1.2nH高频电感_厂家_价格_品牌_库存

型号：LQP03TN1N2C02D 编号：C206450

封装：0201

品牌：muRata(村田)

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50+
￥0.0434
500+
￥0.0424
1500+
￥0.0418
5000+
￥0.0412

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型号：ASDCL1608C1N2STDF 编号：C2846485

封装：0603

品牌：Sunlord(顺络)

特性：迭层独石结构、高度可靠性。高自谐频率。良好的可焊性和耐焊性。AEC-Q200D认证。应用：车载信息娱乐系统。PKE

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型号：MHQ1005P1N2BT000 编号：C445745

封装：0402

品牌：TDK

特性：独特的陶瓷材料和结构可实现与空心绕线电感器相当的高Q特性。多层方法可实现电感的精细增量排列。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

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5+
￥1.09
50+
￥0.8508
150+
￥0.7483
500+
￥0.6204
2500+
￥0.5634
5000+
￥0.5293

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型号：MGCI0603H1N2ST-LF 编号：C280965

封装：0201

品牌：microgate(麦捷科技)

特性：独石结构,高可靠性。高自谐振频率。良好的可焊性和耐焊性。应用：通讯产品的射频模块。GSM、CDMA、PDC手机

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50+
￥0.0159
500+
￥0.0156
1500+
￥0.0153

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型号：VHF060303HQ1N2CT 编号：C485789

封装：0201

品牌：FH(风华)

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100+
￥0.0188
1000+
￥0.0141
3000+
￥0.0116

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型号：MLG1005S1N2ST000 编号：C98765

封装：0402

品牌：TDK

特性：采用多层烧结工艺,将陶瓷和导电材料制成先进的单片结构,适用于高频应用。工作温度范围:-55°C至+125°C。应用：智能手机、平板终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及移动通信行业的其他高频电路

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10000+
￥0.02796
30000+
￥0.026795
90000+
￥0.026096
120000+
￥0.02563

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型号：MLG0603P1N2BT000 编号：C307706

封装：0201

品牌：TDK

特性：高频电路用高Q值电感。电感范围:0.6至120nH,以0.1nH为步进。与现有产品相比,尺寸大幅减小,适合细间距电路。优化配置,使Q值在800MHz及以上大幅提高。采用陶瓷和导电材料通过多层烧结工艺形成先进的单片结构,适用于高频。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器及其他移动通信行业的高频电路

1+
￥0.044474
100+
￥0.037062
1000+
￥0.025782
5000+
￥0.022564
10000+
￥0.019621

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型号：LQG15HS1N2C02D 编号：C2043447

封装：0402

品牌：muRata(村田)

适用于一般电子设备的片式线圈(片式电感器)。

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20+
￥0.2193
200+
￥0.1728
600+
￥0.147
2000+
￥0.1315
10000+
￥0.118
20000+
￥0.1108

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型号：VHF060303HQ1N2ST 编号：C211311

封装：0201

品牌：FH(风华)

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100+
￥0.0198
1000+
￥0.0149
3000+
￥0.0123
15000+
￥0.0111
45000+
￥0.0095

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型号：MLG1608B1N2ST000 编号：C87537

封装：0603

品牌：TDK

特性：是将高频用陶瓷材料和导电体材料加以积层,烧制而成的完全单片式结构。应用：智能手机。平板终端

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20+
￥0.2183
200+
￥0.1714
600+
￥0.1453
4000+
￥0.1296
8000+
￥0.1161
20000+
￥0.1088

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型号：MGCI1608H1N2ST-LF 编号：C281021

封装：0603

品牌：microgate(麦捷科技)

特性：独石结构,高可靠性。高自谐振频率。良好的可焊性和耐焊性。应用：通讯产品的射频模块。GSM、CDMA、PDC手机

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50+
￥0.0848
500+
￥0.0659
1500+
￥0.0554
4000+
￥0.0491
24000+
￥0.0436
48000+
￥0.0406

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型号：MLK0603L1N2ST000 编号：C2683201

封装：0201

品牌：TDK

特性：采用千兆螺旋层压结构,可获得比MLG结构更高的自谐振频率,同时限制GHz频段Q值的下降。采用陶瓷和高频导电材料通过多层烧结工艺形成整体结构,无方向性。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块(PA、VCO、FEM等)、蓝牙、W-LAN、UWB、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

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20+
￥0.1299
200+
￥0.1024
600+
￥0.0871

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型号：LQP03HQ1N2B02D 编号：C237382

封装：0201

品牌：muRata(村田)

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20+
￥0.2663
200+
￥0.2131
600+
￥0.1835
2000+
￥0.1658
15000+
￥0.1504
30000+
￥0.1421

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型号：FHW0402UC1N2KST 编号：C317662

封装：0402

品牌：FH(风华)

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1+
￥0.4661
10+
￥0.3673
30+
￥0.3179

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型号：MLK1005S1N2ST000 编号：C275321

封装：0402

品牌：TDK

特性：采用千兆螺旋层压结构,在限制GHz频段Q值下降的同时,可获得比MLG结构更高的自谐振频率。采用多层陶瓷和高频导电材料的烧结工艺形成整体结构,无方向性。工作温度范围:-55至+125°C。应用：智能手机、平板电脑终端、高频模块(PA、VCO、FEM等)、蓝牙、无线局域网、超宽带、调谐器和其他移动通信行业的高频电路

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