东沃二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：1.5KE400CA 编号：C284122

封装：DO-201

品牌：DOWO(东沃)

特性：玻璃钝化芯片。 1500W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）为 0.01%。低泄漏。单向和双向单元。出色的钳位能力。非常快的响应时间。符合 RoHS 标准

数据手册

5+
￥2.0184
50+
￥1.5648
150+
￥1.3704
500+
￥1.2259
2500+
￥1.1179
5000+
￥1.053

有货

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型号：5.0SMDJ28CA 编号：C7272160

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DOWO(东沃)

特性：玻璃钝化芯片。 5000W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。低泄漏。单向和双向单元。出色的钳位能力。非常快的响应时间。符合 RoHS 标准

5+
￥2.1295
50+
￥1.6507
150+
￥1.4455
500+
￥1.294
3000+
￥1.18
6000+
￥1.1115

有货

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型号：5.0SMDJ24CA--3000PCS 编号：C284072

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DOWO(东沃)

特性：玻璃钝化芯片。 5000 W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000 μs，重复率（占空比）：0.01%。低泄漏。单向和双向单元。出色的钳位能力。极快的响应时间。 RoHS 合规

数据手册

1+
￥2.58
10+
￥2.06
30+
￥1.83
100+
￥1.55
500+
￥1.29
1000+
￥1.22

有货

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型号：5KP22CA 编号：C2983259

封装：R-6(P600)

品牌：DOWO(东沃)

特性：玻璃钝化芯片。5000W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。低泄漏。单向和双向单元。出色的钳位能力。非常快的响应时间。符合 RoHS 标准

数据手册

1+
￥4.11
10+
￥3.31
30+
￥2.91
100+
￥2.51
500+
￥2.27
1000+
￥2.15

有货

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型号：30KP320CA 编号：C2959736

封装：R-6(P600)

品牌：DOWO(东沃)

特性：玻璃钝化芯片。 30000W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）：0.01%。低泄漏。单向和双向单元。出色的钳位能力。极快的响应时间。符合 RoHS 标准

数据手册

1+
￥16.35
10+
￥14
30+
￥12.53
100+
￥9.95
500+
￥9.27
1000+
￥8.98

有货

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型号：PESDNC2FD3V3BS-DW 编号：C48946122

封装：DFN1006-2L

品牌：DOWO(东沃)

特性：双向单线ESD保护。 72瓦脉冲峰值功率 (tp = 8/20μs)。工作电压：3.3V。结电容：10pF（典型值）。 IEC 61000-4-2 接触放电 ±30kV，空气放电 ±30kV。 IEC 61000-4-5（浪涌）8.5A (8/20μs)。应用：手机。便携式设备

100+
￥0.0451
1000+
￥0.0354
3000+
￥0.03

有货

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型号：DTC123YCA 编号：C49194789

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

特性：内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，使设备设计变得容易

50+
￥0.0525
500+
￥0.0513
3000+
￥0.0505

有货

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型号：ESD5411N-DW 编号：C48946126

封装：DFN1006-2L

品牌：DOWO(东沃)

特性：双向ESD保护。 80W峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。工作电压：7V。结电容：15pF（典型值）。 IEC 61000-4-2 ESD抗扰度测试空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。 IEC 61000-4-5（雷击）8.0A (8 / 20μs)。应用：手机及配件。笔记本电脑、台式机和服务器

50+
￥0.0676
500+
￥0.0531
1500+
￥0.045

有货

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型号：ESD5Z3.3C 编号：C22386114

封装：SOD-523

品牌：DOWO(东沃)

3.3V SOD-523 双向

50+
￥0.0755
500+
￥0.0587
3000+
￥0.0513

有货

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型号：MMBT2907A 编号：C22374709

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

PNP -600mA -60V

50+
￥0.0797
500+
￥0.0619
3000+
￥0.0529
6000+
￥0.047

有货

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型号：LESD8D12CT5G 编号：C50345733

封装：DFN1006-2L

品牌：DOWO(东沃)

特性：双向ESD保护。 150瓦峰值脉冲功率（tp = 8 / 20μs）。工作电压：12V。结电容：8pF（典型值）。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触，±30kV空气。 IEC 61000-4-5（闪电）：8.0A (8 / 20μs)。应用：智能手机和平板电脑。电视和机顶盒

50+
￥0.0977
500+
￥0.0766
1500+
￥0.0649

有货

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型号：ESD5311N 编号：C50345732

封装：DFN1006-2L

品牌：DOWO(东沃)

特性：双向ESD保护单线路。 110瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。工作电压：5V。结电容：0.30pF（典型值）。 IEC61000-4-2 ±20kV接触，±20kV空气。 IEC 61000-4-5（雷击）5.0A (8 / 20μs)。应用：智能手机和平板电脑。电视和机顶盒

50+
￥0.0977
500+
￥0.0766
1500+
￥0.0649

有货

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型号：MMUN2211LT1G-DW 编号：C49195052

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

这款数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中，消除了它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。