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价格(含税)

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操作

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：8A

型号：ESD5451N 编号：C6321761

封装：DFN1006-2

品牌：DOWO(东沃)

ESD5451N是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。ESD5451N符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用超小型1.0x0.6x0.5mm无铅0402封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

100+
￥0.0471
1000+
￥0.0363
3000+
￥0.0303
10000+
￥0.0283
50000+
￥0.0251
140000+
￥0.0234

有货

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单向ESD 12V截止峰值浪涌电流：1.9A

型号：MMBZ15VAL 编号：C19192537

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电（ESD）敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

20+
￥0.1214
200+
￥0.0944
600+
￥0.0794
3000+
￥0.0772
9000+
￥0.0694

有货

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双向ESD 24V截止峰值浪涌电流：9A

型号：PESD24VS1UB 编号：C2985484

封装：SOD-523

品牌：DOWO(东沃)

PESD24VS1UB是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。PESD24VS1UB符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受±15 kV空气放电和±8 kV接触放电。该器件采用超小型SOD - 523无铅封装。其尺寸小巧且具备高ESD浪涌保护能力，使其成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

数据手册

20+
￥0.2243
200+
￥0.1763
600+
￥0.1523
3000+
￥0.1387
9000+
￥0.1243
21000+
￥0.117

有货

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双向TVS 310V 430V截止峰值浪涌电流：6kA

型号：KB-430C 编号：C5208077

封装：插件

品牌：DOWO(东沃)

高功率TVS二极管专为满足交流和直流线路保护应用的严苛浪涌测试环境而设计。与MOV（金属氧化物压敏电阻）相比，具有非常快速的响应和超低钳位特性。这些组件可以串联和/或并联连接，以创建非常高的浪涌电流保护解决方案。

数据手册

1+
￥133.97
10+
￥123.09
56+
￥113.08
112+
￥104.34

有货

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单向ESD 22V截止峰值浪涌电流：1A@1.0ms

型号：MMBZ27VAL 编号：C19192540

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电（ESD）敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

20+
￥0.1151
200+
￥0.088
600+
￥0.073
3000+
￥0.0719

有货

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双向TVS 180V 240V截止峰值浪涌电流：6kA

型号：KB-240C 编号：C5208076

封装：插件

品牌：DOWO(东沃)

高功率TVS二极管专为满足交流和直流线路保护应用的严苛浪涌测试环境而设计。与MOV（金属氧化物压敏电阻）相比，具有非常快速的响应和超低钳位特性。这些组件可以串联和/或并联连接，以创建非常高的浪涌电流保护解决方案。

数据手册

1+
￥61.11
10+
￥58.76
28+
￥57.29
112+
￥56

有货

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单向ESD 3V截止峰值浪涌电流：3A

型号：MMBZ5V6AL 编号：C19192536

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电（ESD）敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

50+
￥0.1278
500+
￥0.1008
3000+
￥0.0873

有货

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单向ESD 26V截止峰值浪涌电流：0.87A

型号：MMBZ33VAL 编号：C19192541

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电（ESD）敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

20+
￥0.1466
200+
￥0.1142
600+
￥0.0962

有货

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双向ESD 24V截止峰值浪涌电流：9A@8/20us

型号：SM24CANB-02HTG 编号：C7500474

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

SM24CANB-02HTG是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，采用领先的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±15kV，接触放电±8kV。它采用无铅SOT-23封装，旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌影响。

10+
￥0.2565
100+
￥0.2014
300+
￥0.1738
3000+
￥0.1591
6000+
￥0.1426
9000+
￥0.1343

有货

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单向ESD 16V截止峰值浪涌电流：1A

型号：MMBZ20VAL 编号：C19192539

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电（ESD）敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

50+
￥0.1176
500+
￥0.0906
3000+
￥0.0796

有货

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：8A

型号：PESD5V0V1BB 编号：C2985488

封装：SOD-523

品牌：DOWO(东沃)

PESD5V0V1BB是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15 kV，接触放电±8 kV。它采用超小型SOD - 523无铅封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，使PESD5V0V1BB成为保护手机、数码相机、音频播放器及其他众多便携式应用的理想选择。

数据手册

10+
￥0.2476
100+
￥0.192
300+
￥0.1643
3000+
￥0.1559
6000+
￥0.1392
9000+
￥0.1309

有货

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七路达林顿晶体管阵列电路

型号：ULN2003-DW 编号：C47355708

封装：SOP-16

品牌：DOWO(东沃)

ULN2003是单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列，电路内部包含七个独立的达林顿管驱动通道。电路内部设计有续流二极管，可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载。单个达林顿管集电极可输出500mA电流，将多个通道并联还可实现更高的电流输出能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻辑缓冲器。ULN2003的每一路达林顿管串联一个2.7K的基极电阻，在5V的工作电压下可直接与TTL/CMOS电路连接，可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。

5+
￥0.625955 ￥0.6589
50+
￥0.489155 ￥0.5149
150+
￥0.420755 ￥0.4429
500+
￥0.369455 ￥0.3889
2500+
￥0.336965 ￥0.3547
5000+
￥0.31635 ￥0.333

有货

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单向 14.5V截止峰值浪涌电流：1.6A

型号：MMBZ18VAL 编号：C19192538

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电（ESD）敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

50+
￥0.1215
500+
￥0.0946
3000+
￥0.0861

有货

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达林顿晶体管阵列

型号：ULN2803-DW 编号：C47355709

封装：SOP-18

品牌：DOWO(东沃)

ULN2803是单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列，电路内部包含八个独立的达林顿管驱动通道。电路内部设计有续流二极管，可用于驱动继电器、步进电机等电感性负载。单个达林顿管集电极可输出500mA电流，将多个通道并联还可实现更高的电流输出能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻辑缓冲器。ULN2803的每一路达林顿管串联一个2.7K的基极电阻，在5V的工作电压下可直接与TTL/CMOS电路连接，可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器来处理的数据。

5+
￥0.8383
50+
￥0.6559
150+
￥0.5647
500+
￥0.4963

有货

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单向TVS 3.3V截止峰值浪涌电流：25A

型号：SMF3.3A 编号：C283866

封装：SOD-123FL

品牌：DOWO(东沃)

特性：玻璃钝化芯片。具有200W的峰值脉冲功率能力,波形为10/1000μs,重复率(占空比)为0.01%。低泄漏。单向和双向单元。出色的钳位能力。响应时间极快

数据手册

10+
￥0.32
100+
￥0.257
300+
￥0.2246
3000+
￥0.2039
6000+
￥0.1946
9000+
￥0.1883

有货

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双向ESD 5V截止

型号：PESD0402V05 编号：C19626254

封装：0402

品牌：DOWO(东沃)

高分子ESD

50+
￥0.0753
500+
￥0.058
1500+
￥0.0484
10000+
￥0.0452
20000+
￥0.0402
50000+
￥0.0375

有货

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5V截止峰值浪涌电流：30A

型号：SD05C 编号：C1884584

封装：SOD-323

品牌：DOWO(东沃)

SD05C旨在采用单片硅技术，替代手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中的多层压敏电阻，以提供快速响应时间和超低ESD钳位电压，使其成为保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。SD05C符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受±15 kV空气放电和±8 kV接触放电。SD05C采用无铅SOD - 323封装。这些器件与0805 MLV器件占用相同的PCB焊盘面积。

数据手册

20+
￥0.1752
200+
￥0.1374
600+
￥0.1164
3000+
￥0.108
9000+
￥0.0971
21000+
￥0.0912

有货

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双向ESD 12V 7V截止峰值浪涌电流：12A

型号：SM712 编号：C293966

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

特性：400 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。保护两条 7V 至 12V 线路。低电容。低钳位电压。固态硅雪崩技术。 IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV（空气），±8kV（接触）。应用：保护具有扩展共模范围的 RS-485 收发器。安全系统

数据手册

10+
￥0.238
100+
￥0.1852
300+
￥0.1588
3000+
￥0.1514
6000+
￥0.1356
9000+
￥0.1276

有货

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双向ESD 12V 7V截止峰值浪涌电流：12A

型号：PSM712 编号：C293967

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

特性：400瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。保护两条7V至12V线路。低电容。低钳位电压。固态硅雪崩技术。 IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV (空气), ±8kV (接触)。应用：具有扩展共模范围的RS-485收发器保护。安全系统

数据手册

10+
￥0.2827
100+
￥0.2251
300+
￥0.1963
3000+
￥0.1792
6000+
￥0.1619
9000+
￥0.1532

有货

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双向TVS 3.3V截止峰值浪涌电流：22.7A@10/1000us

型号：SMF3.3CA 编号：C22365221

封装：SOD-123FL

品牌：DOWO(东沃)

特性：Glass passivated chip。 200W peak pulse power capability with a 10/1000 μs waveform, repetitive rate (duty cycle): 0.01%。 Low leakage。 Uni and Bidirectional unit。 Excellent clamping capability。 Very fast response time

20+
￥0.1763
200+
￥0.1358
600+
￥0.1133
3000+
￥0.1058
9000+
￥0.0941
21000+
￥0.0878

有货

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双向TVS 3.3V截止峰值浪涌电流：30A@8/20us

型号：DW03D-B-S 编号：C2985478

封装：SOD-323

品牌：DOWO(东沃)

特性：500 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。双向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触，±30kV 空气。应用：基于微处理器的设备。个人数字助理（PDA）

数据手册

10+
￥0.2648
100+
￥0.2072
300+
￥0.1784
3000+
￥0.1664
6000+
￥0.1491
9000+
￥0.1404

有货

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单向ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A

型号：RCLAMP0502B 编号：C2943881

封装：SOT-523

品牌：DOWO(东沃)

RCLAMP0502B是一款超低电容TVS阵列，采用领先的单片硅技术，响应时间快，ESD钳位电压低，是保护电压敏感高速数据线的理想解决方案。RCLAMP0502B电容极低，典型值为0.3pF，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±15kV，接触放电±8kV。该器件采用3引脚无铅SOT - 523封装。小尺寸、低电容和高水平ESD保护的特性使其非常适合用于HDMI、MDDI、天线电路、USB 2.0。

数据手册

10+
￥0.2713
100+
￥0.2185
300+
￥0.1921
3000+
￥0.1646
6000+
￥0.1488
9000+
￥0.1408

有货

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双向TVS 36V截止峰值脉冲电流：114A

型号：SM8S36CA 编号：C314433

封装：DO-218AB

品牌：DOWO(东沃)

AECQ-101

数据手册

1+
￥7.61
10+
￥6.35
30+
￥5.66
100+
￥4.88
750+
￥4.71
1500+
￥4.55

有货

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双向ESD 5V截止

型号：PESD0201V05 编号：C19626253

封装：0201

品牌：DOWO(东沃)

高分子ESD

20+
￥0.1411
200+
￥0.1087
600+
￥0.0907
2000+
￥0.0799
15000+
￥0.0753
30000+
￥0.0703

有货

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双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：30A

型号：SD05C-01FTG 编号：C5299440

封装：SOD-323

品牌：DOWO(东沃)

SD05C-01FTG旨在采用单片硅技术，替代手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中的多层压敏电阻，以提供快速响应时间和超低ESD钳位电压，使其成为保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。SD05C-01FTG符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，可承受±15kV空气放电和±8kV接触放电。SD05C-01FTG采用无铅SOD-323封装，可保护一条单向线路。这些器件与0805 MLV器件占用相同的PCB焊盘面积。

数据手册

20+
￥0.1447
200+
￥0.1123
600+
￥0.0943
3000+
￥0.0847
9000+
￥0.0753
21000+
￥0.0702

有货

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钳位电压77V 1.5焦耳 1210压敏电阻

型号：MVR1210-470G 编号：C2988647

封装：1210

品牌：DOWO(东沃)

数据手册

5+
￥0.8496
50+
￥0.6766
150+
￥0.5902
500+
￥0.5253
3000+
￥0.4868
6000+
￥0.4608

有货

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单向ESD 5V截止峰值脉冲电流：5A@8/20us

型号：RCLAMP0524P 编号：C293965

封装：DFN2510-10L

品牌：DOWO(东沃)

特性：单向四线ESD保护。 60瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。工作电压：5V。低电容：0.2pF (I/O到I/O)。保护四条数据线。低泄漏电流。应用：串行ATA。 PCI Express

数据手册

20+
￥0.1835
200+
￥0.1403
600+
￥0.1163
3000+
￥0.1115
9000+
￥0.099
21000+
￥0.0923

有货

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双向ESD 15V 24V截止峰值浪涌电流：3A

型号：PESD1LIN 编号：C393615

封装：SOD-323

品牌：DOWO(东沃)

特性：350W 峰值脉冲功率 (8/20us)。低钳位电压。工作电压：15/24V。低泄漏电流。RoHS 兼容。保护一条双向线路。应用：LIN 总线保护。汽车应用

数据手册

10+
￥0.2758
100+
￥0.2158
300+
￥0.1858
3000+
￥0.1733
6000+
￥0.1553
9000+
￥0.1463

有货

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双向ESD 24V截止峰值浪涌电流：8A

型号：NUP2105L 编号：C284104

封装：SOT-23

品牌：DOWO(东沃)

双向反向截止电压(Vrwm)：24V@Max 击穿电压(最小值)：26.7V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：8A@8/20us 最大钳位电压：54V

数据手册

10+
￥0.3236
100+
￥0.2564
300+
￥0.2228
3000+
￥0.2088
6000+
￥0.1886
9000+
￥0.1785

有货

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77V 1J

型号：MVR1206-470G 编号：C22355850

封装：1206

品牌：DOWO(东沃)

片式压敏电阻防浪涌功率型

10+
￥0.3982
100+
￥0.316
300+
￥0.275
3000+
￥0.2578
6000+
￥0.2332
9000+
￥0.2209

有货

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海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
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