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首页 > 热门关键词 > DIP二极管
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      ¥14.18
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  • PC817C 是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。 四引脚封装, 三种形式 ( DIPDIP-M、 SMD)。 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、白色家电等。
    • 20+

      ¥0.167024 ¥0.1898
    • 200+

      ¥0.129008 ¥0.1466
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      ¥0.112024 ¥0.1273
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      ¥0.099352 ¥0.1129
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      ¥0.088352 ¥0.1004
    • 20000+

      ¥0.082368 ¥0.0936
  • 有货
  • PC817A是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。 四引脚封装(DIP4)。广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等.
    • 20+

      ¥0.191452 ¥0.2081
    • 200+

      ¥0.149224 ¥0.1622
    • 600+

      ¥0.124384 ¥0.1352
    • 2000+

      ¥0.110308 ¥0.1199
    • 10000+

      ¥0.098072 ¥0.1066
    • 20000+

      ¥0.09154 ¥0.0995
  • 有货
  • PC817B是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。 四引脚封装, 三种形式 ( DIPDIP-M、 SMD)。 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、白色家电等。
    • 20+

      ¥0.20295 ¥0.2255
    • 200+

      ¥0.16119 ¥0.1791
    • 600+

      ¥0.12312 ¥0.1368
    • 2000+

      ¥0.10917 ¥0.1213
    • 10000+

      ¥0.09711 ¥0.1079
    • 20000+

      ¥0.09063 ¥0.1007
  • 有货
  • 东芝TLP627、TLP627 - 2和TLP627 - 4由砷化镓红外发光二极管与达林顿连接光电晶体管光耦合组成,该光电晶体管集成了基极 - 发射极电阻,以优化开关速度和高温特性。TLP627 - 2采用八引脚塑料双列直插式封装(DIP),提供两个隔离通道;而TLP627 - 4每个封装提供四个隔离通道。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.37
    • 10+

      ¥4.29
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      ¥3.75
    • 100+

      ¥3.21
    • 500+

      ¥2.89
    • 1000+

      ¥2.73
  • 有货
  • EL817C是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。 四引脚封装(DIP4)。广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等.
    • 20+

      ¥0.14877 ¥0.1653
    • 200+

      ¥0.13077 ¥0.1453
    • 600+

      ¥0.12177 ¥0.1353
    • 2000+

      ¥0.11502 ¥0.1278
    • 10000+

      ¥0.10962 ¥0.1218
    • 20000+

      ¥0.10692 ¥0.1188
  • 有货
  • AT817X是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。 四引脚封装 ( DIPDIP-M、 SMD) 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等.
    • 20+

      ¥0.18225 ¥0.2025
    • 200+

      ¥0.14337 ¥0.1593
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      ¥0.11457 ¥0.1273
    • 2000+

      ¥0.10161 ¥0.1129
    • 10000+

      ¥0.09036 ¥0.1004
    • 20000+

      ¥0.08424 ¥0.0936
  • 有货
  • CT1642是一种LED(发光二极管显示器)驱动控制专用电路,内部集成有数字接口、数据锁存器、LED驱动。采用SOP/DIP16封装形式。
    • 5+

      ¥2.1636
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      ¥1.7053
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      ¥1.5089
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      ¥1.2639
    • 2500+

      ¥1.1548
    • 5000+

      ¥1.0893
  • 有货
  • 由与砷化镓 (GaAs) 红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装,具有高隔离电压(交流:5kVRMS (最小值))。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.451
    • 100+

      ¥0.3455
    • 300+

      ¥0.305
    • 1000+

      ¥0.2747
    • 5000+

      ¥0.2504
    • 10000+

      ¥0.2382
  • 有货
  • 4N25、4N26、4N27、4N28、4N35、4N36、4N37、4N38 系列产品采用 AlGaAs 红外发光二极管作为发射极,该发射极与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,封装形式为塑料 DIP6 封装,引脚成型方式多样。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6012
    • 50+

      ¥0.5152
    • 150+

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    • 500+

      ¥0.44
    • 2500+

      ¥0.4142
    • 6500+

      ¥0.4013
  • 有货
  • 结合了铝镓砷红外发射二极管作为发射极,该发射极通过光学方式与塑料DIP6封装中的单片硅随机相光电可控硅耦合,具有不同的引脚成型选项。凭借坚固的共面双模具结构,提供最稳定的隔离特性。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0649
    • 50+

      ¥0.8434
    • 130+

      ¥0.7094
    • 520+

      ¥0.5909
    • 2470+

      ¥0.5382
    • 6500+

      ¥0.5065
  • 有货
  • AT817X是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。 四引脚封装 ( DIPDIP-M、 SMD) 广泛应用于:开关电源、智能电表、工业控制、测量仪器、办公设备、家用电器等.
    • 20+

      ¥0.12942 ¥0.1438
    • 200+

      ¥0.11322 ¥0.1258
    • 600+

      ¥0.09846 ¥0.1094
    • 2000+

      ¥0.09306 ¥0.1034
    • 10000+

      ¥0.08838 ¥0.0982
    • 20000+

      ¥0.08586 ¥0.0954
  • 有货
  • TLP748J由一个光电晶闸管和一个砷化镓红外发光二极管光耦合而成,采用六引脚塑料DIP封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.8
    • 10+

      ¥8.23
    • 30+

      ¥7.25
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      ¥6.24
    • 500+

      ¥5.79
    • 1000+

      ¥5.59
  • 有货
  • 是一款DIP8封装的光电耦合器,由GaAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达100℃的温度下提供有保证的性能和规格。具有内部法拉第屏蔽,可保证±15kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出,可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.11
    • 10+

      ¥5.9
    • 50+

      ¥4.35
    • 100+

      ¥3.59
    • 500+

      ¥3.26
    • 1000+

      ¥3.1
  • 有货
  • 由GaAs发光二极管和集成光电探测器组成,采用6引脚SDIP封装。比8引脚DIP小50%,符合国际安全标准的加强绝缘等级要求,可减少需要安全标准认证设备的安装面积。适用于IGBT或功率MOSFET的栅极驱动电路,尤其能够“直接”驱动低功率IGBT。
    • 1+

      ¥9.49
    • 10+

      ¥7.99
    • 30+

      ¥7.05
    • 100+

      ¥6.08
    • 500+

      ¥5.64
  • 有货
  • 这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层,以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容,光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16 mA时,这些器件的CTR最小为19%。
    • 1+

      ¥10.56
    • 10+

      ¥8.86
    • 30+

      ¥7.79
    • 100+

      ¥6.566 ¥6.7
    • 500+

      ¥6.0858 ¥6.21
    • 1000+

      ¥5.8702 ¥5.99
  • 有货
  • TLP85GB是一款由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。 四引脚封装,三种形式 ( DIPDIP-M、SMD) 。 广泛应用于:开关电源 ,智能电表、可编程控制器、家用电器等。
    • 10+

      ¥0.409464 ¥0.4653
    • 100+

      ¥0.316184 ¥0.3593
    • 300+

      ¥0.273944 ¥0.3113
    • 1000+

      ¥0.242264 ¥0.2753
    • 5000+

      ¥0.21692 ¥0.2465
    • 10000+

      ¥0.20416 ¥0.232
  • 有货
  • 4N25、4N26、4N27、4N28、4N35、4N36、4N37、4N38 系列产品采用 AlGaAs 红外发光二极管作为发射极,该发射极与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,封装形式为塑料 DIP6 封装,引脚成型方式多样。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8119
    • 50+

      ¥0.6399
    • 130+

      ¥0.5539
    • 520+

      ¥0.4894
    • 2470+

      ¥0.4378
    • 5005+

      ¥0.412
  • 有货
  • 是小外形耦合器,适用于表面贴装组装。由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。由于比DIP封装小,适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    • 5+

      ¥1.0921
    • 50+

      ¥0.8652
    • 150+

      ¥0.7679
    • 500+

      ¥0.5773
    • 3000+

      ¥0.5232
    • 6000+

      ¥0.4908
  • 有货
  • 东芝TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓(GaAs)红外发光二极管通过光耦合组成,采用四引脚塑料双列直插式封装(DIP4),具有高隔离电压(交流:5kVRMS(最小值))。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2889
    • 50+

      ¥1.0117
    • 200+

      ¥0.8545
    • 500+

      ¥0.7062
    • 2000+

      ¥0.6402
    • 4000+

      ¥0.6006
  • 有货
  • 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,该发射器与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在一个塑料 DIP-4 封装中。这些耦合装置用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器的引脚间距为 2.54mm,可堆叠使用。选项 6 可实现大于 8mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于最高 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.56
    • 10+

      ¥1.94
    • 30+

      ¥1.67
    • 100+

      ¥1.3034 ¥1.33
    • 500+

      ¥1.1662 ¥1.19
    • 1000+

      ¥1.078 ¥1.1
  • 有货
  • 由一个光控三端双向可控硅与红外发光二极管光耦合,采用六引脚塑料DIP封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.86
    • 10+

      ¥3.08
    • 50+

      ¥2.69
    • 100+

      ¥2.31
    • 500+

      ¥2.08
    • 1000+

      ¥1.96
  • 有货
  • TLP250H 是一款采用 DIP8 封装的光电耦合器,由一个 GaAℓAs 红外发光二极管(LED)和一个集成的高增益、高速光电探测器 IC 芯片通过光耦合组成。它能在高达 125 °C 的温度下保证性能和规格。其内部设有法拉第屏蔽层,可保证 ±40 kV/μs 的共模瞬态抗扰度
    数据手册
    • 1+

      ¥6.56
    • 10+

      ¥5.46
    • 50+

      ¥4.44
    • 100+

      ¥3.76
    • 500+

      ¥3.46
  • 有货
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