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首页 > 热门关键词 > 数字三极管
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50V 100mA
型号：UMD22N 编号：C2910265
封装：SOT-363
品牌：CJ(江苏长电/长晶)
特性：封装中包含DTA143Z芯片和DTC143Z芯片。 可使用SOT-363自动贴装机进行安装。 晶体管元件相互独立，无干扰。 可将安装成本和面积减半
数据手册

  • 10+

    ￥0.3638

  • 100+

    ￥0.2918

  • 300+

    ￥0.2558
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    50V 100mA
    型号：PDTC123YT,215 编号：C454936
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    特性：内置偏置电阻，简化电路设计。 减少元件数量。 降低贴装成本。应用：通用开关和放大。 逆变器和接口电路
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4438

    • 100+

      ￥0.3574

    • 300+

      ￥0.3142
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    双NPN偏置电阻晶体管
    型号：MUN5236DW1T1G 编号：C891832
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了它们。使用 BRT 可以降低系统成本并节省电路板空间。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4856

    • 50+

      ￥0.3837

    • 150+

      ￥0.3328

    • 500+

      ￥0.2946

    • 3000+

      ￥0.264
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 50V 100mA
    型号：RN1902,LF(CT 编号：C7421323
    封装：SOT363
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101合格。 小封装（双类型）。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有各种电阻值的晶体管，以适应不同的电路设计。 与RN2901至RN2906互补。应用：开关。 逆变器电路

    • 5+

      ￥0.5524

    • 50+

      ￥0.4818

    • 150+

      ￥0.4465

    • 500+

      ￥0.42

    • 3000+

      ￥0.3988

    • 6000+

      ￥0.3882
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    共发射极（双数字晶体管）
    型号：EMG3T2R 编号：C2941610
    封装：SOT-553-5
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：两个DTC143T芯片采用EMT、UMT或SMT封装。 可将安装成本和面积减半。应用：逆变器。 接口
    数据手册

    • 5+

      ￥0.694

    • 50+

      ￥0.622

    • 150+

      ￥0.5859

    • 500+

      ￥0.5589

    • 2500+

      ￥0.4501

    • 5000+

      ￥0.4393
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    通用双数字晶体管
    型号：IMH11AT110 编号：C2941611
    封装：SOT-457
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：两个DTC114E芯片封装在EMT、UMT或SMT中。 可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。 晶体管元件相互独立，消除干扰。 可将安装成本和面积减半。应用：逆变器。 接口
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8958

    • 50+

      ￥0.7182

    • 150+

      ￥0.6294

    • 500+

      ￥0.5628
  • 有货
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    SOT563封装，互补型预偏置NPN/PNP小信号晶体管
    型号：DCX144EH-7 编号：C460020
    封装：SOT-563
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 内置偏置电阻。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 5+

      ￥0.938872 ￥0.9988

    • 50+

      ￥0.681828 ￥0.8117

    • 150+

      ￥0.531394 ￥0.7181

    • 500+

      ￥0.479446 ￥0.6479

    • 3000+

      ￥0.437932 ￥0.5918

    • 6000+

      ￥0.417138 ￥0.5637
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    PUMD3,115-JSM
    型号：PUMD3,115-JSM 编号：C53113980
    封装：SOT-363
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    数量：1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE)：30@5mA,5V

    • 5+

      ￥1.0424

    • 50+

      ￥0.8257

    • 150+

      ￥0.7328

    • 500+

      ￥0.617
  • 有货
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    数字晶体管（PNP）
    型号：DTA144EE 编号：C5331092
    封装：SOT-523
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

    • 50+

      ￥0.10319 ￥0.1214

    • 500+

      ￥0.08024 ￥0.0944

    • 3000+

      ￥0.06494 ￥0.0764

    • 6000+

      ￥0.05729 ￥0.0674

    • 24000+

      ￥0.05066 ￥0.0596

    • 51000+

      ￥0.04709 ￥0.0554
  • 有货
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    数字晶体管（PNP，内置电阻）
    型号：DTA123YCA 编号：C51913037
    封装：SOT-23
    品牌：MDD(辰达半导体)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件，便于设备设计

    • 50+

      ￥0.108384 ￥0.1129

    • 500+

      ￥0.084 ￥0.0875

    • 3000+

      ￥0.070464 ￥0.0734

    • 6000+

      ￥0.062304 ￥0.0649

    • 24000+

      ￥0.055296 ￥0.0576

    • 51000+

      ￥0.051456 ￥0.0536
  • 有货
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    100mA
    型号：DTA114ECA 编号：C49274013
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    数字晶体管的快速开关能力使其能够处理高速信号，同时其低功耗特性有助于延长电子设备的电池寿命。

    • 20+

      ￥0.11016 ￥0.1377

    • 200+

      ￥0.0864 ￥0.108

    • 600+

      ￥0.0732 ￥0.0915

    • 3000+

      ￥0.06528 ￥0.0816

    • 9000+

      ￥0.0584 ￥0.073

    • 30000+

      ￥0.05472 ￥0.0684
  • 有货
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    数字晶体管（NPN）
    型号：DTC114EUA 编号：C49274024
    封装：SOT-323
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    数字晶体管的快速开关能力使其能够处理高速信号，同时其低功耗特性有助于延长电子设备的电池寿命。

    • 20+

      ￥0.11016 ￥0.1377

    • 200+

      ￥0.0864 ￥0.108

    • 600+

      ￥0.0732 ￥0.0915

    • 3000+

      ￥0.06528 ￥0.0816

    • 9000+

      ￥0.0584 ￥0.073

    • 30000+

      ￥0.05472 ￥0.0684
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    数字晶体管（内置电阻）
    型号：DTC143EE 编号：C5337132
    封装：SOT-523
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计
    数据手册

    • 50+

      ￥0.112765 ￥0.1187

    • 500+

      ￥0.088445 ￥0.0931

    • 3000+

      ￥0.0722 ￥0.076

    • 6000+

      ￥0.064125 ￥0.0675

    • 24000+

      ￥0.057095 ￥0.0601

    • 51000+

      ￥0.053295 ￥0.0561
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 50V 100mA
    型号：DTA144EE 编号：C42415197
    封装：SOT-523
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件，便于设备设计

    • 50+

      ￥0.1129

    • 500+

      ￥0.088

    • 3000+

      ￥0.0741

    • 6000+

      ￥0.0658

    • 24000+

      ￥0.0586

    • 51000+

      ￥0.0547
  • 有货
    • 立即购买
    数字晶体管（内置电阻）
    型号：DTA114TE 编号：C42415199
    封装：SOT-523
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路（参见等效电路）。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。操作时只需设置开/关条件，便于设备设计

    • 50+

      ￥0.1129

    • 500+

      ￥0.088

    • 3000+

      ￥0.0741

    • 6000+

      ￥0.0658

    • 24000+

      ￥0.0586

    • 51000+

      ￥0.0547
  • 有货
    • 立即购买
    50V 100mA
    型号：DTA143TE 编号：C42415200
    封装：SOT-523
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件，便于设备设计

    • 50+

      ￥0.1129

    • 500+

      ￥0.088

    • 3000+

      ￥0.0741

    • 6000+

      ￥0.0658

    • 24000+

      ￥0.0586

    • 51000+

      ￥0.0547
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    数字晶体管（内置电阻）
    型号：DTA124EE 编号：C42415196
    封装：SOT-523
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作，使设备设计变得容易

    • 50+

      ￥0.1129

    • 500+

      ￥0.088

    • 3000+

      ￥0.0741

    • 6000+

      ￥0.0658

    • 24000+

      ￥0.0586

    • 51000+

      ￥0.0547
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    数字晶体管（内置电阻）
    型号：DTC144EE 编号：C42415190
    封装：SOT-523
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

    • 50+

      ￥0.1129

    • 500+

      ￥0.088

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      ￥0.0586

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      ￥0.0547
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    数字晶体管（内置电阻）
    型号：DTC123EE 编号：C42415193
    封装：SOT-523
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

    • 50+

      ￥0.1129

    • 500+

      ￥0.088

    • 3000+

      ￥0.0741

    • 6000+

      ￥0.0658

    • 24000+

      ￥0.0586

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      ￥0.0547
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    内置电阻数字晶体管
    型号：DTA114YE 编号：C42415198
    封装：SOT-523
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路（参见等效电路）。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

    • 50+

      ￥0.1129

    • 500+

      ￥0.088

    • 3000+

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      ￥0.0586

    • 51000+

      ￥0.0547
  • 有货
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    数字晶体管（NPN型）
    型号：DTC114TE 编号：C42415192
    封装：SOT-523
    品牌：Slkor(萨科微)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

    • 50+

      ￥0.1177

    • 500+

      ￥0.0928

    • 3000+

      ￥0.0789

    • 6000+

      ￥0.0706

    • 24000+

      ￥0.0634

    • 51000+

      ￥0.0595
  • 有货
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    DTA123JUA
    型号：DTA123JUA 编号：C51315326
    封装：SOT-323
    品牌：CBI(创基)

    • 50+

      ￥0.1184

    • 500+

      ￥0.0914

    • 3000+

      ￥0.0764
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    MMUN2212LT1G-MS
    型号：MMUN2212LT1G-MS 编号：C52287379
    封装：SOT-23
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    此款MMUN2212LT1G-MS是一款NPN型数字晶体管，集成22kΩ基极与发射极偏置电阻网络，采用SOT-23超小封装，核心参数适配效能：50V耐压满足低压系统需求，100mA电流承载小功率负载，60以上电流增益保障信号放大，适用于消费电子逻辑开关、信号放大电路，及物联网设备低功耗控制单元，降低系统成本

    • 50+

      ￥0.11894 ￥0.1252

    • 500+

      ￥0.09329 ￥0.0982

    • 3000+

      ￥0.07904 ￥0.0832

    • 6000+

      ￥0.07049 ￥0.0742

    • 24000+

      ￥0.06308 ￥0.0664

    • 51000+

      ￥0.05909 ￥0.0622
  • 有货
    • 立即购买
    50V 100mA
    型号：DTC143ZE 编号：C20611972
    封装：SOT-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本款数字NPN晶体管采用先进的SOT-523封装技术，体积小巧，适用于高密度电路设计。其工作电压高达50V，连续电流为0.1A，功率耗散可达0.15W，具备出色的能耗控制性能。内部配置精密电阻网络，其中R1为4.7Ω，R1/R2比例为10，确保了器件在开关和放大状态下的稳定性和精准性，是各类微电子设备的理想选择。

    • 50+

      ￥0.11913 ￥0.1254

    • 500+

      ￥0.09348 ￥0.0984

    • 3000+

      ￥0.07619 ￥0.0802

    • 6000+

      ￥0.06764 ￥0.0712

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      ￥0.05624 ￥0.0592
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    NPN 50V 100mA
    型号：DTC124EE 编号：C47283708
    封装：SOT-523
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    晶体管类型: 1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo): 50V 集电极电流(Ic): 100mA 耗散功率(Pd): 150mW

    • 50+

      ￥0.1211

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      ￥0.0952

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      ￥0.0808
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    偏置电阻晶体管
    型号：MMUN2211 编号：C41428767
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-23封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

    • 20+

      ￥0.1212 ￥0.1515

    • 200+

      ￥0.0944 ￥0.118

    • 600+

      ￥0.07952 ￥0.0994

    • 3000+

      ￥0.07064 ￥0.0883

    • 9000+

      ￥0.06288 ￥0.0786

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      ￥0.05872 ￥0.0734
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    偏置电阻晶体管
    型号：MMUN2233 编号：C41428770
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-23封装，专为低功率表面贴装应用而设计。

    • 20+

      ￥0.1212 ￥0.1515

    • 200+

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    50V 100mA
    型号：DTC143ZE-MS 编号：C3008052
    封装：SOT-523
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：250mV@10mA,1mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：350@10mA,5V 输入电阻：4.7kΩ
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1228

    • 500+

      ￥0.0969

    • 3000+

      ￥0.077

    • 6000+

      ￥0.0684

    • 24000+

      ￥0.0609

    • 51000+

      ￥0.0568
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    数字晶体管（NPN）
    型号：DTC123ECA 编号：C49274019
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    数字晶体管的快速开关能力使其能够处理高速信号，同时其低功耗特性有助于延长电子设备的电池寿命。

    • 20+

      ￥0.12393 ￥0.1377

    • 200+

      ￥0.0972 ￥0.108

    • 600+

      ￥0.08235 ￥0.0915

    • 3000+

      ￥0.07344 ￥0.0816

    • 9000+

      ￥0.0657 ￥0.073

    • 30000+

      ￥0.06156 ￥0.0684
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    偏置电阻晶体管
    型号：LMUN2214LT1G 编号：C2846993
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：简化电路设计。 减少电路板空间和元件数量。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1242

    • 500+

      ￥0.0998

    • 3000+

      ￥0.0862

    • 6000+

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