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首页 > 热门关键词 > 乐山无线电二极管
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符合条件商品:共192981
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LESD3Z5.0T1G系列旨在保护电压敏感元件免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使这些元件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。
数据手册
  • 20+

    ¥0.1543
  • 200+

    ¥0.1246
  • 600+

    ¥0.1081
  • 3000+

    ¥0.08892 ¥0.0936
  • 9000+

    ¥0.08075 ¥0.085
  • 21000+

    ¥0.076285 ¥0.0803
  • 有货
  • 特性:产品材料符合 RoHS 要求且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 通过 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。 低阈值电压(VGS(th):0.5V...1.5V),适用于低电压应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.242
    • 200+

      ¥0.1921
    • 600+

      ¥0.1644
    • 3000+

      ¥0.14041 ¥0.1478
    • 9000+

      ¥0.12673 ¥0.1334
    • 21000+

      ¥0.11932 ¥0.1256
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
    • 20+

      ¥0.3117
    • 200+

      ¥0.2435
    • 600+

      ¥0.2056
    • 3000+

      ¥0.157225 ¥0.1655
    • 9000+

      ¥0.13851 ¥0.1458
    • 21000+

      ¥0.12844 ¥0.1352
  • 有货
  • LESD8D5.0CB1T5G旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间,使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小巧,适用于手机、数码相机和许多其他电路板空间有限的便携式应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0546
    • 500+

      ¥0.0438
    • 1500+

      ¥0.0378
    • 10000+

      ¥0.0325
    • 20000+

      ¥0.0293
  • 有货
  • LESD5Z5.0CT1G旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0883
    • 500+

      ¥0.069
    • 1500+

      ¥0.0584
    • 5000+

      ¥0.0467
    • 25000+

      ¥0.0411
  • 有货
  • 特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0908
    • 500+

      ¥0.0706
    • 3000+

      ¥0.059
    • 6000+

      ¥0.0523
    • 24000+

      ¥0.0464
  • 有货
  • LESD5Z2.5T1G系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使这些器件非常适合用于电路板空间有限的设计中的ESD保护。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1073
    • 500+

      ¥0.0886
    • 3000+

      ¥0.0779
    • 6000+

      ¥0.0717
    • 24000+

      ¥0.0663
  • 有货
  • LESD8LL5.0T5G 旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于 ESD 保护。由于其尺寸小,适用于手机、MP3 播放器、数码相机和许多其他电路板空间有限的便携式应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.117
    • 500+

      ¥0.0954
    • 1500+

      ¥0.0834
    • 10000+

      ¥0.0691
    • 20000+

      ¥0.0628
  • 有货
  • 特性:VDS = -20V。 RDS(ON) ≤ 70mΩ, @VGS = -4.5V, IDS = -4.7A。 RDS(ON) ≤ 110mΩ, @VGS = -2.5V, IDS = -1.0A。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力。 人体模型静电放电(ESD)等级为0级(<100V)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3406
    • 100+

      ¥0.2688
    • 300+

      ¥0.2329
    • 3000+

      ¥0.19418 ¥0.2044
    • 6000+

      ¥0.173755 ¥0.1829
    • 9000+

      ¥0.163495 ¥0.1721
  • 有货
  • 是一款NPN硅外延晶体管,专为甚高频(VHF)、超高频(UHF)和有线电视(CATV)频段的低噪声放大器而设计。具有动态范围和良好的电流特性。S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AFC-C101标准且具备PRAP能力。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4138
    • 100+

      ¥0.3316
    • 300+

      ¥0.2905
    • 3000+

      ¥0.246715 ¥0.2597
    • 6000+

      ¥0.22325 ¥0.235
    • 9000+

      ¥0.211565 ¥0.2227
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压。 高集电极电流能力。 高集电极电流增益。 由于发热少,效率高。 所需印刷电路板 (PCB) 面积小。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序 (PPAP) 能力
    数据手册
    • 5+

      ¥1.511
    • 50+

      ¥1.2306
    • 150+

      ¥1.1104
    • 1000+

      ¥0.912475 ¥0.9605
    • 2000+

      ¥0.849015 ¥0.8937
    • 5000+

      ¥0.81092 ¥0.8536
  • 有货
  • N沟道,60V,0.38A, 2.3Ω@10V
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1029
    • 500+

      ¥0.0793
    • 3000+

      ¥0.0663
    • 6000+

      ¥0.0584
  • 有货
    • 50+

      ¥0.1103
    • 500+

      ¥0.086
    • 3000+

      ¥0.068
    • 6000+

      ¥0.0599
  • 有货
  • BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中消除了它们。在该系列中,两个互补的BRT器件封装在SOT-363封装中,这对于电路板空间有限的低功率表面贴装应用来说是理想的。简化电路设计,减少电路板空间,减少组件数量。产品材料符合RoHS要求且无卤素。S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2265
    • 200+

      ¥0.1776
    • 600+

      ¥0.1504
    • 3000+

      ¥0.1341
  • 有货
  • BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管;一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。两个互补的 BRT 器件封装在 SOT-363 封装中,非常适合电路板空间有限的低功耗表面贴装应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2391
    • 200+

      ¥0.1932
    • 600+

      ¥0.1677
    • 3000+

      ¥0.1524
    • 9000+

      ¥0.1392
  • 有货
  • BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中,消除了这些组件。两个 BRT 器件封装在 SOT-363 封装中,非常适合对电路板空间要求较高的低功耗表面贴装应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2747
    • 200+

      ¥0.2186
    • 600+

      ¥0.1875
    • 3000+

      ¥0.1636
  • 有货
  • 特性:RDS(ON) ≤ 1.4Ω,Vgs@-10V。 RDS(ON) ≤ 1.5Ω,Vgs@-4.5V。 快速开关速度。 低RDS(on)沟槽技术。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。应用:PoE电源设备。 PoE受电设备
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7356
    • 50+

      ¥0.6
    • 150+

      ¥0.5321
    • 500+

      ¥0.45714 ¥0.4812
    • 3000+

      ¥0.418475 ¥0.4405
    • 6000+

      ¥0.39919 ¥0.4202
  • 有货
  • 特性:高电流。 三种电流增益选择。 高功率耗散能力。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过 AEC-Q101 认证并具备 PPAP 能力
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8236
    • 50+

      ¥0.6675
    • 150+

      ¥0.5895
    • 500+

      ¥0.50445 ¥0.531
    • 2500+

      ¥0.399095 ¥0.4201
    • 4000+

      ¥0.376865 ¥0.3967
  • 有货
  • 特性:低导通电阻(RDS(on))沟槽技术。 低热阻。 快速开关速度。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件。应用:电源路由。 DC/DC转换
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4353
    • 50+

      ¥1.1919
    • 150+

      ¥1.0875
    • 500+

      ¥0.90953 ¥0.9574
    • 2500+

      ¥0.82688 ¥0.8704
    • 4000+

      ¥0.79382 ¥0.8356
  • 有货
  • 特性:引脚成型,适用于塑料套管中的表面贴装应用。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1504
    • 50+

      ¥1.718
    • 150+

      ¥1.5327
    • 500+

      ¥1.236425 ¥1.3015
    • 2500+

      ¥1.138575 ¥1.1985
    • 5000+

      ¥1.07996 ¥1.1368
  • 有货
  • NPN 40V 600mA 丝印2X 功能与管脚顺序同长电的MMBT4401
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0791
    • 500+

      ¥0.0618
    • 3000+

      ¥0.0495
    • 6000+

      ¥0.0437
  • 有货
  • 特性:小封装大电流容量,集电极电流(IC)= 1.5A。 外延平面型。 NPN互补。 提供无铅封装。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0915
    • 500+

      ¥0.0704
    • 3000+

      ¥0.0583
    • 6000+

      ¥0.0513
    • 24000+

      ¥0.0452
  • 有货
  • BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中消除了它们。在该系列中,两个互补的BRT器件封装在SOT-363封装中,这对于电路板空间有限的低功率表面贴装应用来说是理想的。简化电路设计,减少电路板空间,减少组件数量。产品材料符合RoHS要求且无卤素。S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2496
    • 200+

      ¥0.1972
    • 600+

      ¥0.1681
    • 3000+

      ¥0.1426
  • 有货
  • VREF=2.5V,VO=2.5V~36V,精度0.5%,引脚顺序同长电的CJ431
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2537
    • 200+

      ¥0.1955
    • 600+

      ¥0.1631
    • 3000+

      ¥0.136515 ¥0.1437
  • 有货
  • 特性:超低泄漏:nA级别。 低钳位电压。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力。应用:CAN总线保护。 汽车应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4131
    • 100+

      ¥0.3207
    • 300+

      ¥0.2745
    • 3000+

      ¥0.227905 ¥0.2399
    • 6000+

      ¥0.20159 ¥0.2122
    • 9000+

      ¥0.188385 ¥0.1983
  • 有货
  • 特性:VDS = -30V,RDS(ON) ≤ 25mΩ,VGS@-10V,IDS@-7.3A。 RDS(ON) ≤ 38mΩ,VGS@-4.5V,IDS@-5.9A。 低RDS(ON)沟槽技术。 低热阻。 快速开关速度。 产品材料符合RoHS要求且无卤。应用:负载开关。 DC/DC转换
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8461
    • 50+

      ¥0.6833
    • 150+

      ¥0.6019
    • 500+

      ¥0.51376 ¥0.5408
    • 2500+

      ¥0.437475 ¥0.4605
    • 4000+

      ¥0.414295 ¥0.4361
  • 有货
  • 特性:产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。S 前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。通过 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力
    数据手册
    • 5+

      ¥1.616
    • 50+

      ¥1.274
    • 150+

      ¥1.1275
    • 500+

      ¥0.89737 ¥0.9446
    • 2500+

      ¥0.82004 ¥0.8632
    • 4000+

      ¥0.773585 ¥0.8143
  • 有货
  • 特性:集电极电流能力:IC = 500 mA。 集电极-发射极电压:VCEO(max) = 45 V。 通用开关和放大。 PNP 互补:LBC807 系列。 产品材料符合 RoHS 要求
    数据手册
    • 50+

      ¥0.119
    • 500+

      ¥0.0956
    • 3000+

      ¥0.0765
    • 6000+

      ¥0.0687
  • 有货
  • 特性:产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2189
    • 200+

      ¥0.1755
    • 600+

      ¥0.1515
    • 3000+

      ¥0.1197 ¥0.126
    • 9000+

      ¥0.107825 ¥0.1135
    • 21000+

      ¥0.101365 ¥0.1067
  • 有货
  • 这款新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-723封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
    • 20+

      ¥0.2321
    • 200+

      ¥0.1781
    • 600+

      ¥0.1481
    • 2000+

      ¥0.1301
    • 11000+

      ¥0.1145
    • 22000+

      ¥0.1061
  • 有货
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