GBJ二极管_厂家_价格_品牌_库存

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型号：GBJ35005 编号：C5292680

封装：6GBJ

特性：Io 35A-VRRM 50V-1000V。高浪涌电流能力。玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用

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型号：GBJ2512I 编号：C42380702

封装：GBJ

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降。高电流能力。高浪涌电流能力

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型号：GBJ1508-F 编号：C526639

封装：GBJ

特性：玻璃钝化芯片结构。高外壳介电强度：1500VRMS。低反向漏电流。浪涌过载额定值：240A峰值。适用于印刷电路板应用。 UL列名，认可组件索引，文件编号E94661。无铅涂层/符合RoHS

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型号：GBJ2002 编号：C5292727

封装：6GBJ

特性：Io：20A。 VRRM：50V-1000V。高浪涌电流能力。玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用

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型号：GBJ1008G 编号：C4749004

封装：GBJ

品牌：晶导微电子

特性：极性：如本体标记。额定值达1000V PRV。适用于印刷电路板。采用模塑塑料技术，可靠且成本低。塑料材料具有UL阻燃等级94V-0。安装位置：任意。重量：0.24盎司，6.79克

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型号：GBJ3510 编号：C5457029

封装：GBJ

品牌：SY(顺烨)

整流桥直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：35A 正向压降(Vf)：1.1V@17.5A 正向浪涌电流(Ifsm)：400A

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型号：GBJ2502 编号：C5292685

封装：6GBJ

特性：Io 25A-VRRM 50V-1000V。高浪涌电流能力。玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用

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型号：GBJ3510I 编号：C42380618

封装：GBJ

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降。高电流能力。高浪涌电流能力

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型号：GBJ1502-F 编号：C91352

封装：GBJ

特性：玻璃钝化芯片结构。高外壳介电强度：1500VRMS。低反向漏电流。浪涌过载额定值：240A峰值。适用于印刷电路板应用。 UL列名，认可组件索引，文件编号E94661。无铅涂层/符合RoHS

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型号：S-GBJ2008F-TU-LT 编号：C266407

封装：GBJ

特性：额定值达1000V PRV。适用于印刷电路板。正向压降小，电流承载能力高。采用模塑塑料技术，结构可靠且成本低，产品价格实惠。塑料材料具有UL 94V-0阻燃等级。 UL认证编号：E95060

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型号：GBJ2010-F 编号：C151578

封装：GBJ

特性：玻璃钝化芯片结构。高外壳介电强度：最小1500VRMS。低反向漏电流。浪涌过载额定值达240A峰值。适用于印刷电路板应用。 UL认证，文件编号E94661。无铅表面处理/符合RoHS标准

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型号：GBJ1510A 编号：C22397282

封装：GBJ

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型号：GBJ2510I 编号：C42380617

封装：GBJ

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降。高电流能力。高浪涌电流能力

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型号：GBJ2510 编号：C122749

封装：GBJ

全自动组焊工艺

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型号：GBJ1506-F 编号：C155306

封装：GBJ

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型号：GBJ1006 编号：C49005970

封装：GBJ

品牌：baocheng(宝乘)

直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：10A 正向压降(Vf)：1.1V@5A 反向电流(Ir)：10μA@600V 正向浪涌电流(Ifsm)：200A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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型号：GBJ3502 编号：C499778

封装：GBJ

品牌：SMC(桑德斯)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降。高电流能力。高浪涌电流能力。塑料材料，UL 可燃性 94V-0。这是无铅器件。所有 SMC 部件可追溯到晶圆批次。可应要求提供额外测试

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型号：GBJ2001-F 编号：C150764

封装：GBJ

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型号：GBJ2002-F 编号：C5245165

封装：GBJ

特性：玻璃钝化芯片结构。高外壳介电强度：最小1500VRMS。低反向漏电流。浪涌过载额定值达240A峰值。适用于印刷电路板应用。 UL认证，文件编号E94661。无铅表面处理/符合RoHS标准

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型号：GBJ604-F 编号：C5245171

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型号：GBJ3510-F 编号：C705327

封装：GBJ

特性：玻璃钝化芯片结构。高外壳介电强度：2500VRMS。低反向漏电流。浪涌过载额定值：峰值400A。适用于印刷电路板应用。无铅表面处理；符合RoHS标准

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型号：GBJ2006-F 编号：C154918

封装：GBJ