npn三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：FMMT493 编号：C20416645

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：VCE = 100V。 IC = 1A。 fT = 150MHz @ VCE = 10V, IC = 50mA, f = 100MHz。高电压和高电流。出色的hFE线性度。低噪声

10+
￥0.2664
100+
￥0.2112
300+
￥0.1836
3000+
￥0.1629
6000+
￥0.1463
9000+
￥0.138

有货

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型号：FMMT618 编号：C2910219

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：极低饱和电压。互补PNP类型：FMMT718。应用：栅极驱动MOSFET和IGBT。 DC-DC转换器

数据手册

20+
￥0.2689
200+
￥0.2165
600+
￥0.1874
3000+
￥0.1622

有货

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型号：BC847BT-7-F 编号：C156332

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。 IC = 100mA 集电极电流。外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑“绿色”器件。有符合汽车标准的部件可在单独的数据手册中获取

数据手册

10+
￥0.2738
100+
￥0.222
300+
￥0.1961
3000+
￥0.1636
6000+
￥0.148
9000+
￥0.1403

有货

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型号：BC639(RANGE:100-250) 编号：C2991984

封装：TO-92

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：高电流晶体管

数据手册

10+
￥0.2769
100+
￥0.2273
300+
￥0.2026
1000+
￥0.1789
5000+
￥0.164

有货

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型号：BC817-16LT1G 编号：C94373

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.2868
200+
￥0.2274
600+
￥0.1944
3000+
￥0.1431
9000+
￥0.1259

有货

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型号：MMBT1616A(RANGE:200-400) 编号：C62673

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：音频功率放大器。中速开关

数据手册

10+
￥0.3042
100+
￥0.2456
300+
￥0.2164
3000+
￥0.1883
6000+
￥0.1707

有货

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型号：TPFMMT493 编号：C49333213

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：低饱和电压。高hFE：最大300@250mA。 IC = 1A

10+
￥0.3169
100+
￥0.2483
300+
￥0.214
3000+
￥0.1882
6000+
￥0.1676

有货

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型号：D882 编号：C2891825

封装：SOT-89-3L

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：功率耗散

数据手册

10+
￥0.3261
100+
￥0.2637
300+
￥0.2325
1000+
￥0.1977
5000+
￥0.179
10000+
￥0.1696

有货

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型号：2SC4228 R45 编号：C48886741

封装：SOT-323

品牌：Slkor(萨科微)

特性：低噪声和高增益。高功率增益。应用：VHF、UHF和CATV频段的低噪声放大器

10+
￥0.3374
100+
￥0.2687
300+
￥0.2344
3000+
￥0.2087
6000+
￥0.1881
9000+
￥0.1778

有货

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型号：BC846BS,115 编号：C426779

封装：TSSOP-6(SOT-363)

品牌：Nexperia(安世)

采用超小型 SOT363（SC-88）表面贴装器件（SMD）塑料封装的 NPN/NPN 通用晶体管对。

数据手册

10+
￥0.364
100+
￥0.2912
300+
￥0.2549
3000+
￥0.2276
6000+
￥0.2058
9000+
￥0.1949

有货

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型号：MMBTA42-7-F 编号：C429857

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补PNP类型。适用于中功率放大和开关。也有无铅版本

数据手册

10+
￥0.3761
100+
￥0.3089
300+
￥0.2753
3000+
￥0.2417
6000+
￥0.2215

有货

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型号：CZT5551 编号：C46962152

封装：SOT-223

品牌：GOODWORK(固得沃克)

耐压:180V 电流:600mA NPN (hFE):80@1mA,5V

10+
￥0.387505 ￥0.4079
100+
￥0.305425 ￥0.3215
300+
￥0.264385 ￥0.2783
1000+
￥0.233605 ￥0.2459
5000+
￥0.209 ￥0.22
10000+
￥0.19665 ￥0.207

有货

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型号：DSS2540M-7B 编号：C2760641

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V (Ic = 500mA)。高集电极电流 Icm = 1A。峰值脉冲电流。功率耗散 Pd = 1000mW。低集电极-发射极饱和电压。封装尺寸 0.60mm²，比 SOT23 小 13 倍。封装高度 0.5mm，减少板外轮廓。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 JEDEC 标准，适用于高可靠性应用

数据手册

10+
￥0.416
100+
￥0.3381
300+
￥0.2991
1000+
￥0.2699
5000+
￥0.2367
10000+
￥0.225

有货

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型号：2SC2713-BL,LF 编号：C2880441

封装：TO-236-MOD

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于音频通用放大应用。

数据手册

10+
￥0.4473
100+
￥0.3513
300+
￥0.3033
3000+
￥0.2673
6000+
￥0.2385
9000+
￥0.224

有货

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型号：2SC3357-RE 编号：C193446

封装：SOT-89

品牌：SHIKUES(时科)

特性：高增益：|S21e|²典型值为10dB。低噪声：NF典型值为1.7dB。 ft（典型值）：典型值为6.5GHz

数据手册

5+
￥0.46987 ￥0.4946
50+
￥0.367745 ￥0.3871
150+
￥0.316635 ￥0.3333
1000+
￥0.2907 ￥0.306
2000+
￥0.26011 ￥0.2738
5000+
￥0.24472 ￥0.2576

有货

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型号：BC846BS,135 编号：C549462

封装：TSSOP-6-1.3mm

品牌：Nexperia(安世)

NPN/NPN通用晶体管对，采用非常小的SOT363 (SC-88)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

数据手册

5+
￥0.4806
50+
￥0.3822
150+
￥0.3329
500+
￥0.296
2500+
￥0.2664
5000+
￥0.2516

有货

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型号：BCP56T1G 编号：C7422630

封装：SOT-223

品牌：FUXINSEMI(富芯森美)

特性：适用于AF驱动器和输出级。高集电极电流。低集电极-发射极饱和电压。互补类型：BCP51 ... BCP53（PNP）

5+
￥0.5427
50+
￥0.4467
150+
￥0.3987
1000+
￥0.3161
2000+
￥0.2873
5000+
￥0.2728

有货

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型号：D882M(RANGE:200-400) 编号：C111544

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：功率耗散

数据手册

5+
￥0.6241
50+
￥0.5041
150+
￥0.4441
500+
￥0.3991
2500+
￥0.3456
5000+
￥0.3275

有货

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型号：FMMT495TA 编号：C47296

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A，可保持高电流增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

5+
￥1.0202
50+
￥0.8002
150+
￥0.6902
500+
￥0.6077
3000+
￥0.5417

有货

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型号：BFP650H6327 编号：C151520

封装：SOT-343-4

品牌：Infineon(英飞凌)

射频三极管 NPN

数据手册

5+
￥1.2185
50+
￥1.0802
150+
￥1.021
500+
￥0.947
3000+
￥0.7198
6000+
￥0.7

有货

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型号：FZT653TA 编号：C155223

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。高连续电流：IC = 2A。峰值脉冲电流：ICM = 6A。低饱和电压：VCE(SAT) < 300mV @ 1A。互补PNP类型。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥1.9065
50+
￥1.4851
150+
￥1.3045
1000+
￥1.0553
2000+
￥0.955

有货

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型号：TIP31C 编号：C13506

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

互补硅功率晶体管

数据手册

5+
￥2.4138
50+
￥1.9236
150+
￥1.7135
500+
￥1.4513
2400+
￥1.3346
4800+
￥1.2645

有货

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型号：ZXTN25100BFHTA 编号：C154766

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 BVCEX > 170V，正向阻断电压。 BV ECO > 6V，反向阻断电压。 IC = 3A，高连续集电极电流。低饱和电压，VCE(SAT) < 80mV @1A。 RCE(SAT) = 67mΩ，低等效导通电阻。应用：灯继电器和螺线管驱动器。汽车和工业应用中的通用开关

数据手册

1+
￥4.12
10+
￥3.39
30+
￥3.02
100+
￥2.66
500+
￥2.44
1000+
￥2.33

有货

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型号：FZT857TA 编号：C460220

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 300V。高连续集电极电流 IC = 3.5A。峰值脉冲电流 ICM = 5A。极低饱和电压 VCE(SAT) < 155mV @ 1A。低等效导通电阻 RCE(SAT) = 87mΩ。 hFE 高达 3A 时仍有高增益保持。互补 PNP 型：FZT957。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册