数字三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：UMH10N 编号：C48995606

封装：SOT-363

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

数字晶体管

10+
￥0.267804 ￥0.3114
100+
￥0.213366 ￥0.2481
300+
￥0.186104 ￥0.2164
3000+
￥0.165636 ￥0.1926
6000+
￥0.149296 ￥0.1736
9000+
￥0.141126 ￥0.1641

有货

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型号：DTC143TMT2L 编号：C2909282

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，且完全消除寄生效应。操作只需设置开/关条件，使电路设计简单。无铅/符合RoHS标准。应用：开关电路。反相器电路

数据手册

20+
￥0.3068
200+
￥0.2555
600+
￥0.227
2000+
￥0.2099

有货

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型号：UMC3N 编号：C147854

封装：SOT-353-5

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：两个晶体管内置在一个封装中。适用于电源开关电路。可将安装成本和面积减半

数据手册

10+
￥0.322
100+
￥0.2615
300+
￥0.2312
3000+
￥0.188

有货

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型号：ADTA114ECAQ-7 编号：C5245702

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。内置偏置电阻，R1 = R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

10+
￥0.3631
100+
￥0.2885
300+
￥0.2512
1000+
￥0.2233
5000+
￥0.2009

有货

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型号：DDTC143ZCAQ-13-F 编号：C526543

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。有互补PNP类型（DDTA）。内置偏置电阻，R1≠R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。可提供PPAP文件

数据手册

10+
￥0.369376 ￥0.3808
100+
￥0.269265 ￥0.3095
300+
￥0.210826 ￥0.2738
1000+
￥0.190267 ￥0.2471
5000+
￥0.173789 ￥0.2257
10000+
￥0.16555 ￥0.215

有货

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型号：PDTC143XU,115 编号：C454944

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

数据手册

10+
￥0.3729
100+
￥0.2915
300+
￥0.2509
3000+
￥0.2204
6000+
￥0.1959
9000+
￥0.1837

有货

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型号：DDTA123ECA-7-F 编号：C5124974

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型（DDTC）。内置偏置电阻，R1 = R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

数据手册

10+
￥0.3956
100+
￥0.3184
300+
￥0.2798
3000+
￥0.2412

有货

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型号：MMUN2212LT1G 编号：C232612

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。

数据手册

10+
￥0.4414
100+
￥0.355
300+
￥0.3118
3000+
￥0.2638

有货

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型号：EMH4T2R 编号：C3588692

封装：EMT-6

品牌：ROHM(罗姆)

特性：两个DTC114T芯片采用EMT、UMT或SMT封装。可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。晶体管元件相互独立，消除干扰。可将贴装成本和面积降低一半。应用：逆变器。接口

数据手册

5+
￥0.4482
50+
￥0.3498
150+
￥0.3006
500+
￥0.2637
2500+
￥0.2342

有货

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型号：PUMH11,115-JSM 编号：C53114172

封装：SOT-363

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE)：30@5mA,5V

10+
￥0.4535
100+
￥0.3613
300+
￥0.3151
3000+
￥0.2805

有货

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型号：DDC123JU-7-F 编号：C156383

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

双 NPN 预偏压式

数据手册

5+
￥0.5536
50+
￥0.4408
150+
￥0.3845
500+
￥0.3422
3000+
￥0.3084

有货

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型号：PBRN113ET,215 编号：C551811

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

NPN低VCEsat性能基极（PB）配备电阻的晶体管（RET），采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。PNP互补型号为PBRP113ET。

数据手册

5+
￥0.5844
50+
￥0.4721
150+
￥0.416
500+
￥0.374
3000+
￥0.3169
6000+
￥0.3001

有货

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型号：DRDNB16W-7 编号：C117854

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。一个包中包含一个晶体管和一个开关二极管。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，是“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7786
50+
￥0.6122
150+
￥0.5291
500+
￥0.4667

有货

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型号：BCR08PNH6327XTSA1 编号：C672122

封装：SOT-363-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路。封装内有两个（电流）内部隔离的NPN/PNP晶体管。内置偏置电阻NPN和PNP (R₁ = 2.2 kΩ, R₂ = 47 kΩ)。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101认证

5+
￥0.9962
50+
￥0.8136
150+
￥0.7224
500+
￥0.6213 ￥0.654
3000+
￥0.56924 ￥0.5992
6000+
￥0.54321 ￥0.5718

有货

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型号：PEMD10,115 编号：C552402

封装：SOT-666-6

品牌：Nexperia(安世)

采用表面贴装器件（SMD）塑料封装的带电阻器晶体管（RET），包括NPN和PNP型。

数据手册

5+
￥1.1139
50+
￥0.8771
150+
￥0.7755
500+
￥0.6489
2500+
￥0.5925
4000+
￥0.5586

有货

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型号：RN1426(TE85L,F) 编号：C5186058

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于开关、逆变器电路、接口电路和驱动电路应用。

5+
￥1.1311
50+
￥0.8915
150+
￥0.7888
500+
￥0.6607
2500+
￥0.6036

有货

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型号：PBLS4003Y,115 编号：C551798

封装：SOT-363

品牌：Nexperia(安世)

PNP低VCEsat小信号突破（BISS）晶体管和NPN电阻式晶体管（RET）封装在一个封装中。

数据手册

1+
￥2.59
10+
￥2.02
30+
￥1.77
100+
￥1.46
500+
￥1.33
1000+
￥1.25

有货

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型号：MMUN2211LT1G-MS 编号：C52287378

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款MMUN2211LT1G-MS是一款NPN型数字晶体管，集成10kΩ基极与发射极偏置电阻网络，采用SOT-23超小封装，核心参数适配效能：50V耐压满足低压系统需求，100mA电流承载小功率负载，应用场景精准：适用于消费电子逻辑开关、信号放大电路，及物联网设备低功耗控制单元，简化电路设计并降低成本。