里阳二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：560KD07 编号：C3019477

封装：插件,P=5mm

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。快速响应瞬态过电压。大吸收瞬态能量能力。低钳位比，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、SCR 或 SCR 半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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型号：561KD07 编号：C3019481

封装：插件,P=5mm

品牌：Liown(里阳半导体)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。快速响应瞬态过电压。大吸收瞬态能量能力。低钳位比，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、SCR 或 SCR 半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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型号：681KD07 编号：C3034447

封装：插件,P=5mm

品牌：Liown(里阳半导体)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。快速响应瞬态过电压。大吸收瞬态能量能力。低钳位比，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、SCR 或 SCR 半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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型号：330KD07 编号：C3019432

封装：插件,P=5mm

品牌：Liown(里阳半导体)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。快速响应瞬态过电压。大吸收瞬态能量能力。低钳位比，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、SCR 或 SCR 半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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型号：271KD05 编号：C3019421

封装：插件,P=5mm

品牌：Liown(里阳半导体)

特性：宽工作电压V₁ₘₐ范围为18V至750V。快速响应瞬态过电压。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、SCR或SCR半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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型号：180KD05 编号：C3019399

封装：插件,P=5mm

品牌：Liown(里阳半导体)

特性：宽工作电压V₁ₘₐ范围为18V至750V。快速响应瞬态过电压。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、SCR或SCR半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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型号：181KD07J 编号：C3019402

封装：插件,P=5mm

品牌：Liown(里阳半导体)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。快速响应瞬态过电压。大吸收瞬态能量能力。低钳位比，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、SCR 或 SCR 半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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型号：121KD07 编号：C3019392

封装：插件,P=5mm

品牌：Liown(里阳半导体)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。快速响应瞬态过电压。大吸收瞬态能量能力。低钳位比，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、SCR 或 SCR 半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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型号：471KD07J 编号：C3019463

封装：插件,P=5mm

品牌：Liown(里阳半导体)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。快速响应瞬态过电压。大吸收瞬态能量能力。低钳位比，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、SCR 或 SCR 半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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型号：220KD07 编号：C3019409

封装：插件,P=5mm

品牌：Liown(里阳半导体)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。快速响应瞬态过电压。大吸收瞬态能量能力。低钳位比，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、SCR 或 SCR 半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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型号：471KD05J 编号：C3019462

封装：插件,P=5mm

品牌：Liown(里阳半导体)

特性：宽工作电压V₁ₘₐ范围为18V至750V。快速响应瞬态过电压。大吸收瞬态能量能力。低钳位比且无续流。符合J-STD-020的MSL 1级。工作温度：-40℃至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、SCR或SCR半导体保护。消费电子中的浪涌保护

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型号：LY23EA12 编号：C3034453

封装：SOT-23

品牌：Liown(里阳半导体)

LY23EAXX 是一款单向 TVS 二极管阵列，采用领先的单片硅技术，可实现快速响应时间和低 ESD 钳位电压，使该器件成为保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。它符合 IEC 61000-4-2（ESD）标准，可承受 ±30 kV 空气放电和 ±30 kV 接触放电。该器件采用无铅 SOT-23 封装，旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌的影响。

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型号：560KD07J 编号：C3019478

封装：插件,P=5mm

品牌：Liown(里阳半导体)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。快速响应瞬态过电压。大吸收瞬态能量能力。低钳位比，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、SCR 或 SCR 半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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型号：LY8BC05 编号：C3034459

封装：DFN1006-2

品牌：Liown(里阳半导体)

LY8BAC05是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，空气放电±30kV，接触放电±30kV。它采用超小型无铅DFN1006-2封装。小尺寸和高ESD浪涌保护能力使其成为保护手机、数码相机和许多其他便携式应用的理想选择。

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型号：LY523BA05 编号：C3034454

封装：SOD-523

品牌：Liown(里阳半导体)

LY523BA05是一款单向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000-4-2（ESD）标准，可承受±30 kV空气放电和±30 kV接触放电。它采用无铅SOD-523封装。其体积小巧且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数码相机及其他众多便携式应用设备的理想选择。

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型号：LY03AC5UL 编号：C3019525

封装：DFN1610-2

品牌：Liown(里阳半导体)

LY03AC5UL是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，具备快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受±25kV空气放电和±22kV接触放电。它采用超小型无铅DFN1610 - 2封装。其尺寸小、电容超低且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数字视频接口和其他高速端口的理想选择。

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型号：LY523AC05L 编号：C3019533

封装：SOD-523

品牌：Liown(里阳半导体)

LY523AC05L是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低静电放电（ESD）钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。它符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOD - 523封装。其尺寸小且具备高ESD浪涌保护能力，是保护手机、数码相机和其他众多便携式应用设备的理想选择。

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￥0.10887 ￥0.1146
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型号：180KD07 编号：C3019400

封装：插件,P=5mm

品牌：Liown(里阳半导体)

特性：宽工作电压 (V₁ₘₐ) 范围为 18V 至 820V。快速响应瞬态过电压。大吸收瞬态能量能力。低钳位比，无续流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级。工作温度：-40℃ 至 +85℃。应用：晶体管、二极管、IC、SCR 或 SCR 半导体保护。消费电子产品中的浪涌保护

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￥0.1233
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型号：LY23DC24 编号：C3034452

封装：SOT-23

品牌：Liown(里阳半导体)

LY23DCXX是一款双向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。它符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。该器件采用无铅SOT - 23封装，旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌的影响。

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