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首页 > 热门关键词 > npn三极管
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操作
特性:高击穿电压和电流。 出色的直流电流增益线性度。 与2SB1260互补。 低集电极-发射极饱和电压
数据手册
  • 10+

    ¥0.385
  • 100+

    ¥0.308
  • 300+

    ¥0.2696
  • 1000+

    ¥0.2407
  • 5000+

    ¥0.2177
  • 10000+

    ¥0.2061
  • 有货
  • 采用SOT23塑料封装的NPN型高压晶体管。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3979
    • 100+

      ¥0.3115
    • 300+

      ¥0.2683
    • 3000+

      ¥0.2359
    • 6000+

      ¥0.21
    • 9000+

      ¥0.197
  • 有货
  • 特性:低VCE(sat)。 大电流容量
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4387
    • 100+

      ¥0.3523
    • 300+

      ¥0.3091
    • 1000+

      ¥0.2748
    • 5000+

      ¥0.2489
    • 10000+

      ¥0.2359
  • 有货
  • 特性:功率耗散
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4844
    • 100+

      ¥0.4034
    • 300+

      ¥0.3629
    • 1000+

      ¥0.2987
    • 5000+

      ¥0.2744
    • 10000+

      ¥0.2623
  • 有货
  • NPN/NPN通用双晶体管,采用SOT457 (SC-74)塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0364
    • 50+

      ¥0.83
    • 150+

      ¥0.7416
    • 500+

      ¥0.6313
    • 3000+

      ¥0.5822
    • 6000+

      ¥0.5527
  • 有货
  • BFP420是一款基于接地发射极(SIEGET™)的低噪声器件,属于英飞凌成熟的第四代射频双极晶体管系列。其25 GHz的特征频率fₜ、高增益和低电流特性,使该器件适用于高达10 GHz的振荡器。它在保证易用性的同时,还具有成本竞争力
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2065
    • 50+

      ¥1.06
    • 150+

      ¥0.9868
    • 500+

      ¥0.9319
    • 3000+

      ¥0.822
    • 6000+

      ¥0.8
  • 有货
  • NPN中功率晶体管,采用中功率SOT223 (SC-73)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1198
    • 50+

      ¥1.6561
    • 150+

      ¥1.4574
    • 1000+

      ¥1.2095
    • 2000+

      ¥1.0991
    • 5000+

      ¥1.0328
  • 有货
  • 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 50+

      ¥0.0538
    • 500+

      ¥0.0425
    • 3000+

      ¥0.0362
    • 6000+

      ¥0.0324
    • 24000+

      ¥0.0291
  • 有货
  • NPN 25V 0.5A 0.3W 150MHz hfe:120-400
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0571
    • 500+

      ¥0.0439
    • 3000+

      ¥0.0366
    • 6000+

      ¥0.0322
    • 24000+

      ¥0.0284
  • 有货
  • 特性:与S8550互补,集电极电流:Ic = 0.5A。标记:J3Y
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0626
    • 500+

      ¥0.0496
    • 3000+

      ¥0.0371
    • 6000+

      ¥0.0328
    • 24000+

      ¥0.029
    • 51000+

      ¥0.027
  • 有货
  • 放大倍数200-350 1500MA电流
    • 50+

      ¥0.063
    • 500+

      ¥0.0501
    • 3000+

      ¥0.0429
    • 6000+

      ¥0.0386
    • 24000+

      ¥0.0349
  • 有货
  • 用于开关和放大应用的NPN硅通用晶体管。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0641
    • 500+

      ¥0.0497
    • 3000+

      ¥0.0409
    • 6000+

      ¥0.0362
    • 24000+

      ¥0.032
  • 有货
  • 特性:适用于开关和音频放大器应用。 晶体管根据其直流电流增益分为四组:O、Y、G 和 L。 SOT-23封装
    数据手册
    • 50+

      ¥0.07353 ¥0.0774
    • 500+

      ¥0.059185 ¥0.0623
    • 3000+

      ¥0.04693 ¥0.0494
    • 6000+

      ¥0.04218 ¥0.0444
    • 24000+

      ¥0.038 ¥0.04
    • 51000+

      ¥0.03572 ¥0.0376
  • 有货
  • NPN 电流:500mA 电压:30V
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0955
    • 500+

      ¥0.075
    • 3000+

      ¥0.0631
    • 6000+

      ¥0.0563
    • 24000+

      ¥0.0503
    • 51000+

      ¥0.0471
  • 有货
  • 晶体管类型: NPN,集电极电流(Ic): 600mA,集射极击穿电压 60V,耗散功率(Pd): 250mW
    • 50+

      ¥0.0964
    • 500+

      ¥0.0743
    • 3000+

      ¥0.0621
    • 6000+

      ¥0.0547
    • 24000+

      ¥0.0484
    • 51000+

      ¥0.0449
  • 有货
  • 特性:驱动晶体管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1636
    • 200+

      ¥0.1298
    • 600+

      ¥0.111
    • 3000+

      ¥0.0997
    • 9000+

      ¥0.0899
    • 21000+

      ¥0.0847
  • 有货
  • 通用小信号放大器 (50V, 150mA)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2189
    • 200+

      ¥0.1733
    • 600+

      ¥0.1479
    • 3000+

      ¥0.1327
    • 9000+

      ¥0.1195
    • 21000+

      ¥0.1125
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP型(PZT2907A)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4513
    • 100+

      ¥0.362
    • 300+

      ¥0.3174
    • 2500+

      ¥0.2746
    • 5000+

      ¥0.2478
    • 10000+

      ¥0.2344
  • 有货
  • 特性:高电压:适用于高电压放大器应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4611
    • 100+

      ¥0.3683
    • 300+

      ¥0.3219
    • 2500+

      ¥0.287
    • 5000+

      ¥0.2592
    • 10000+

      ¥0.2453
  • 有货
  • 特性:低噪声和高增益。典型噪声系数NF = 1.1dB,典型增益G = 11dB,条件为Vce = 10V,Ic = 7mA,f = 1.0GHz。 高功率增益。典型最大可用增益MAG = 13dB,条件为Vce = 10V,Ic = 20mA,f = 1.0GHz。应用:设计用于甚高频(VHF)、超高频(UHF)和有线电视(CATV)频段的低噪声放大器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.501505 ¥0.5279
    • 50+

      ¥0.406695 ¥0.4281
    • 150+

      ¥0.35929 ¥0.3782
    • 500+

      ¥0.32376 ¥0.3408
    • 3000+

      ¥0.29526 ¥0.3108
    • 6000+

      ¥0.28101 ¥0.2958
  • 有货
  • 特性:用于音频驱动和输出级。 集电极电流高。 集电极-发射极饱和电压低。 互补类型:BCP51 ... BCP53(PNP)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.5271
    • 100+

      ¥0.4313
    • 300+

      ¥0.3834
    • 2500+

      ¥0.3109
    • 5000+

      ¥0.2821
    • 10000+

      ¥0.2677
  • 有货
  • 特性:功率耗散
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5845
    • 50+

      ¥0.467
    • 150+

      ¥0.4082
    • 500+

      ¥0.3641
    • 2500+

      ¥0.3288
    • 5000+

      ¥0.3111
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 100V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性达到 2A 以保持高电流增益。 互补 PNP 类型:FMMT593。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该部件符合 AEC-Q101 标准,具备 PPAP 能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6985
    • 50+

      ¥0.5754
    • 150+

      ¥0.5138
    • 500+

      ¥0.4676
    • 3000+

      ¥0.4307
    • 6000+

      ¥0.4122
  • 有货
  • 特性:适用于功率开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8666
    • 50+

      ¥0.71
    • 150+

      ¥0.6318
    • 500+

      ¥0.5731
    • 2500+

      ¥0.5
    • 5000+

      ¥0.4765
  • 有货
  • 本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;主要应用于超高频微波、高频宽带低噪声放大器中,适合中功率高频信号放大。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0716
    • 50+

      ¥0.8549
    • 150+

      ¥0.762
    • 1000+

      ¥0.6461
    • 2000+

      ¥0.5945
    • 5000+

      ¥0.5635
  • 有货
  • NPN低VCEsat晶体管,采用中功率SOT89 (SC-62)封装。PNP互补型号为PBSS540X。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6514
    • 50+

      ¥1.2801
    • 150+

      ¥1.1209
    • 500+

      ¥0.9224
    • 2500+

      ¥0.834
    • 4000+

      ¥0.7809
  • 有货
  • NPN通用晶体管,采用小型SOT23 (TO236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    • 5+

      ¥2.0658
    • 50+

      ¥1.6641
    • 150+

      ¥1.4919
    • 500+

      ¥1.2771
    • 3000+

      ¥1.1336
    • 6000+

      ¥1.0762
  • 有货
  • NPN BISS晶体管采用SOT23塑料封装,提供超低的VcEsat和RcEsat参数。PNP互补型号为PBSS5120T。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0743
    • 50+

      ¥1.6316
    • 150+

      ¥1.4419
    • 500+

      ¥1.2052
    • 3000+

      ¥1.0998
    • 6000+

      ¥1.0365
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 150V。 IC = 1A 高连续电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 0.5A。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。应用:低损耗功率开关
    数据手册
    • 5+

      ¥3.1428
    • 50+

      ¥2.6437
    • 150+

      ¥2.4297
    • 1000+

      ¥1.7966
    • 2000+

      ¥1.6778
  • 有货
  • 应用于放大器低电平和低噪声。
    数据手册
    • 100+

      ¥0.034085 ¥0.0401
    • 1000+

      ¥0.026775 ¥0.0315
    • 3000+

      ¥0.022695 ¥0.0267
    • 9000+

      ¥0.02023 ¥0.0238
    • 45000+

      ¥0.018105 ¥0.0213
    • 90000+

      ¥0.016915 ¥0.0199
  • 有货
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