ESC二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MSK4005 编号：C345957

封装：SOD-523

品牌：SHIKUES(时科)

特性：正向电流：IF ≤ 0.5A。反向电压：VR ≥ 40V。极低的正向电压。超小扁平引脚贴片塑料封装。应用：低压整流。高效直流到直流转换

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60+
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型号：BZX584B11 编号：C5293079

封装：SOD-523

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：平面芯片结构。 150mW 功率耗散。齐纳电压范围 2.4-39V

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型号：PJEC5V0M1TS 编号：C5246202

封装：SOD-523

品牌：Leiditech(雷卯电子)

特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：5V。低钳位电压。符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 -IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC61000-4-5（雷电）8A（8/20 μs）。应用：USB 2.0电源和数据线。机顶盒和数字电视

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型号：T0501MD 编号：C5246210

封装：SOD-523

品牌：Leiditech(雷卯电子)

特性：超低泄漏：nA级别。工作电压：5V。低钳位电压。符合以下标准: -IEC 61000-4-2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±30kV，接触放电 ±30kV。 -IEC61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）。 -IEC61000-4-5（Lightning）8A（8/20 μs）。应用：USB 2.0电源和数据线。机顶盒和数字电视

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型号：BZX584C5V6 编号：C5358480

封装：SOD-523

品牌：LGE(鲁光)

特性：稳压二极管电压选择范围大：2.0V-75V。电压容差小：C系列为±5%。超薄封装，适合自动组装。符合MSL 1级标准。应用：通用电压调节。移动和手持系统

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型号：RB520S-40Q 编号：C20168772

封装：SOD-523(SC-79)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。防潮等级1级。 VRRM 40V。 IFAV 200mA。后缀为“Q”的产品符合AEC-Q101标准。应用：汽车

20+
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型号：RB510SM-30T2R 编号：C510334

封装：SOD-523

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小尺寸封装。低正向电压。应用：小电流整流

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型号：1SS388 编号：C5766546

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为0.35A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）仅为5μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达2A，适用于高频整流、信号解调、电源极性保护及低功耗电子设备中的续流与箝位功能。

20+
￥0.2003
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型号：BZX584C5V1-AU_R1_000A1 编号：C5584285

封装：SOD-523

品牌：PANJIT(强茂)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围 2.4V~75V。非常适合自动化组装过程。获得质量体系认证：TS16949。通过 AEC-Q101 认证。符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品。符合 IEC61249 标准的绿色模塑料（无卤）

20+
￥0.2025
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￥0.1593
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￥0.1353

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型号：RB530SM-40FHT2R 编号：C5128274

封装：SOD-523

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小封装类型。低正向电压。应用：小电流整流

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型号：BZX584B15VQ 编号：C20167647

封装：SOD-523(SC-79)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。湿度敏感度等级1。齐纳电压3.6V~36V。 Vz公差：约±2%。人体模式下3类静电放电等级（>16 kV）。应用：一般调节功能

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￥0.2238
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型号：RB531SM-40FHT2R-HXY 编号：C52754599

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为0.35A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）仅为5μA，体现出优异的阻断性能。器件可承受峰值正向浪涌电流（IFSM）达2A，适用于对低功耗和高效率有要求的电源整流、信号检波及保护电路，常见于便携式电子设备与小型电源模块中。

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型号：1PS79SB40-HXY 编号：C52754595

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为0.35A，最大反向电压为40V。其正向压降低至0.6V，有助于减少导通损耗，同时在40V反向电压下漏电流为5μA，具备良好的反向截止特性。器件可承受高达2A的峰值正向浪涌电流，适用于对效率和瞬态响应有一定要求的整流、电源极性保护及高频信号处理等电路应用。

20+
￥0.22591 ￥0.2378
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型号：BZX584B5V6Q 编号：C20167665

封装：SOD-523(SC-79)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。湿度敏感度等级1。齐纳电压3.6V~36V。 Vz公差：约±2%。人体模式下3类静电放电等级（>16 kV）。应用：一般调节功能

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型号：CES388,L3XGF 编号：C7421313

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低正向电压：VF(3) = 0.54V（典型值）。低反向电流：IF(1) = 1μA（最大值）。小型紧凑的ES0封装，相当于SOD-523和SC-79封装。应用：高速开关

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型号：EDZVFHT2R3.3B 编号：C3033172

封装：SC-79

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小模具类型。应用：电压调节

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型号：BAP51-02 编号：C2910112

封装：SOD-523

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低二极管电容。低二极管正向电阻

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10+
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型号：SBAT54XV2T5G-HXY 编号：C52754546

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为0.2A，最大反向电压为30V。其正向压降为0.8V，反向漏电流低至2μA，体现出优异的反向阻断能力。器件可承受0.6A的峰值正向浪涌电流，适用于对功耗和稳定性有要求的低功率电路，如便携式电子设备中的电源整流、信号钳位及高频开关等应用场合。

10+
￥0.268945 ￥0.2831
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型号：SDM03U40-7 编号：C151333

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环芯片结构。适用于低逻辑电平应用。低电容

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10+
￥0.2833
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型号：RB751SM-40FHT2R 编号：C880928

封装：SOD-523

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小封装类型。低电容。应用：高速开关

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型号：BAS70-02V-G3-08 编号：C3313114

封装：SOD-523

品牌：VISHAY(威世)

特性：极低的开启电压和快速开关。采用PN结保护环，防止过电压，如静电放电。有符合AEC-Q101标准的产品。节省空间的SOD-523封装。符合RoHS标准，有商业级产品。符合RoHS标准，有符合AEC-Q101标准的产品

10+
￥0.3229
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￥0.2608
300+
￥0.2297
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￥0.2064

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型号：HBA892 E6327 编号：C22461938

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款射频开关，采用独立式二极管设计，1V正向压降支持100mA电流，直流反向耐压达30V，漏电电流仅20nA，确保信号纯净与系统稳定性，适用于高频通信领域，提供卓越的性能与可靠性。

10+
￥0.323285 ￥0.3895
100+
￥0.255557 ￥0.3079
300+
￥0.221693 ￥0.2671
1000+
￥0.196295 ￥0.2365
5000+
￥0.17596 ￥0.212
8000+
￥0.165834 ￥0.1998

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型号：NSRLL30XV2T5G-HXY 编号：C52754538

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的平均正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.6V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）低至1μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出电路等场景。

10+
￥0.34067 ￥0.3586
100+
￥0.271415 ￥0.2857
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￥0.23674 ￥0.2492
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￥0.21071 ￥0.2218
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￥0.189905 ￥0.1999
9000+
￥0.17955 ￥0.189

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型号：BZT52C22T-7 编号：C460790

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

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10+
￥0.352
100+
￥0.2802
300+
￥0.2443

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型号：BAT41KFILM-HXY 编号：C52754601

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为0.2A，反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）为1.24V，在较高反向耐压下仍保持合理的导通特性；反向漏电流（IR）低至0.5μA，有助于减少静态功耗。器件可承受2A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对反向电压要求较高且需低漏电性能的整流、箝位及开关保护电路。

10+
￥0.356345 ￥0.3751
100+
￥0.28386 ￥0.2988
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￥0.24757 ￥0.2606
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￥0.2204 ￥0.232
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￥0.198645 ￥0.2091
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￥0.187815 ￥0.1977

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型号：SDM20U40Q-7-HXY 编号：C52754612

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流为0.35A，最大反向重复峰值电压达40V。其正向压降典型值为0.6V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流仅为5μA，体现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达2A的非重复性正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有要求的整流、箝位、保护及高频开关电路等场合。

10+
￥0.37202 ￥0.3916
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￥0.2964 ￥0.312
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￥0.258495 ￥0.2721
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￥0.23009 ￥0.2422
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￥0.207385 ￥0.2183
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￥0.19608 ￥0.2064

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型号：BAT5402VH6327XTSA1-HXY 编号：C52754536

封装：SOD-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.8V，在低功耗应用中可有效减少能量损耗。反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出优异的反向阻断特性。器件可承受最大0.6A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源管理、信号整流及保护电路等场景。