KBL二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：KBL610-MS 编号：C51928012

封装：KBL

此款KBL610MS是一款KBL扁桥封装整流桥堆，平均正向整流电流6A、反向峰值电压1000V，适配中功率负载与220V市电场景，其内置GPP 芯片，导通压降低、漏电流小（25℃时 10μA），且 - 55℃至 150℃宽温稳定、模压封装散热好、无氧铜引脚抗氧化，可用于中功率开关电源、大功率LED驱动、家电整流滤波、笔记本/电动工具充电器及中小型太阳能逆变器前端整流。

5+
￥1.0911
50+
￥0.8643
150+
￥0.7671
500+
￥0.6458

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型号：KBL610 编号：C7507385

封装：KBL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款半导体器件是一款采用KBL封装技术的高耐压整流桥，专为大电流、高效能应用场景设计。其核心参数包括VR最高耐受电压1000V，确保在严苛高压环境下也能保持稳定运行；VF特性表现为1.1V@6A，即使在6A满载电流下，仍能维持超低压降，极大提高能源转换效率与节能效果；额定输出电流IO达到6A，提供强劲且持久的电力处理能力。适用于各类高端电源系统、逆变器等大电流电子设备，是提升整体性能和可靠性的理想元件选择。

5+
￥1.3495
50+
￥1.0816
150+
￥0.9668
500+
￥0.7214
2500+
￥0.6576
5000+
￥0.6194

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型号：KBL608 编号：C22440646

封装：KBL

品牌：JUXING(钜兴)

正向压降(Vf) 1.1V@6A 直流反向耐压(Vr) 800V 平均整流电流(Io) 6A 反向电流(Ir) 10uA@800V 正向浪涌电流(Ifsm) 150A 工作温度 -55℃~+150℃@(Tj)

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￥1.41379 ￥1.4882
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￥1.11017 ￥1.1686
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￥0.98002 ￥1.0316
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￥0.817665 ￥0.8607
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￥0.74537 ￥0.7846
5000+
￥0.701955 ￥0.7389

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型号：KBL406 编号：C7427845

封装：KBL

品牌：NH(纽航)

直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：4A 正向压降(Vf)：1.1V@4A 正向浪涌电流(Ifsm)：120A

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￥1.4297
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￥1.1172
150+
￥0.9833
700+
￥0.8414
2800+
￥0.767
4900+
￥0.7223

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型号：KBL606 编号：C49326450

封装：KBL

品牌：XUMAO(旭茂微)

84MIL

5+
￥1.4402
50+
￥1.1408
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￥1.0125

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型号：KBL410 编号：C5292716

封装：KBL

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：Io 4A-VRRM 50V-1000V。高浪涌电流能力。玻璃钝化芯片。应用：通用单相桥式整流器应用

数据手册

5+
￥1.8724
50+
￥1.4944
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￥1.3324
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￥1.1303

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型号：KBL608 编号：C698556

封装：KBL

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：UL 认证，文件编号 E230084。适用于印刷电路板。高浪涌电流能力。应用：开关电源、家用电器、办公设备、工业自动化应用中的交流/直流桥式全波整流通用用途

数据手册

5+
￥2.3048
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￥1.8599
150+
￥1.6693

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型号：KBL406 编号：C7507382

封装：KBL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款采用KBL封装的整流桥半导体器件，专注于高效低耗能应用。主要特性包括VR耐压高达600V，确保在中高压条件下稳定运行；VF值为1.1V@4A，即使在4A的工作电流下，仍能保持较低的电压降，有效提升系统效率和节能表现；额定电流IO为4A，提供稳定强大的电流转换能力。广泛应用于各类电源、逆变器等电子设备中，是优化系统性能与可靠性的理想之选。

5+
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型号：KBL606 编号：C7507384

封装：KBL

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款半导体器件为KBL封装的高性能整流桥，专为高电流、低损耗应用设计。其关键参数包括VR最大值600V，确保在中高压环境下稳定工作；VF表现为1.1V@6A，意味着即使在满载电流6A时，其压降仍控制在极低水平，有效提高能效和降低热损耗；额定输出电流IO为6A，提供强大而持久的电力转换性能。适用于各类电源供应、逆变器等大电流电子设备，是提升系统效能及可靠性的理想组件选择。