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此款 NPN 双极晶体管是我们受欢迎的 SOT-23/SOT-323 三引线器件的副产品。该器件适用于通用放大器应用，采用 SOT-563 六引线表面贴装封装。通过将两个分立器件放入一个封装中，该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。

数据手册

5+
￥0.7535
50+
￥0.5903
150+
￥0.5087
500+
￥0.4475
2500+
￥0.3985
4000+
￥0.374

有货

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型号：BCP5616TA 编号：C460004

封装：SOT-223

特性：适用于音频驱动和输出级。高集电极电流和低Vce(sat)

数据手册

5+
￥0.824
50+
￥0.6749
150+
￥0.6003
1000+
￥0.4978
2000+
￥0.4531

有货

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型号：LBTN560Y3T1G 编号：C5273348

封装：SOT-89

品牌：LRC(乐山无线电)

数据手册

5+
￥0.8361
50+
￥0.6729
150+
￥0.5913
500+
￥0.5301
2500+
￥0.4811

有货

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型号：SMMBT3904WT1G 编号：C232649

封装：SC-70(SOT-323)

此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

5+
￥0.8746
50+
￥0.7023
150+
￥0.6161
500+
￥0.5515
3000+
￥0.4603

有货

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型号：BCX56,135 编号：C549692

封装：SOT-89

NPN中功率晶体管，采用SOT89 (SC-62)扁平引脚表面贴装器件 (SMD)塑料封装

数据手册

5+
￥0.9757
50+
￥0.7967
150+
￥0.7071
500+
￥0.64
2500+
￥0.5863
4000+
￥0.5595

有货

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型号：2SC2073 编号：C2900596

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

用于功率放大和帧频输出

数据手册

5+
￥0.98199 ￥1.0911
50+
￥0.77787 ￥0.8643
150+
￥0.69039 ￥0.7671
500+
￥0.58122 ￥0.6458
2000+
￥0.53262 ￥0.5918
5000+
￥0.50346 ￥0.5594

有货

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型号：FMMT495TC 编号：C5157727

封装：SOT-23

特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A，可保持高电流增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

5+
￥1.0031
50+
￥0.8105
150+
￥0.7143
500+
￥0.6421
2500+
￥0.5843
5000+
￥0.5554

有货

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型号：2SD1899(RANGE:100-200) 编号：C122613

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）。高过渡频率

数据手册

5+
￥1.0248
50+
￥0.8376
150+
￥0.744
500+
￥0.6738

有货

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型号：BFU590Q 编号：C5375297

封装：SOT-89

品牌：Slkor(萨科微)

本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；主要应用于超高频微波、高频宽带低噪声放大器中，适合中功率高频信号放大。

数据手册

5+
￥1.0549
50+
￥0.8312
150+
￥0.7353
1000+
￥0.6157
2000+
￥0.5624
5000+
￥0.5305

有货

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型号：PZT4401,115 编号：C553563

封装：SOT-223-3

NPN 开关晶体管采用 SOT223 塑料封装。PNP 互补型号为 PZT4403。

数据手册

5+
￥1.114
50+
￥0.9006
150+
￥0.8092
1000+
￥0.667296 ￥0.6951
2000+
￥0.618528 ￥0.6443
5000+
￥0.589248 ￥0.6138

有货

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型号：PZT1816G-S-AA3-R 编号：C84886

封装：SOT-223

品牌：UTC(友顺)

特性：低集电极-发射极饱和电压。 hFE线性良好。小型薄型封装，便于设备紧凑化。高f。快速开关速度

数据手册

5+
￥1.2092
50+
￥0.9659
150+
￥0.8616
500+
￥0.7315
2500+
￥0.6736
5000+
￥0.6388

有货

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型号：BSR14 编号：C258201

封装：SOT-23

此器件用于需要最高 500 mA 集极电流的中等功率放大器和开关。源自 Process 19。参见 BCW65C 了解特性。

数据手册

5+
￥1.3419
50+
￥1.0458
150+
￥0.9189
500+
￥0.7606

有货

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型号：MOT13007MA 编号：C5143125

封装：TO-220

品牌：MOT(仁懋)

集电极－基极反向击穿电压700V,集电极－发射极反向击穿电压400V,放大系数8-40，集电极电流IC8A

5+
￥1.4406
50+
￥1.0965
150+
￥0.9648
500+
￥0.8004
2000+
￥0.7272
5000+
￥0.6832

有货

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型号：DXT651-13 编号：C443640

封装：SOT-89

特性：BVCEO > 60V。高连续集电极电流：IC = 3A。峰值脉冲电流：ICM 高达 6A。功耗：2W。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 1A。互补 PNP 类型。应用：负载管理功能。电机控制

数据手册

5+
￥1.474
50+
￥1.1745
150+
￥1.0461
500+
￥0.8859
2500+
￥0.8146

有货

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型号：BC868-25,115 编号：C549548

封装：SOT-89

NPN 中功率晶体管系列，采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥1.5972
50+
￥1.2913
150+
￥1.1602
1000+
￥0.956736 ￥0.9966
2000+
￥0.886848 ￥0.9238
5000+
￥0.844896 ￥0.8801

有货

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型号：FCX491ATA 编号：C155278

封装：SOT-89

特性：BVCEO > 40V。IC = 1A 高连续电流。低饱和电压 V(sat) < 500mV @ 1A。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

数据手册

5+
￥1.6164
50+
￥1.4181
150+
￥1.3332
1000+
￥1.2272

有货

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型号：DZT5551Q-13 编号：C674404

封装：SOT-223

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

数据手册

5+
￥1.8491
50+
￥1.4963
150+
￥1.3451
500+
￥1.1565

有货

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型号：KTD1414-U/PF 编号：C17701480

封装：TO-220

品牌：KEC

特性：高直流电流增益：在VCE = 2V、IC = 1A时，hFE = 2000（最小值）。应用：开关应用。锤式驱动器

1+
￥2.14
10+
￥1.84
50+
￥1.72
100+
￥1.5288 ￥1.56
500+
￥1.4602 ￥1.49
1000+
￥1.421 ￥1.45

有货

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型号：PMBTA45,215 编号：C456136

封装：SOT-23

采用SOT23小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN高压、低VCEsat晶体管。互补PNP型晶体管：PBHV9050T

数据手册

5+
￥2.171
50+
￥1.7154
150+
￥1.5201
500+
￥1.2765
3000+
￥1.0324
6000+
￥0.9673

有货

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型号：FCX458TA 编号：C435832

封装：SOT-89

特性：BVCEO > 400V。 IC = 225mA 连续集电极电流。 ICM = 500mA 峰值脉冲电流。高达100mA时具有出色的hFE特性。低饱和电压 VCE(sat) < 200mV @ 20mA。互补PNP类型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥2.3597
50+
￥1.9099
150+
￥1.7171

有货

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型号：ZXTN4004KQTC 编号：C460146

封装：TO-252

特性：BVCEO > 150V。 hFE > 100（IC = 150mA，VCE = 0.25V）。 IC(cont) = 1A。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。符合AEC-Q101高可靠性标准。应用：LED电视背光

数据手册

5+
￥2.5014
50+
￥1.9982
150+
￥1.7825
500+
￥1.5134

有货

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型号：2SD1623T-TD-E 编号：C604966

封装：SOT-89

2SD1623 是一款双极晶体管，50V 2A，低饱和压，(PNP)NPN 单 PCP，用于高电流开关应用。

数据手册

1+
￥2.53
10+
￥1.97
30+
￥1.73
100+
￥1.43
500+
￥1.3
1000+
￥1.22

有货

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型号：ZXTN07045EFFTA 编号：C460133

封装：SOT-23F

此低压NPN晶体管专为需要高增益和极低饱和电压的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热性能。

数据手册

1+
￥2.93
10+
￥2.3
30+
￥2.03
100+
￥1.7
500+
￥1.55
1000+
￥1.46

有货

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型号：TTC014,L1NV 编号：C7403922

封装：2-7J1S

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 100 至 200 (IC = 0.1A)。高集电极击穿电压：VCEO = 800V，VCBO = 900V。高速开关：Δtr = 0.2μs（典型值），tf = 0.4 μs（典型值）(IC = 0.3A)。应用：高速高压开关。开关稳压器

1+
￥3.01
10+
￥2.65
30+
￥2.47
100+
￥2.29
500+
￥2.18
1000+
￥2.12

有货

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型号：BFU550XAR 编号：C2802650

封装：SOT-143-4

品牌：NXP(恩智浦)

NPN硅射频晶体管，采用塑料4引脚双发射极SCT143B封装，适用于高速、低噪声应用。适用于高达2 GHz的小信号到中功率应用。

数据手册

1+
￥3.12
10+
￥2.49
30+
￥2.22
100+
￥1.692 ￥1.88
500+
￥1.557 ￥1.73
1000+
￥1.476 ￥1.64

有货

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型号：OSA13009-1 编号：C20607955

封装：TO-3PNT

品牌：OSEN(欧芯)

1+
￥3.173 ￥3.34
10+
￥2.5555 ￥2.69
30+
￥2.2515 ￥2.37
90+
￥1.938 ￥2.04
450+
￥1.7575 ￥1.85
900+
￥1.6625 ￥1.75

有货

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型号：NSV1C201MZ4T1G 编号：C86644

封装：SOT-223

安森美半导体的低饱和压晶体管系列是具有超低饱和电压饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。典型应用有便携式和电池供电产品（例如蜂窝电话和无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和 MP3 播放器）中的 DC-DC 转换器和电源管理。其它应用有大容量存储产品（例如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。在汽车行业中，它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许这些双极晶体管器件直接从 PMU 的控制输出驱动，而线性增益 (Beta) 使其成为模拟放大器的理想组件。

数据手册

1+
￥3.3
10+
￥2.64
30+
￥2.36
100+
￥2
500+
￥1.49
1000+
￥1.4

有货

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型号：KTC4370A-Y-U/PF 编号：C125308

封装：TO-220IS

品牌：KEC

特性：高过渡频率：fT = 100MHz（典型值）。与KTA1659/A互补

数据手册

1+
￥3.58
10+
￥2.85
50+
￥2.54
100+
￥2.0425 ￥2.15
500+
￥1.881 ￥1.98
1000+
￥1.786 ￥1.88

有货

立即购买

型号：FZT855TA 编号：C145106

封装：SOT-223