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首页 > 热门关键词 > 雷卯电子二极管
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描述
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操作
ESD 24V截止
型号：ESD3Z24C 编号：C5224362
封装：SOD-323
品牌：Leiditech(雷卯电子)
特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：24V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC 61000-4-5（雷电）9A（8/20μs）。应用：USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视
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    ESD 3.3V截止
    型号：CPDV3V3-HF 编号：C5210986
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：3.3V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±15kV 接触放电：±8kV。 -IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC61000-4-5（Lightning）25A（8/20μs）。应用：USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视
    数据手册

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    低电容四阵列ESD保护
    型号：NUP4108W5 编号：C5116449
    封装：SOT-353
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±25kV。IEC 61000-4-5（闪电）6A（8/20μs）。 RoHS合规。应用：计算机。 打印机
    数据手册

    • 5+

      ￥0.471075 ￥0.6281

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    低电容四阵列ESD保护
    型号：UMD5V-705 编号：C5116453
    封装：SOT-353
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±25kV。 IEC 61000-4-5（浪涌）6A（8/20μs）。 符合RoHS标准。应用：计算机。 打印机
    数据手册

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      ￥0.471075 ￥0.6281

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    低电容四阵列ESD保护
    型号：WS05MF 编号：C5116454
    封装：SOT-353
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±30kV 接触放电：±25kV。 IEC61000-4-5（闪电）6A（8/20μs）。 RoHS合规。应用：计算机。 打印机
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      ￥0.471075 ￥0.6281

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    3.3V
    型号：BV03C 编号：C5173262
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：400W 峰值脉冲功率（8/20μs）。 超低电容：典型值 0.6pF。 超低泄漏：nA 级别。 低工作电压：3.3V。 低钳位电压。 保护一条电源线或数据线。应用：USB 端口。 智能手机
    数据手册

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    4线超低电容TVS阵列
    型号：LM-AZC299-02S 编号：C49332774
    封装：SOT-23-6
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 最多保护四条数据线和一条电源线。 JEDEC SOT-23 6L封装。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试。应用：USB 2.0电源和数据线保护。 数字视频接口（DVI）

    • 5+

      ￥0.495018 ￥0.5562

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    P沟道增强型MOSFET 耐压:30V 电流:5A
    型号：DMG3130LQ 编号：C3040113
    封装：SOT-23
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    DMG3130LQ 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷，并可在低至 2.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关或PWM应用。
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    • 5+

      ￥0.495825 ￥0.6611

    • 50+

      ￥0.395025 ￥0.5267

    • 150+

      ￥0.344625 ￥0.4595

    • 500+

      ￥0.306825 ￥0.4091

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      ￥0.264 ￥0.352

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      ￥0.24885 ￥0.3318
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    P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:5A
    型号：NVTR4502P 编号：C3040110
    封装：SOT-23
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    NVTR4502P采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
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    • 5+

      ￥0.495825 ￥0.6611

    • 50+

      ￥0.395025 ￥0.5267

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      ￥0.344625 ￥0.4595

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      ￥0.264 ￥0.352

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      ￥0.24885 ￥0.3318
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    ESD 24V截止
    型号：SDD32C24L01 编号：C5224360
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：24V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD)抗扰度测试。 -空气放电：±30kV。 -接触放电：±30kV。应用：USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视
    数据手册

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      ￥0.50354 ￥0.5924

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    • 3000+

      ￥0.274635 ￥0.3231

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      ￥0.258825 ￥0.3045
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    ESD 3.3V截止
    型号：RLSD32A031C 编号：C5210990
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：3.3V。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±15kV 接触放电：±8kV。IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。IEC61000-4-5（Lightning）25A（8/20μs）。应用：USB 2.0电源和数据线。机顶盒和数字电视
    数据手册

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      ￥0.50558 ￥0.5948

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      ￥0.24072 ￥0.2832
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    ESD 3.3V截止
    型号：S3301TE 编号：C5173277
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：400W 峰值脉冲功率 (8/20 μs)。 超低电容：典型值 0.6pF。 超低泄漏：nA 级别。 低工作电压：3.3V。 低钳位电压。 保护一条电源线或数据线。应用：USB 端口。 智能手机
    数据手册

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      ￥0.2556 ￥0.3408
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    3.3V
    型号：ZXLC03CW 编号：C5173285
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：400W 峰值脉冲功率（8/20μs）。 超低电容：典型值 0.6pF。 超低泄漏：nA 级别。 低工作电压：3.3V。 低钳位电压。 保护一条电源线或数据线。应用：USB 端口。 智能手机
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      ￥0.51135 ￥0.6818

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    ESD 15V截止
    型号：UCD32C15L01 编号：C5187130
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：15V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC 61000-4-5（雷电）10A（8/20μs）。应用：USB端口。 SIM端口
    数据手册

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    12V
    型号：TAB12LC 编号：C5187124
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：350W峰值脉冲功率 (8/20 μs)。 超低电容：典型值1.0 pF。 超低泄漏：nA级别。 低钳位电压。 保护一条电源线或数据线。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试：空气放电 ±30 kV，接触放电 ±30 kV。应用：USB端口。 SIM端口
    数据手册

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      ￥0.5235 ￥0.698

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    ESD 15V截止
    型号：TAB15LC 编号：C5187133
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：15V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC 61000-4-5（雷电）10A（8/20μs）。应用：USB端口。 SIM端口
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    ESD 12V截止
    型号：YSBLC12C 编号：C5187121
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：350W 峰值脉冲功率 (8/20μs)。 超低电容：典型值 1.0pF。 超低泄漏：nA 级别。 低钳位电压。 保护一条电源线或数据线。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试。应用：USB 端口。 SIM 端口
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    ESD 12V截止
    型号：ESDBKV12VD3 编号：C5187113
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：350W峰值脉冲功率 (8/20μs)。 超低电容：1.0pF（典型值）。 超低泄漏：nA级别。 低钳位电压。 保护一条电源线或数据线。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 。应用：USB端口。 SIM端口
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    ESD 12V截止
    型号：KGBLC12CI-LF-T7 编号：C5187116
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：350W峰值脉冲功率 (8/20μs)。 超低电容：典型值1.0pF。 超低泄漏：nA级。 低钳位电压。 保护一条电源线或数据线。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD)抗扰度测试：空气放电±30kV，接触放电±30kV。应用：USB端口。 SIM端口
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    ESD 15V截止
    型号：PDWB0150R8 编号：C5187128
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：15V。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。IEC 61000-4-5（Lightning）10A（8/20μs）。应用：USB端口。SIM端口
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    ESD 12V截止
    型号：CPDV12V0-HF 编号：C5187112
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：350W 峰值脉冲功率 (8/20μs)。 超低电容：典型值 1.0pF。 超低泄漏：nA 级别。 低钳位电压。 保护一条电源线或数据线。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试。应用：USB 端口。 SIM 端口
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    ESD 24V截止
    型号：TAB24LC 编号：C5187143
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：24V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC 61000-4-5（雷电）3A（8/20μs）。应用：USB端口。 SIM端口
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    ESD 8V截止
    型号：SEBLC08C 编号：C5187156
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：8V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。IEC 61000-4-5（浪涌）12A（8/20μs）。应用：USB端口。 SIM端口
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    N沟道增强型MOSFET 耐压:20V 电流:6.8A
    型号：SE2312 编号：C3647033
    封装：SOT-23
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    SE2312采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
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    ESD 5V截止
    型号：PESD5V2S2UT 编号：C2972515
    封装：SOT-23
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试。 -空气放电：±30kV。 -接触放电：±30kV。应用：USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视
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    低电容四阵列ESD保护
    型号：DF5A5.6LFU 编号：C5116445
    封装：SOT-353
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电：±30kV，接触放电：±25kV。IEC 61000-4-5（雷电）6A（8/20μs）。 符合RoHS标准。应用：计算机。 打印机
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    60V N沟道增强型MOSFET
    型号：LMTL3N06 编号：C3647056
    封装：SOT-23
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    LMTL3N06采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
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    20V N沟道增强型MOSFET
    型号：IRLML6406 编号：C3647037
    封装：SOT-23
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    IRLML6406采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
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    ESD 5V截止
    型号：ESD05V35T-4L 编号：C5116455
    封装：SOT-353
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试。 -空气放电：±30kV。 -接触放电：±25kV。应用：计算机。 打印机
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    5V
    型号：CPDV5-5V0U-HF 编号：C5116444
    封装：SOT-353
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试。 -空气放电：±30kV。 -接触放电：±25kV。应用：计算机。 打印机
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