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首页 > 热门关键词 > 雷卯电子二极管
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ESD 5V截止
型号：ESD5311X 编号：C5139336
封装：DFN1006-2
品牌：Leiditech(雷卯电子)
特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC 61000-4-5（雷电）4.5A（8/20μs）。应用：智能手机。 显示端口
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ESD 3.3V截止
型号：PJEC3V3M1FN2 编号：C5128405
封装：DFN1006-2
品牌：Leiditech(雷卯电子)
特性：保护一条数据线。 超低泄漏：nA级别。 工作电压：3.3V。 超低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-5（雷电）8A（8/20μs）。应用：手机及配件。 个人数字助理
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    ￥0.169575 ￥0.2261

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    5V
    型号：D5V0M1U2LP3-7 编号：C5116458
    封装：DFN0603-2
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超小封装：0.6×0.3×0.3mm。 低电容。 保护一条数据或电源线。 超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。应用：手机及配件。 个人数字助理
    数据手册

    • 20+

      ￥0.176025 ￥0.2347

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    ESD 3.3V截止
    型号：CPDQC3V3R-HF 编号：C5128408
    封装：DFN1006-2
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：保护一条数据线。 超低泄漏：nA级别。 工作电压：3.3V。 超低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 -IEC61000-4-5（闪电）8A（8/20μs）。应用：手机及配件。 个人数字助理
    数据手册

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    3.3V截止 峰值浪涌电流：35A@8/20us
    型号：LM-SDA3311CDN 编号：C42421523
    封装：DFN1006-2
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超小封装：1.0×0.6×0.5mm。 超低电容：典型值50pF。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：3.3V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用：手机及配件。 个人数字助理

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      ￥0.181115 ￥0.2035

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    ESD 24V截止
    型号：SPHV24-01ETG 编号：C2972462
    封装：DFN1006-2
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超小封装：1.0x0.6x0.5mm。保护一条数据线或电源线。超低泄漏：nA级别。工作电压：24V。低钳位电压。2引脚无铅封装。应用：手机及配件。个人数字助理
    数据手册

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      ￥0.191261 ￥0.2149

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    ESD 5V截止
    型号：AZ5725-01F 编号：C5144814
    封装：DFN1006-2
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超小封装：1.0×0.6×0.5mm。 超低电容：典型值15pF。 超低泄漏：纳安级别。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用：手机及配件。 个人数字助理
    数据手册

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      ￥0.209684 ￥0.2356

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    ESD 5V截止
    型号：ESD5D05CA 编号：C5246189
    封装：SOD-523
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±30kV 接触放电：±30kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC 61000-4-5（Lightning）8A（8/20µs）。应用：USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视
    数据手册

    • 10+

      ￥0.218673 ￥0.2457

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    ESD 5V截止
    型号：ESD5V3U1U-02LRH 编号：C2972483
    封装：DFN1006-2
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试：空气放电 ±25kV，接触放电 ±20kV。 -IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)。 -IEC 61000-4-5 (Lightning) 5A (8/20ns)。应用：USB 2.0 电源和数据线。 机顶盒和数字电视
    数据手册

    • 10+

      ￥0.22095 ￥0.2946

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      ￥0.112125 ￥0.1495
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    ESD 3.3V截止
    型号：ESD241-B1-W0201 编号：C5180019
    封装：DFN0603-2
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：3.3V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电±30kV，接触放电±30kV。IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。IEC61000-4-5（雷电）10A（8/20μs）。应用：手机及配件。 个人数字助理
    数据手册

    • 10+

      ￥0.22575 ￥0.301

    • 100+

      ￥0.179625 ￥0.2395

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      ￥0.1566 ￥0.2088

    • 1000+

      ￥0.13935 ￥0.1858

    • 5000+

      ￥0.119775 ￥0.1597

    • 10000+

      ￥0.1128 ￥0.1504
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    ESD 5V截止
    型号：LM-TPD4EUSB30DQAR 编号：C5310711
    封装：DFN2510-10
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低电容：典型值0.3pF（I/O到I/O）。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 最多保护4条线路。 无铅直插式封装。应用：HDMI 1.3、1.4和2.0，USB 2.0和3.0以及MDDI端口。 10/100/1000以太网
    数据手册

    • 10+

      ￥0.247475 ￥0.2605

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      ￥0.238355 ￥0.2509

    • 1000+

      ￥0.23465 ￥0.247
  • 有货
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    ESD 5V截止
    型号：CPDQC5V0CSP-HF 编号：C5128432
    封装：DFN1006-2
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC 61000-4-5（Lightning）4.5A（8/20μs）。应用：智能手机。 显示端口
    数据手册

    • 10+

      ￥0.269581 ￥0.3029

    • 100+

      ￥0.21449 ￥0.241

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      ￥0.186989 ￥0.2101

    • 1000+

      ￥0.166341 ￥0.1869

    • 5000+

      ￥0.143023 ￥0.1607

    • 10000+

      ￥0.134746 ￥0.1514
  • 有货
    • 立即购买
    ESD 3.3V截止
    型号：L35L3V3CB2 编号：C5173271
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：400W 峰值脉冲功率 (8/20 μs)。 超低电容：典型值 0.6pF。 超低泄漏：nA 级别。 低工作电压：3.3V。 低钳位电压。 保护一条电源线或数据线。应用：USB 端口。 智能手机
    数据手册

    • 5+

      ￥0.283275 ￥0.3777

    • 50+

      ￥0.276975 ￥0.3693

    • 150+

      ￥0.27285 ￥0.3638

    • 500+

      ￥0.26865 ￥0.3582
  • 有货
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    TVS 7V截止 峰值浪涌电流：30.9A
    型号：P4SMFJ7.0A 编号：C4555463
    封装：SOD-123
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    P4SMFJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.286705 ￥0.3373

    • 100+

      ￥0.227545 ￥0.2677

    • 300+

      ￥0.197965 ￥0.2329

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      ￥0.168385 ￥0.1981

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    • 9000+

      ￥0.14178 ￥0.1668
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    N沟道增强型场效应晶体管
    型号：LM-L2N7002LT1G 编号：C5353604
    封装：SOT-23
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    Trench Power MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2886

    • 100+

      ￥0.2262

    • 300+

      ￥0.195
  • 有货
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    ESD 3.3V截止
    型号：CPDH3V3-HF 编号：C5272725
    封装：SOD-523
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：3.3V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电±30kV，接触放电±30kV。IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。IEC 61000-4-5（雷电）9A（8/20μs）。应用：计算机接口保护。 微处理器保护
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2892 ￥0.3856

    • 100+

      ￥0.2304 ￥0.3072

    • 300+

      ￥0.201 ￥0.268

    • 3000+

      ￥0.1716 ￥0.2288

    • 6000+

      ￥0.153975 ￥0.2053

    • 9000+

      ￥0.1452 ￥0.1936
  • 有货
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    TVS 3.3V截止
    型号：CPDV3V3A-HF 编号：C5173266
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：400W 峰值脉冲功率 (8/20 μs)。 超低电容：典型值 0.6pF。 超低泄漏：nA 级别。 低工作电压：3.3V。 低钳位电压。 保护一条电源线或数据线。应用：USB 端口。 智能手机
    数据手册

    • 10+

      ￥0.32385 ￥0.4318

    • 100+

      ￥0.2577 ￥0.3436

    • 300+

      ￥0.2247 ￥0.2996

    • 3000+

      ￥0.191625 ￥0.2555

    • 6000+

      ￥0.171825 ￥0.2291

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      ￥0.16185 ￥0.2158
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    ESD 3.3V截止
    型号：LAD52C03L01 编号：C5272729
    封装：SOD-523
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：3.3V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC 61000-4-5（Lightning）9A（8/20μs）。应用：计算机接口保护。 微处理器保护
    数据手册

    • 10+

      ￥0.325635 ￥0.3831

    • 100+

      ￥0.258995 ￥0.3047

    • 300+

      ￥0.225675 ￥0.2655

    • 3000+

      ￥0.192355 ￥0.2263

    • 6000+

      ￥0.17238 ￥0.2028

    • 9000+

      ￥0.16235 ￥0.191
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    N沟道增强型功率MOSFET
    型号：NTA7002NT1G 编号：C5349369
    封装：SOT-523
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动，适用于便携式设备。 易于设计驱动电路。 易于并联。应用：接口。 开关
    数据手册

    • 10+

      ￥0.34143 ￥0.3594

    • 100+

      ￥0.26847 ￥0.2826

    • 300+

      ￥0.23199 ￥0.2442

    • 3000+

      ￥0.20463 ￥0.2154

    • 6000+

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    • 9000+

      ￥0.17176 ￥0.1808
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    30V N沟道增强型MOSFET
    型号：DMN3028LQ 编号：C3647051
    封装：SOT-23
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    DMN3028LQ采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.358425 ￥0.4779

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    • 150+

      ￥0.245025 ￥0.3267

    • 500+

      ￥0.216675 ￥0.2889

    • 3000+

      ￥0.1878 ￥0.2504

    • 6000+

      ￥0.1764 ￥0.2352
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    ESD 5V截止
    型号：TPD4S009DBVRG4 编号：C2972543
    封装：SOT-26
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：5V。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±20kV，接触放电 ±20kV。IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。IEC 61000-4-5（Lightning）5A（8/20μs）。应用：USB 2.0电源和数据线。机顶盒和数字电视
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    TVS 5V截止
    型号：AZC099-04S 编号：C5210971
    封装：SOT-26
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：5V。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试 空气放电：±20kV 接触放电：±20kV。IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。IEC61000-4-5（Lightning）5A（8/20μs）。应用：USB 2.0电源和数据线。机顶盒和数字电视
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    ESD 5V截止
    型号：LM-GESD0524P 编号：C5310670
    封装：DFN2510-10
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低电容：典型值0.3pF（I/O到I/O）。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 最多保护4条线路。 无铅直插式封装。应用：HDMI 1.3、1.4和2.0、USB 2.0和3.0以及MDDI端口。 10/100/1000以太网
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    ESD 5V截止
    型号：IP4220CZ6 编号：C5289060
    封装：SOT-26
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：5V。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±20kV，接触放电 ±20kV。IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。IEC 61000-4-5（雷电）5A（8/20μs）。应用：USB 2.0电源和数据线。机顶盒和数字电视
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    双向TVS 24V截止 峰值浪涌电流：5.1A
    型号：SMF24CA 编号：C782877
    封装：SOD-123FL
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    极性Bidirectional峰值脉冲电流5.1A箝位电压38.9V,击穿电压26.7V反向关断电压24V
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    ESD 5V截止
    型号：PESD5V0S1BA 编号：C5211004
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。 工作电压：5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC 61000-4-5（闪电）25A（8/20μs）。应用：USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视
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    ESD 5V截止
    型号：LM-ESDLC0524DFN10 编号：C5310668
    封装：DFN2510-10
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低电容：典型值0.3pF（I/O到I/O）。 超低泄漏：nA级别。 低工作电压：5V。 低钳位电压。 最多保护4条线路。 无铅直插式封装。应用：HDMI 1.3、1.4和2.0、USB 2.0和3.0以及MDDI端口。 10/100/1000以太网
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    ESD 24V截止
    型号：PG24EBUSC 编号：C5224358
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：24V。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试: -空气放电：±30kV。接触放电：±30kV。IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。应用：USB 2.0电源和数据线。机顶盒和数字电视
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    30V N沟道增强型MOSFET
    型号：DMG3402LQ 编号：C3647055
    封装：SOT-23
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    DMG3402LQ采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
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    ESD 12V截止
    型号：UCD32C12L01 编号：C5187123
    封装：SOD-323
    品牌：Leiditech(雷卯电子)
    特性：350W 峰值脉冲功率 (8/20μs)。 超低电容：1.0pF（典型值）。 超低泄漏：nA 级别。 低钳位电压。 保护一条电源线或数据线。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试。应用：USB 端口。 SIM 端口
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