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  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳压和限幅电路。齐纳电压根据国际E 24标准分级;用“B”替换后缀“C”可获得±2%的公差。应用:电压稳定
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  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳压和限幅电路。齐纳电压根据国际E 24标准分级;用“B”替换后缀“C”可实现±2%的公差。RoHS合规,无卤。应用:电压稳定
    • 单价:

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    1W稳压二极管 耐压:8.2V 电流:10uA@6V
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  • 1W稳压二极管 耐压:27V 电流:5uA@20.6V
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  • 13V 1W
    数据手册
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  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3至56伏。 通孔器件类型安装。 密封玻璃压缩键合结构。 所有外表面耐腐蚀,引脚易于焊接。 符合RoHS标准。 焊料热浸镀锡(Sn)端子表面处理。 阴极由极性带指示
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2238
    • 200+

      ¥0.1743
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      ¥0.1468
  • 有货
  • 特性:超快反向恢复时间。 低漏电流。 低开关损耗,高效率。 高正向浪涌能力。 玻璃钝化芯片结。应用:用于消费、计算机和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用
    数据手册
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      ¥0.2384
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      ¥0.1879
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  • 特性:高效率。 高电流能力。 高可靠性。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片结。 浸焊温度最高275℃,持续7秒,符合JESD 22-B106标准
    数据手册
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  • 1.3W稳压二极管 耐压:10V 电流:0.5uA
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      ¥0.257255 / 个
    TL@℃75 IFM(Surge)(A)30 trr(ns)50
    数据手册
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  • 特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于高功率额定值的稳压和限幅电路。 齐纳电压根据国际E 24标准分级;将后缀“C”替换为“B”可实现±2%的公差。应用:电压稳定
    • 单价:

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    • 5000+

      ¥0.3201
  • 订货
  • 特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 低功耗、高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 无铅涂层,符合 RoHS 标准
    数据手册
    • 35000+

      ¥0.20388
    • 70000+

      ¥0.200482
    • 140000+

      ¥0.195385
    • 280000+

      ¥0.18689
    特性:硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳压和限幅电路。齐纳电压根据国际 E 24 标准分级;公差为 ±2% 时,将后缀 “C” 替换为 “B”。应用:电压稳定
    数据手册
    • 5+

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    • 50+

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    • 150+

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    • 500+

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    • 2500+

      ¥0.3617
    • 5000+

      ¥0.3411
  • 订货
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    • 50+

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    • 150+

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    • 500+

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    • 2500+

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    • 5000+

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  • 订货
  • 超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管
    数据手册
    • 15000+

      ¥0.7257
    • 30000+

      ¥0.70725
    • 45000+

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    • 90000+

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    • 50+

      ¥0.7911
    • 150+

      ¥0.6963
    • 500+

      ¥0.5781
    • 2500+

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    • 5000+

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