npn三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PBSS4330X,135 编号：C551926

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

NPN低VcEsat晶体管，采用SOT89塑料封装。

数据手册

5+
￥1.049787 ￥1.7793
50+
￥0.864262 ￥1.7638
150+
￥0.683826 ￥1.7534
500+
￥0.679809 ￥1.7431

有货

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型号：PZT1816G-S-AA3-R 编号：C84886

封装：SOT-223

品牌：UTC(友顺)

特性：低集电极-发射极饱和电压。 hFE线性良好。小型薄型封装，便于设备紧凑化。高f。快速开关速度

数据手册

5+
￥1.1266
50+
￥0.8833
150+
￥0.779
500+
￥0.6489
2500+
￥0.5909
5000+
￥0.5561

有货

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型号：PHE13003A,412 编号：C256389

封装：TO-92

品牌：WeEn(瑞能)

高电压、高速、平面钝化 NPN 功率开关晶体管，采用 SOT54（TO-92）塑料封装。

数据手册

5+
￥1.1639
50+
￥0.8999
150+
￥0.7679
1000+
￥0.6689
2000+
￥0.5897
5000+
￥0.55

有货

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型号：NST489AMT1G 编号：C889760

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

数据手册

1+
￥1.18 ￥2.36
10+
￥0.832 ￥2.08
30+
￥0.591 ￥1.97
100+
￥0.546 ￥1.82
500+
￥0.525 ￥1.75
1000+
￥0.513 ￥1.71

有货

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型号：2SD2391 编号：C49236587

封装：SOT-89-3L

品牌：SPTECH(深圳质超)

特性：小尺寸封装：SOT89-3L。大最大电流：IC = 3A。低集电极到发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.15V max.(at IC / IB = 0.5A / 0.05A)。高功率耗散：PC = 2W。与2SB1561为互补对

5+
￥1.19776 ￥1.2608
50+
￥0.948765 ￥0.9987
150+
￥0.84208 ￥0.8864
1000+
￥0.70889 ￥0.7462
2000+
￥0.64961 ￥0.6838
5000+
￥0.61408 ￥0.6464

有货

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型号：BFS17NTA 编号：C526479

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：3.2GHz单位增益，适用于RF开关应用。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力。应用：RF开关

数据手册

5+
￥1.213515 ￥1.3635
50+
￥0.949975 ￥1.2025
150+
￥0.782115 ￥1.1335
500+
￥0.722706 ￥1.0474
3000+
￥0.696279 ￥1.0091
6000+
￥0.680409 ￥0.9861

有货

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型号：MJD44H11T4G-DW 编号：C49195056

封装：TO-252

品牌：DOWO(东沃)

特性：低集电极-发射极饱和电压。快速开关速度。互补型号为MJD44H11。标记：MJD44H11。应用：功率放大器。开关电路

5+
￥1.3085
50+
￥1.0365
150+
￥0.9199
500+
￥0.7745

有货

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型号：ZXTN26070CV-7 编号：C460144

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO = 70V。 IC = 2.0A 连续电流。 ICM = 5A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VLow(sat) < 30mV @ 100mA。 Rsat = 130mΩ 低等效导通电阻。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

1+
￥1.375 ￥2.75
10+
￥0.984 ￥2.46
30+
￥0.696 ￥2.32
100+
￥0.651 ￥2.17
500+
￥0.627 ￥2.09
1000+
￥0.612 ￥2.04

有货

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型号：2SC5712(TE12L,F) 编号：C5222993

封装：SOT-89

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 400 至 1000（IC = 0.3A）。低集电极-发射极饱和电压：VCE (sat) = 0.14V（最大值）。高速开关：tf = 120 ns（典型值）。应用：高速开关应用。 DC-DC 转换器应用

5+
￥1.4971
50+
￥1.1812
150+
￥1.0459
1000+
￥0.8394
2000+
￥0.7642
5000+
￥0.719

有货

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型号：DXT696BK-13 编号：C3001630

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 180V。连续集电极电流高，Ic = 0.5A。脉冲峰值电流，IcM = 1A。高增益器件，在 Ic = 100mA 时 > 500。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件。应用：电压调节晶体管。启动开关

数据手册

1+
￥1.672 ￥2.09
10+
￥1.288 ￥1.84
30+
￥1.044 ￥1.74
100+
￥0.966 ￥1.61
500+
￥0.93 ￥1.55
1000+
￥0.906 ￥1.51

有货

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型号：BCP56-16T3G 编号：C894813

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

用于音频放大器应用。采用SOT-223封装，专为中功率表面贴装应用设计。

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5+
￥2.0181
50+
￥1.5962
150+
￥1.4153
500+
￥1.1897

有货

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型号：NJVMJD31CT4G 编号：C233757

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。

数据手册

5+
￥2.3408
50+
￥1.8444
150+
￥1.6316
500+
￥1.2677
2500+
￥1.1495
5000+
￥1.0786

有货

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型号：2SD1733TLR 编号：C2909271

封装：TO-252

品牌：ROHM(罗姆)

特性：适合中功率驱动器。互补PNP类型：2SB1260 / 2SB1181。低集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：最大0.4V (IC / IB = 500mA / 20mA)。无铅/符合RoHS标准。应用：电机驱动器。 LED驱动器

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1+
￥2.5
10+
￥2.21
30+
￥2.08
100+
￥1.92
500+
￥1.6
1000+
￥1.56

有货

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型号：D209L 编号：C20607957

封装：TO-3PNB

品牌：OSEN(欧芯)

特性：高开关速度。低正向压降。高效低功耗。大电流浪涌能力强。应用：电子镇流器。开关电源

1+
￥2.57
10+
￥2.28
30+
￥2.13
90+
￥1.99
450+
￥1.9
900+
￥1.86

有货

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型号：ZXTN2010ZQTA 编号：C460140

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 5A 高连续电流。 RSAT = 30mΩ，低等效导通电阻。低饱和电压 VESAT < 65mV @ IC = 1A。 hFE 指定至 10A，高电流增益保持。互补 PNP 类型。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

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5+
￥2.5839
50+
￥2.1039
150+
￥1.8981

有货

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型号：MJD31C 编号：C49823466

封装：TO-252

品牌：Huixin(慧芯)

晶体管类型：NPN，集电极电流：3A，集射极击穿电压：100V，耗散功率：1.56W，适用于线性及开关应用。

1+
￥3.0536 ￥3.47
10+
￥2.4728 ￥2.81
30+
￥2.1912 ￥2.49
100+
￥1.9008 ￥2.16
500+
￥1.7336 ￥1.97
1000+
￥1.6456 ￥1.87

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型号：MJE340 编号：C283424

封装：SOT-32-3

品牌：ST(意法半导体)

互补功率晶体管

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1+
￥3.62
10+
￥2.87
30+
￥2.55
100+
￥2.15
500+
￥1.97
1000+
￥1.86

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型号：ZXTN2010GTA 编号：C326515

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。连续集电极电流 IC = 6A。峰值脉冲电流 ICM = 20A。低饱和电压 VCE(SAT) < 60mV 最大值 @ 1A。 RSAT = 35mΩ @ IC = 6A，低等效导通电阻。 hZ 指定高达 10A，高增益保持。应用：应急照明电路。电机驱动（包括直流风扇）

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