P600二极管_厂家_价格_品牌_库存

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型号：10A1 编号：C2992783

封装：R-6

品牌：MDD(辰达半导体)

1+
￥0.96
200+
￥0.3716
500+
￥0.3585
1000+
￥0.352

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型号：P6A8G 编号：C20602694

封装：R-6

品牌：YANGJIE(扬杰)

1+
￥1.8469
200+
￥0.7369
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￥0.7123
1000+
￥0.7001

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型号：P6A6G 编号：C20602693

封装：R-6

品牌：YANGJIE(扬杰)

1+
￥1.9356
200+
￥0.7724
500+
￥0.7466
1000+
￥0.7338

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型号：P6A1G 编号：C20602690

封装：R-6

品牌：YANGJIE(扬杰)

1+
￥1.9356
200+
￥0.7724
500+
￥0.7466
1000+
￥0.7338

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型号：10SQ050TA 编号：C3758628

封装：R-6

品牌：SMC(桑德斯)

1+
￥2.1464
200+
￥0.8307
500+
￥0.8015
1000+
￥0.7871

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型号：10SQ050 编号：C3758243

封装：R-6

品牌：SMC(桑德斯)

1+
￥2.3611
200+
￥0.9137
500+
￥0.8816
1000+
￥0.8658

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型号：ST1545AX 编号：C3760193

封装：R-6

品牌：SMC(桑德斯)

1+
￥2.5338
200+
￥0.9806
500+
￥0.9461
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￥0.9291

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型号：SK20H45 编号：C3758764

封装：R-6

品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

1+
￥5.64
200+
￥2.18
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￥2.11
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￥2.07

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型号：SR1502 编号：C3757604

封装：R-6

品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

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￥10.25
200+
￥3.97
500+
￥3.83
1000+
￥3.76

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型号：BZW50-33B 编号：C262879

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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￥11.49
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￥9.53
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￥8.31
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型号：5KP43A 编号：C41374259

封装：R-6(P-600)

品牌：BORN(伯恩半导体)

5000W插件 43V TVS二极管

1+
￥3.69
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￥2.96
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￥2.59

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型号：BZW50-39 编号：C1665984

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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1+
￥9.75 ￥13
10+
￥7.7155 ￥11.87
30+
￥6.138 ￥11.16
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￥5.7365 ￥10.43
500+
￥5.555 ￥10.1
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￥5.478 ￥9.96

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型号：5KP30CA 编号：C53243829

封装：R-6

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；反向截止电压(Vrwm) 30V; 钳位电压(VC)48.4V@103.31A; 击穿电压（VBR）:33.3V-36.8V ; 峰值脉冲功率(Ppp) 5kW; 反向电流(Ir):2uA

1+
￥2.02
10+
￥1.97
30+
￥1.94
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￥1.91

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型号：5KP36A 编号：C53243827

封装：R-6

品牌：LGE(鲁光)

二极管配置独立式；反向截止电压(Vrwm) 36V; 钳位电压(VC)58.1V@86.06A; 击穿电压（VBR）:40.0V-44.2V ; 峰值脉冲功率(Ppp) 5kW; 反向电流(Ir):2uA

1+
￥2.02
10+
￥1.97
30+
￥1.94
100+
￥1.91

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型号：BZW50-15B 编号：C1665808

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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1+
￥3.8688 ￥7.44
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￥2.6124 ￥6.22
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￥1.776 ￥5.55
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￥1.536 ￥4.8

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型号：BZW50-150B 编号：C1665965

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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￥10.88
10+
￥10.61
30+
￥10.42

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型号：BZW50-39B 编号：C1665924

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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￥22.35
10+
￥19.18
30+
￥17.29

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型号：BZW50-150 编号：C1665943

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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1+
￥23.84
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￥20.56
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￥18.61

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型号：BZW50-33 编号：C1665818

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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￥15.31
10+
￥14.98
30+
￥14.76

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型号：BZW50-180B 编号：C500653

封装：R-6

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护电压敏感设备，如MOS技术和低压供电的IC。

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1+
￥13.87
10+
￥13.53
30+
￥13.3

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型号：BZW50-27 编号：C1665821

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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￥14.95
10+
￥14.64
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￥14.43

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型号：BZW50-22B 编号：C3712845

封装：R-6

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

1+
￥19.04
10+
￥18.63
30+
￥18.35

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型号：BZW50-100B 编号：C2965327

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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1+
￥24.23
10+
￥20.9
30+
￥18.92

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型号：BZW50-56B 编号：C2970751

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

1+
￥43.52
10+
￥37.76
30+
￥34.25

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型号：BZW50-18 编号：C3711442

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

1+
￥46.19
10+
￥40.08
30+
￥36.35

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型号：BZW50-27B 编号：C1665786

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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1+
￥21.71
10+
￥18.73
30+
￥16.95

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型号：BZW50-120B 编号：C1665823

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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￥44.05
10+
￥38.22
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￥34.66

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型号：BZW50-56 编号：C1665846

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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￥55.44
10+
￥48.1
30+
￥43.63

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型号：BZW50-180 编号：C1665819

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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单价：
￥6.735118 / 个

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型号：5KP33CA 编号：C48971742

封装：R-6

品牌：R+O(宏嘉诚)

5KP 系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。

1+
￥3.55
10+
￥2.88
30+
￥2.55
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