数字三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：EMD22 编号：C20607688

封装：SOT-563

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：封装中包含DTA143Z芯片和DTC143Z芯片。可使用SOT-563自动贴装机进行贴装。晶体管元件相互独立，无干扰。可将贴装成本和面积减半

10+
￥0.3405
100+
￥0.2657
300+
￥0.2282

有货

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型号：UMD12NTR 编号：C123063

封装：SOT-363

品牌：ROHM(罗姆)

特性：一个封装中包含DTC144E芯片和DTA144E芯片。内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，电路设计简单。无铅，符合RoHS标准。应用：反相器电路。接口电路

数据手册

10+
￥0.343656 ￥0.4773
100+
￥0.28332 ￥0.3935
300+
￥0.253224 ￥0.3517
3000+
￥0.20844 ￥0.2895
6000+
￥0.190368 ￥0.2644
9000+
￥0.181296 ￥0.2518

有货

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型号：NSBC144EDXV6T1G 编号：C895116

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。

数据手册

5+
￥0.349314 ￥0.8317
50+
￥0.23472 ￥0.7335
150+
￥0.152108 ￥0.6914
500+
￥0.140558 ￥0.6389
2500+
￥0.13541 ￥0.6155
4000+
￥0.132308 ￥0.6014

有货

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型号：MUN5232DW1T1G 编号：C463830

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个单晶体管及两个电阻组成的单片偏置网络。串行基极电阻和基极电阻。该 BRT 无需这些独立组件，它们已集成到单个器件中。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。

数据手册

10+
￥0.3778
100+
￥0.2952
300+
￥0.2539
3000+
￥0.223
6000+
￥0.1982
9000+
￥0.1858

有货

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型号：MUN5233DW1T1G 编号：C182463

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。

数据手册

10+
￥0.3907
100+
￥0.3162
300+
￥0.2789
3000+
￥0.2432
6000+
￥0.2208
9000+
￥0.2096

有货

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型号：ADTA143ECAQ-7 编号：C526355

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。内置偏置电阻，R1 = R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

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5+
￥0.40677 ￥0.6258
50+
￥0.275385 ￥0.5007
150+
￥0.19719 ￥0.4382
500+
￥0.176085 ￥0.3913
3000+
￥0.15921 ￥0.3538
6000+
￥0.150795 ￥0.3351

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型号：LMUN5232DW1T1G 编号：C5273166

封装：SC-88

品牌：LRC(乐山无线电)

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中，消除了这些组件。两个BRT器件封装在SOT-363封装中，适用于对电路板空间要求较高的低功率表面贴装应用。

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5+
￥0.4455
50+
￥0.349
150+
￥0.3007
500+
￥0.2646
3000+
￥0.2356
6000+
￥0.2211

有货

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型号：PDTB143ETR 编号：C552140

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

PNP电阻型晶体管（RET）系列采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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10+
￥0.4534
100+
￥0.3705
300+
￥0.3291
3000+
￥0.276192 ￥0.2877
6000+
￥0.252288 ￥0.2628
9000+
￥0.240384 ￥0.2504

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型号：RN4907,LXGF 编号：C5381792

封装：SOT-363

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。采用US6封装（6引脚超小型），包含两个器件。集成偏置电阻，减少所需外部部件数量，可减小系统尺寸和组装时间。应用：开关。逆变器电路

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10+
￥0.4653
100+
￥0.3693
300+
￥0.3213

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型号：DTD543ZETL 编号：C5157674

封装：SOT-416

品牌：ROHM(罗姆)

特性：VcE(sat)低于传统产品。内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。应用：反相器。接口

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10+
￥0.466
100+
￥0.3729
300+
￥0.3264

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型号：DDC114YU-7-F 编号：C151389

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补PNP类型（DDA）。内置偏置电阻。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。 DDC（XXXX）UQs适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

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10+
￥0.5504
100+
￥0.4472
300+
￥0.3956

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型号：RN1306,LF 编号：C17287336

封装：SC-70

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有广泛电阻值的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2301至RN2306互补。应用：开关。逆变器电路

5+
￥0.6589
50+
￥0.5149
150+
￥0.4429
500+
￥0.3889

有货

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型号：ACX114EUQ-7R 编号：C526354

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。内置偏置电阻。表面贴装封装，适合自动组装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

5+
￥0.6918
50+
￥0.5633
150+
￥0.4991
500+
￥0.4509

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型号：DTA115EETL 编号：C308673

封装：SOT-723

品牌：ROHM(罗姆)

特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 100kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件，使电路设计简单。互补NPN类型。应用：反相器。接口

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1+
￥1.2317
10+
￥1.0981
30+
￥1.0408
100+
￥0.9694
500+
￥0.9376
1000+
￥0.7763

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型号：DTC143EE 编号：C5186020

封装：SOT-523

品牌：Slkor(萨科微)

特性：内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作，使设备设计变得容易

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20+
￥0.05292 ￥0.1323
200+
￥0.04104 ￥0.1026
600+
￥0.03444 ￥0.0861
3000+
￥0.02916 ￥0.0729
9000+
￥0.02572 ￥0.0643
21000+
￥0.02388 ￥0.0597

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型号：DTC143ZCA 编号：C49384254

封装：SOT-23

品牌：HT(金誉)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

50+
￥0.05605 ￥0.059
500+
￥0.054815 ￥0.0577
3000+
￥0.05396 ￥0.0568
6000+
￥0.0532 ￥0.056

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型号：MUN2233 编号：C51883366

封装：SOT-23

品牌：Huixin(慧芯)

晶体管类型：NPN，集电极电流：100mA，集射极击穿电压：50V，耗散功率：246mW，适用于线性及开关应用。

20+
￥0.063448 ￥0.0721
200+
￥0.06204 ￥0.0705
600+
￥0.06116 ￥0.0695
3000+
￥0.060192 ￥0.0684

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型号：MUN2232 编号：C49435591

封装：SOT-23

品牌：Huixin(慧芯)

晶体管类型：NPN，集电极电流：100mA，集射极击穿电压：50V，耗散功率：246mW，适用于线性及开关应用。

20+
￥0.063448 ￥0.0721
200+
￥0.06204 ￥0.0705
600+
￥0.06116 ￥0.0695
3000+
￥0.060192 ￥0.0684

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型号：DTC114EKA 编号：C51315340

封装：SOT-23-3L

品牌：CBI(创基)

特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。操作只需设置开/关条件，便于设备设计

20+
￥0.0682
200+
￥0.0666
600+
￥0.0655

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型号：HDTD123YCT116 编号：C42389368

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款数字晶体管为NPN类型，具备50V的集射极击穿电压（Vceo），能够在高压条件下稳定工作。它支持高达100mA的集电极电流（Ic），适用于多种电子线路中的信号放大与开关功能。该晶体管的最大功率耗散（Pd）为200mW，有助于有效管理热损耗，确保在各类消费电子产品和通信设备中的可靠性和长寿命使用。

20+
￥0.08019 ￥0.0891
200+
￥0.07848 ￥0.0872
600+
￥0.07731 ￥0.0859
3000+
￥0.07614 ￥0.0846

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型号：DTC143ECA 编号：C5155448

封装：SOT-23

品牌：Slkor(萨科微)

特性：外延平面管芯结构。有互补PNP类型（DTA）。内置偏置电阻，R₁ = R₂。也有无铅版本。应用：NPN型数字晶体管

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20+
￥0.0918
200+
￥0.0897
600+
￥0.0884
3000+
￥0.084

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型号：PDTC115TT,215 编号：C552171

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

NPN 电阻型晶体管。

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20+
￥0.09532 ￥0.2383
200+
￥0.05634 ￥0.1878
600+
￥0.03194 ￥0.1597
3000+
￥0.02858 ￥0.1429
9000+
￥0.02566 ￥0.1283
21000+
￥0.02408 ￥0.1204

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型号：BRMUN5314WS 编号：C22400487

封装：SOT-363

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

SOT-363 塑封封装 NPN+PNP 数字三极管；50V 0.1A

50+
￥0.1014
500+
￥0.079
3000+
￥0.0665

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型号：DTC124EE-MS 编号：C3018927

封装：SOT-523

品牌：MSKSEMI(美森科)

晶体管类型：1个NPN-预偏置功率(Pd)：200mW 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)：3V@20mA,0.3V 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)：300mV@100uA,5V 输出电压(VO(on)@Io/Ii)：300mV@50mA,2.5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@5mA,10V

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