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首页 > 热门关键词 > 数字三极管
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数字晶体管（内置电阻）
型号：DTA143EE 编号：C19267734
封装：SOT-523
品牌：CJ(江苏长电/长晶)
特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作，使设备设计变得简单

  • 20+

    ￥0.1366

  • 200+

    ￥0.108

  • 600+

    ￥0.0921
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    带单片偏置电阻网络的偏置电阻晶体管
    型号：LDTC143ZET1G 编号：C136180
    封装：SC-89
    品牌：LRC(乐山无线电)
    这款全新系列的数字晶体管旨在替代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，这两个电阻分别是基极串联电阻和基极 - 发射极电阻。BRT 通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了这些元件
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1497

    • 200+

      ￥0.12

    • 600+

      ￥0.1035
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    用于开关、接口电路和驱动电路应用的NPN型硅外延平面晶体管
    型号：MMBTRC102SS 编号：C42394974
    封装：SOT-23
    品牌：YFW(佑风微)
    用于开关、接口电路和驱动电路应用

    • 20+

      ￥0.150955 ￥0.1589

    • 200+

      ￥0.11609 ￥0.1222

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      ￥0.09671 ￥0.1018

    • 3000+

      ￥0.08702 ￥0.0916

    • 9000+

      ￥0.07695 ￥0.081

    • 21000+

      ￥0.07144 ￥0.0752
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    用于开关、接口电路和驱动电路应用的NPN型硅外延平面晶体管
    型号：MMBTRC101SS 编号：C41433797
    封装：SOT-23
    品牌：YFW(佑风微)
    NPN三极管

    • 20+

      ￥0.151335 ￥0.1593

    • 200+

      ￥0.116375 ￥0.1225

    • 600+

      ￥0.096995 ￥0.1021

    • 3000+

      ￥0.087305 ￥0.0919

    • 9000+

      ￥0.077235 ￥0.0813

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      ￥0.07182 ￥0.0756
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    NPN数字晶体管
    型号：TPDTC143ZUA 编号：C42436621
    封装：SOT-323
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款数字晶体管属于NPN型，具有稳定的电气性能，适用于多种电路设计。能够在中低压环境下提供可靠的开关作用或信号放大功能。适合驱动小型负载或者作为信号级放大元件，在音频处理、通信设备以及消费电子产品的小信号控制中有着广泛的应用。

    • 20+

      ￥0.153216 ￥0.2016

    • 200+

      ￥0.11932 ￥0.157

    • 600+

      ￥0.100548 ￥0.1323

    • 3000+

      ￥0.089224 ￥0.1174

    • 9000+

      ￥0.079496 ￥0.1046

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      ￥0.074176 ￥0.0976
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    NPN数字晶体管-DTC（R1 = R2）
    型号：DTC143ECA 编号：C22459198
    封装：SOT-23
    品牌：YFW(佑风微)
    特性：外延平面管芯结构。 内置偏置电阻，R1 = R2。 有互补PNP类型

    • 20+

      ￥0.155895 ￥0.1641

    • 200+

      ￥0.12103 ￥0.1274

    • 600+

      ￥0.10165 ￥0.107

    • 3000+

      ￥0.09196 ￥0.0968

    • 9000+

      ￥0.08189 ￥0.0862

    • 21000+

      ￥0.076475 ￥0.0805
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    50V 100mA
    型号：MMUN2211LT1G 编号：C55059
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.158

    • 200+

      ￥0.1294

    • 600+

      ￥0.1135

    • 3000+

      ￥0.0998

    • 9000+

      ￥0.0915

    • 21000+

      ￥0.087
  • 有货
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    双偏置电阻晶体管
    型号：MMUN5311DW 编号：C22391952
    封装：SOT-363
    品牌：YFW(佑风微)
    偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，这两个电阻分别是基极串联电阻和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了它们

    • 10+

      ￥0.1603

    • 100+

      ￥0.1566

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    NPN数字晶体管
    型号：DTC143EE 编号：C25836728
    封装：SOT-523
    品牌：YFW(佑风微)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作，便于设备设计

    • 20+

      ￥0.16055 ￥0.169

    • 200+

      ￥0.12464 ￥0.1312

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      ￥0.10469 ￥0.1102

    • 3000+

      ￥0.094715 ￥0.0997

    • 9000+

      ￥0.084265 ￥0.0887

    • 21000+

      ￥0.078755 ￥0.0829
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    NPN
    型号：HDDTC143ECA7F 编号：C42389348
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款数字晶体管为NPN型，具备稳定的电气性能。其集射极击穿电压（Vceo）可达50V，适用于多种电路设计中作为开关或放大元件。该晶体管的最大集电极电流（Ic）为100mA，能满足一般电子设备对电流控制的需求。此外，它能承受的最大功率损耗（Pd）为200mW，在设计紧凑型电子产品时提供了可靠的保障。此款晶体管凭借其合理的参数配置，适用于消费电子产品的信号处理及逻辑门电路构建中。

    • 20+

      ￥0.160835 ￥0.1693

    • 200+

      ￥0.126065 ￥0.1327

    • 600+

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    • 3000+

      ￥0.095285 ￥0.1003

    • 9000+

      ￥0.08531 ￥0.0898

    • 21000+

      ￥0.079895 ￥0.0841
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    静电放电（ESD）、瞬态电压抑制器（TVS）、晶闸管浪涌抑制器（TSS）、金属氧化物压敏电阻（MOV）、气体放电管（GDT）、聚合物静电放电二极管（PLED）
    型号：DTC144EKA 编号：C5331089
    封装：SOT-23-3L
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件，便于设备设计

    • 20+

      ￥0.16511 ￥0.1738

    • 200+

      ￥0.1292 ￥0.136

    • 600+

      ￥0.10925 ￥0.115

    • 3000+

      ￥0.09329 ￥0.0982

    • 9000+

      ￥0.08284 ￥0.0872

    • 21000+

      ￥0.07733 ￥0.0814
  • 有货
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    NPN数字晶体管
    型号：DTC123JCA 编号：C48995508
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款数字晶体管属于NPN型，具有稳定的电气性能，适用于多种电路设计。能够在中低压环境下提供可靠的开关作用或信号放大功能。适合驱动小型负载或者作为信号级放大元件，在音频处理、通信设备以及消费电子产品的小信号控制中有着广泛的应用。

    • 20+

      ￥0.165808 ￥0.1928

    • 200+

      ￥0.130032 ￥0.1512

    • 600+

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    • 3000+

      ￥0.098212 ￥0.1142

    • 9000+

      ￥0.087892 ￥0.1022

    • 21000+

      ￥0.082388 ￥0.0958
  • 有货
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    SOT-23数字晶体管
    型号：DTC114ECA-6AF 编号：C49363374
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    特性：带偏置电阻的NPN

    • 20+

      ￥0.1796

    • 200+

      ￥0.1385

    • 600+

      ￥0.1157
  • 有货
    • 立即购买
    50V 100mA
    型号：DTC143ZCA 编号：C6798278
    封装：SOT-23
    品牌：Huixin(慧芯)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路，偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件，便于器件设计

    • 20+

      ￥0.193512 ￥0.2199

    • 200+

      ￥0.150744 ￥0.1713

    • 600+

      ￥0.126984 ￥0.1443

    • 3000+

      ￥0.112728 ￥0.1281

    • 9000+

      ￥0.100408 ￥0.1141

    • 21000+

      ￥0.09372 ￥0.1065
  • 有货
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    数字晶体管（内置电阻）
    型号：DTC124ECA 编号：C968333
    封装：SOT-23
    品牌：YANGJIE(扬杰)
    DTC124ECA-F2-0000HF
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1998

    • 200+

      ￥0.1608

    • 600+

      ￥0.1391

    • 3000+

      ￥0.1136
  • 有货
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    双偏置电阻晶体管，带单片偏置电阻网络的NPN硅表面贴装晶体管
    型号：MMUN5232DW 编号：C21714285
    封装：SOT-363
    品牌：CBI(创基)
    BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。在SOT-363封装中容纳了两个BRT器件，该封装非常适合电路板空间有限的低功耗表面贴装应用。

    • 20+

      ￥0.215

    • 200+

      ￥0.1675

    • 600+

      ￥0.1411
  • 有货
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    双偏置电阻晶体管，带单片偏置电阻网络的NPN硅表面贴装晶体管
    型号：MMUN5215DW 编号：C21714282
    封装：SOT-363
    品牌：CBI(创基)
    BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。SOT-363 封装非常适合电路板空间有限的低功率表面贴装应用。

    • 20+

      ￥0.215

    • 200+

      ￥0.1675

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      ￥0.1411
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    双偏置电阻晶体管，带单片偏置电阻网络的NPN硅表面贴装晶体管
    型号：MMUN5235DW 编号：C21714287
    封装：SOT-363
    品牌：CBI(创基)
    BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即串联基极电阻和基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。SOT-363封装适用于对电路板空间要求较高的低功率表面贴装应用。

    • 20+

      ￥0.215

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      ￥0.1675

    • 600+

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    双偏置电阻晶体管，带单片偏置电阻网络的NPN硅表面贴装晶体管
    型号：MMUN5231DW 编号：C21714284
    封装：SOT-363
    品牌：CBI(创基)
    BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中消除了它们。两个BRT器件封装在SOT-363封装中，非常适合对电路板空间要求较高的低功率表面贴装应用。

    • 20+

      ￥0.215

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      ￥0.1675

    • 600+

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    双偏置电阻晶体管，带单片偏置电阻网络的NPN硅表面贴装晶体管
    型号：MMUN5213DW 编号：C21714280
    封装：SOT-363
    品牌：CBI(创基)
    BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。SOT-363 封装非常适合对电路板空间要求较高的低功耗表面贴装应用。

    • 20+

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    • 200+

      ￥0.1675

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    双偏置电阻晶体管，带单片偏置电阻网络的NPN硅表面贴装晶体管
    型号：MMUN5233DW 编号：C21714286
    封装：SOT-363
    品牌：CBI(创基)
    BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中消除了它们。SOT-363封装非常适合电路板空间有限的低功率表面贴装应用。

    • 20+

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    双偏置电阻晶体管，带单片偏置电阻网络的NPN硅表面贴装晶体管
    型号：MMUN5216DW 编号：C21714283
    封装：SOT-363
    品牌：CBI(创基)
    BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中消除了它们。在SOT-363封装中容纳了两个BRT器件，非常适合对电路板空间要求较高的低功率表面贴装应用。

    • 20+

      ￥0.215

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      ￥0.1675

    • 600+

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    双偏置电阻晶体管，带单片偏置电阻网络的NPN硅表面贴装晶体管
    型号：MMUN5214DW 编号：C21714281
    封装：SOT-363
    品牌：CBI(创基)
    BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管：一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。SOT-363 封装中包含两个 BRT 器件，非常适合电路板空间有限的低功耗表面贴装应用。

    • 20+

      ￥0.215

    • 200+

      ￥0.1675

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      ￥0.1411
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    NPN型，100mA、50V数字晶体管
    型号：DTC114EEBTL 编号：C962677
    封装：SOT-416FL
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计简单。 互补PNP类型。应用：反相器。 接口
    数据手册

    • 20+

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    • 200+

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    带单片偏置电阻网络的PNP硅表面贴装偏置电阻晶体管
    型号：S-LDTB123YLT1G 编号：C5368877
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件，便于设备设计。 产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。应用：逆变器。 接口
    数据手册

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      ￥0.2556

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    50V 100mA
    型号：DDTC143ECA-7-F 编号：C155370
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    双 NPN 预偏压式
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    数字晶体管（内置电阻），双数字晶体管（NPN+NPN）
    型号：AD-UMH9N 编号：C2975651
    封装：SOT-363
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：一个封装中包含两个芯片。 晶体管元件相互独立，可消除干扰。 可将安装成本和面积减半。 通过AEC-Q101认证

    • 10+

      ￥0.295502 ￥0.4162

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      ￥0.200324 ￥0.3284

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    80 V、100 mA带电阻NPN晶体管
    型号：NHDTC123JTR 编号：C3588926
    封装：TO-236AB
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN 电阻式晶体管采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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      ￥0.3114

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    50 V、100 mA，带电阻的NPN/PNP双晶体管
    型号：PUMD2-QX 编号：C5224568
    封装：TSSOP-6(SOT-363)
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN/PNP 带电阻双晶体管，采用非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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    数字晶体管（内置电阻）
    型号：UMH9N 编号：C148120
    封装：SOT-363
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：一个封装中包含两个DTC114Y芯片。 晶体管元件相互独立，消除干扰。 可将安装成本和面积减半
    数据手册

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