112+
￥44.8

有货

立即购买

型号：MMBT3906 编号：C22374715

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

PNP -200mA -40V

50+
￥0.0514
500+
￥0.04
3000+
￥0.0337

有货

立即购买

型号：MUN2235-DW 编号：C49195049

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

50+
￥0.1002
500+
￥0.0786
3000+
￥0.0666

有货

立即购买

型号：MUN2233-DW 编号：C49194797

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

50+
￥0.1002
500+
￥0.0786
3000+
￥0.0666

有货

立即购买

型号：MUN2211-DW 编号：C49195051

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

50+
￥0.1002
500+
￥0.0786
3000+
￥0.0666

有货

立即购买

型号：MUN2212-DW 编号：C49195053

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

50+
￥0.1002
500+
￥0.0786
3000+
￥0.0666

有货

立即购买

型号：MUN2232-DW 编号：C49195050

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

50+
￥0.1002
500+
￥0.0786
3000+
￥0.0666

有货

立即购买

型号：MMUN2233LT1G-DW 编号：C49194798

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

这款数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中，消除了它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

50+
￥0.1002
500+
￥0.0786
3000+
￥0.0666

有货

立即购买

型号：BSS123 编号：C18198442

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

特性：TrenchFET功率MOSFET-便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

50+
￥0.101
500+
￥0.0784
3000+
￥0.0671

有货

立即购买

型号：2SC3356 编号：C49194795

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

hFE:125-250，丝印:E25

20+
￥0.1452
200+
￥0.1139
600+
￥0.0965

有货

立即购买

型号：SD05C-2B 编号：C5456622

封装：SOD-323

品牌：DOWO(东沃)

SD05C - 2B专为替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和平板电脑）中的多层压敏电阻而设计。它采用单片硅技术，可实现快速响应时间和超低ESD钳位电压，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。 SD05C - 2B符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受±15kV空气放电和±8kV接触放电