数字三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：DTC114EE 编号：C2980144

封装：SOT-523

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

数据手册

20+
￥0.1473
200+
￥0.1187
600+
￥0.1027
3000+
￥0.089
9000+
￥0.0807

有货

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型号：PDTC143ZT 编号：C52817167

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

20+
￥0.1724
200+
￥0.1338
600+
￥0.1123
3000+
￥0.0994
9000+
￥0.0883

有货

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型号：DTC043ZEBTL 编号：C96459

封装：SOT-416FL

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = 4.7kΩ，R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计更简单。互补PNP类型。应用：反相器。接口

数据手册

20+
￥0.176
200+
￥0.1406
600+
￥0.121
3000+
￥0.0964

有货

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型号：UMH3N 编号：C20611976

封装：SOT-363

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款数字晶体管采用先进的SOT-363封装，内置一对互补NPN型晶体管。器件提供50V的集射极击穿电压（Vceo）及0.1A的最大集电极电流（Ic），功率耗散能力为150mW。其卓越的低饱和电压特性，在5mA集电极电流和0.25mA基极电流时，VCE(sat)仅为300mV，同时拥有出色的直流电流增益，hFE在1mA/5V条件下范围达100至600。此外，该晶体管具有高达250MHz的截止频率(fT)，确保高速开关性能。适用于各类低功耗、高速数字电路设计，如逻辑门电路、信号放大器等应用场合，以其小巧体积与优越电气性能满足现代电子设备精细化需求。

10+
￥0.29124 ￥0.3236
100+
￥0.23679 ￥0.2631
300+
￥0.20952 ￥0.2328
3000+
￥0.18099 ￥0.2011
6000+
￥0.16461 ￥0.1829
9000+
￥0.15651 ￥0.1739

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型号：PDTA114EMB,315 编号：C552037

封装：SOT-883-3

品牌：Nexperia(安世)

PNP 配备电阻的晶体管，采用无铅超小 DFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。NPN 互补型号为 PDTC114EMB。

数据手册

10+
￥0.4049
100+
￥0.321
300+
￥0.279
1000+
￥0.240172 ￥0.2476
5000+
￥0.215728 ￥0.2224
10000+
￥0.203506 ￥0.2098

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型号：PUMH13,115 编号：C426875

封装：SOT-363

品牌：Nexperia(安世)

NPN/NPN双电阻晶体管（RET），采用表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥0.5667
50+
￥0.4549
150+
￥0.399
500+
￥0.34629 ￥0.357
3000+
￥0.313795 ￥0.3235
6000+
￥0.297499 ￥0.3067

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型号：HMMUN2233LT1G 编号：C22396410

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款数字晶体管，内置1个预偏置NPN结构，特别适合数字电路应用。集射极击穿电压高达50V，保证了良好的安全性与稳定性。集电极电流能力达到100mA，功率消耗低至246mW，非常适用于低功耗、高效能的电子设计，如逻辑电路、信号放大及电源管理模块。它的小巧高效，为您的电子创新项目提供可靠动力，提升系统性能。

50+
￥0.1161
500+
￥0.0904
3000+
￥0.0762
6000+
￥0.0676
24000+
￥0.0602
51000+
￥0.0562

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型号：DTC143ZCA 编号：C20611973

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款NPN型数字晶体管采用紧凑的SOT-23封装，适用于低功耗数字电路设计。该器件具有50V的最大集射极电压(Vcc)，可承受0.1A的连续输出电流(Io)，功率消耗仅为0.2W，确保高效能与节能表现。此外，其内置精密电阻网络，其中R1设定为4.7Ω，并且R1/R2比例为10，有助于简化外围电路设计和提高系统稳定性。这款晶体管凭借小巧体积、优异电气性能及集成电阻特性，广泛应用于逻辑门电路、信号切换以及其他各类精密电子设备中。

20+
￥0.121885 ￥0.1283
200+
￥0.09652 ￥0.1016
600+
￥0.082365 ￥0.0867
3000+
￥0.07315 ￥0.077
9000+
￥0.065835 ￥0.0693
21000+
￥0.061845 ￥0.0651

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型号：DTA114ECA 编号：C2910190

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

数据手册

20+
￥0.1393
200+
￥0.1115
600+
￥0.0961
3000+
￥0.0868
9000+
￥0.0788

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型号：DTC114WCA 编号：C62724

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

数据手册

20+
￥0.141
200+
￥0.1129
600+
￥0.0973
3000+
￥0.0828
9000+
￥0.0747

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型号：DTA143EE 编号：C47283703

封装：SOT-523

品牌：TWGMC(迪嘉)

晶体管类型: PNP 集电极电流(Ic): 100mA 集射极击穿电压(Vceo): 50V 耗散功率(Pd): 150mW

20+
￥0.1463
200+
￥0.115
600+
￥0.0976
3000+
￥0.0871
9000+
￥0.0781

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型号：DTC143ZETL 编号：C111728

封装：SOT-416

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = 4.7kΩ，R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计简单。互补PNP类型：DTA143Z系列。应用：反相器。接口

数据手册

20+
￥0.1514
200+
￥0.1195
600+
￥0.1018
3000+
￥0.0862
9000+
￥0.077
21000+
￥0.0721

有货

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型号：BCR133 编号：C52817063

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

20+
￥0.1756
200+
￥0.1362
600+
￥0.1144
3000+
￥0.1013

有货

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型号：DTC114EUAT106 编号：C14303

封装：SC-70-3

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计。应用：逆变器。接口

数据手册

20+
￥0.192
200+
￥0.1451
600+
￥0.1191
3000+
￥0.1035
9000+
￥0.0899

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型号：LMUN5335DW1T1G 编号：C172431

封装：SOT-363

品牌：LRC(乐山无线电)

预偏置

数据手册

20+
￥0.2214
200+
￥0.1749
600+
￥0.1491
3000+
￥0.1336
9000+
￥0.1202

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型号：PDTC115EM,315 编号：C552164

封装：SOT-883-3

品牌：Nexperia(安世)

NPN电阻式晶体管（封装详情见“简化外形、符号和引脚图”）。

数据手册

10+
￥0.3483
100+
￥0.2859
300+
￥0.2547
1000+
￥0.222048 ￥0.2313
5000+
￥0.189984 ￥0.1979
10000+
￥0.18096 ￥0.1885

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型号：DTC124EE 编号：C48995510

封装：SOT-523

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款数字晶体管属于NPN型，具有稳定的电气性能，适用于多种电路设计。能够在中低压环境下提供可靠的开关作用或信号放大功能。适合驱动小型负载或者作为信号级放大元件，在音频处理、通信设备以及消费电子产品的小信号控制中有着广泛的应用。

20+
￥0.118422 ￥0.1377
200+
￥0.09288 ￥0.108
600+
￥0.07869 ￥0.0915
3000+
￥0.070176 ￥0.0816
9000+
￥0.06278 ￥0.073
21000+
￥0.058824 ￥0.0684

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型号：DTC143ZKA 编号：C51315356

封装：SOT-23-3L

品牌：CBI(创基)

20+
￥0.135
200+
￥0.1048
600+
￥0.088
3000+
￥0.0779

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型号：DTA114EKAT146 编号：C111712

封装：SOT-346

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 10kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计变得简单。互补NPN类型。应用：反相器。接口

数据手册

20+
￥0.1924
200+
￥0.1497
600+
￥0.126
3000+
￥0.1118
9000+
￥0.0995

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型号：LMUN5311DW1T1G 编号：C2905405

封装：SOT-363

品牌：LRC(乐山无线电)

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中消除了它们。在该系列中，两个互补的BRT器件封装在SOT-363封装中，这对于电路板空间有限的低功率表面贴装应用来说是理想的。简化电路设计，减少电路板空间，减少组件数量。产品材料符合RoHS要求且无卤素。S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。

数据手册

20+
￥0.2243
200+
￥0.1758
600+
￥0.1489
3000+
￥0.1328
9000+
￥0.1188

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型号：MMUN2211LT3G 编号：C150229

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

数据手册

20+
￥0.2267
200+
￥0.1817
600+
￥0.1567
2000+
￥0.1417
10000+
￥0.1287

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型号：DTC144EM 编号：C5311016

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单个组件集成到一个器件中，消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-723 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

数据手册

20+
￥0.2476
200+
￥0.1941
600+
￥0.1644
2000+
￥0.1466
8000+
￥0.122
16000+
￥0.1136

有货

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型号：DTC114EM 编号：C5311017

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管；一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-723 封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

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