npn三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MPSA42 编号：C719821

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 TO-92 封装。

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5+
￥1.7074
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￥1.3618
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￥1.2137
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￥1.0026

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型号：PZT2222A,115 编号：C426881

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT223塑料封装的NPN开关晶体管。互补PNP型：PZT2907A。

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￥1.941
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￥1.5302
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型号：MJE340STU-HXY 编号：C50275342

封装：TO-126

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该NPN型三极管额定集电极电流为0.5A，集电极-发射极击穿电压为350V，适合中高压小功率电路应用。其直流电流增益（HFE）在100至250之间，具备良好的放大性能与开关响应特性。器件可用于通用信号放大、电源开关控制、脉冲电路及负载驱动等场景，适用于对电压耐受能力有一定要求的电子设备。较高的VCEO值使其在瞬态电压波动中具备一定可靠性，适合用于电源适配器、小型家电控制板、照明调节模块及消费类电子产品中的电路设计。

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￥2.072995 ￥2.1821
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￥1.642075 ￥1.7285
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￥1.457395 ￥1.5341
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￥1.226925 ￥1.2915
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￥1.124325 ￥1.1835
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￥1.062765 ￥1.1187

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型号：2SC5353L-TF3-T 编号：C410481

封装：TO-220F-3

品牌：UTC(友顺)

适用于开关稳压器和高压开关应用。适用于高速 DC-DC 转换器应用

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￥2.1211
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￥1.6574
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￥1.1004

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型号：FCX458TA 编号：C435832

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 400V。 IC = 225mA 连续集电极电流。 ICM = 500mA 峰值脉冲电流。高达100mA时具有出色的hFE特性。低饱和电压 VCE(sat) < 200mV @ 20mA。互补PNP类型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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￥2.3597
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￥1.9099
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型号：ZTX694B 编号：C156385

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：集电极-发射极电压（VCEO）：120V。集电极电流（IC）为200mA时，增益为400。极低的饱和电压。应用：达林顿管替代。继电器/螺线管驱动器

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￥2.448 ￥2.55
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￥1.9952 ￥2.32
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￥1.6948 ￥2.23
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￥1.596 ￥2.1
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￥1.558 ￥2.05
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￥1.5352 ￥2.02

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型号：ZXTN07045EFFTA 编号：C460133

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

此低压NPN晶体管专为需要高增益和极低饱和电压的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热性能。

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￥2.49
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￥1.96
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￥1.73
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￥1.44
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￥1.32

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型号：ZXTD2090E6TA 编号：C17537238

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

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￥3.24
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￥3.05
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￥2.87
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￥2.71

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型号：ZXTN19100CZTA 编号：C460137

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 5.25A 高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < 65mV @ 1A。 Rsat = 44mΩ 低等效导通电阻。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑的“绿色”器件。应用：PSU 启动开关。电机驱动

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￥3.62
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￥2.89
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￥2.01
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￥1.9

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型号：NJVNJD2873T4G 编号：C266789

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

专为高增益音频放大器应用而设计。

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￥4.08
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￥3.18
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￥2.79
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￥2.09

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型号：MN1526 编号：C47148337

封装：TO-3PNB

品牌：OSEN(欧芯)

高品质功放三极管，电流15A，耐压230V、功率150W

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￥4.7
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￥3.81
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￥3.37
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￥2.93
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￥2.67
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型号：ZXTN2018FTA 编号：C155309

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大限度地提升这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件尺寸紧凑且额定参数出色，非常适合空间有限的应用场景。

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￥4.76
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￥3.79
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￥2.83
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型号：TTC5200 编号：C5366140

封装：TO-3PL

品牌：minos(迈诺斯)

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￥5.22
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￥4.27
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￥3.79
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￥3.32
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￥3.04
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型号：MJD31CRLG 编号：C233747

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。

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￥5.4624 ￥5.69
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￥3.9818 ￥4.63
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￥2.3636 ￥3.11

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型号：FMMT416TD-HXY 编号：C47506910

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款NPN型三极管（BJT）专为高效能应用设计，具备1A的集电极电流（IC）能力，确保在高负载条件下稳定运行。其集电极-发射极击穿电压（VCEO）高达100V，提供卓越的耐压性能。直流电流增益（HFE）范围在100至300之间，保证了信号放大时的高效率与稳定性。此外，该三极管的过渡频率（FT）达到150MHz，使其在高频应用中表现出色。适用于需要精确信号放大和处理的电子设备中，如通信装置和消费电子产品等。

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￥5.814 ￥6.46
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￥4.842 ￥5.38
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￥3.708 ￥4.12
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￥3.312 ￥3.68

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型号：2SC4793 编号：C2907782

封装：TO-220C

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用程序·功率放大器的应用程序。·驱动级放大器的应用

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￥6.023 ￥6.34
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￥4.8545 ￥5.11
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￥4.2655 ￥4.49
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￥3.686 ￥3.88
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￥3.154 ￥3.32

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型号：NJW0302G 编号：C20607884

封装：TO-3PNB

品牌：OSEN(欧芯)

特性：高效率，低偏差。输入阻抗小，功耗低。抗高温、高湿。稳定性好，可靠性高。应用：音频放大器。开关应用

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￥6.07
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￥4.95
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990+
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型号：NTE297-HXY 编号：C46682466

封装：TO-92

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款NPN三极管（BJT）专为高效能应用设计，具备集电极-发射极电压VCEO高达160V，能够承受较高的反向电压。其连续集电极电流IC可达0.6A，适合驱动中等功率负载。直流电流增益HFE范围在100至200之间，表明了它具有良好的放大性能。此外，该三极管的过渡频率FT为300MHz，确保了在高频应用中的稳定表现。适用于需要高精度信号放大与处理的场合，如无线通信设备和高性能音频系统中，提供可靠性能。

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￥9.135 ￥10.15
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￥7.776 ￥8.64
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￥6.93 ￥7.7
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￥6.057 ￥6.73
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￥5.67 ￥6.3
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￥5.499 ￥6.11

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型号：NTE2428-HXY 编号：C46682464

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型三极管（BJT）具备1A的集电极电流（IC）能力，适合于需要中等功率处理的应用场景。其集电极-发射极击穿电压（VCEO）为80V，确保在高电压环境下的可靠性与稳定性。直流电流增益（HFE）范围在180至390之间，使得它非常适合用于信号放大需求较高的电路设计中。此外，该三极管的过渡频率（FT）达到100MHz，能够支持高频操作，适用于如无线通信设备、音频处理以及其他对信号纯净度和传输速度有较高要求的电子装置中。