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首页 > 热门关键词 > pnp三极管
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该SOT-223封装PNP三极管,具备80V高耐压VCEO和1A集电极电流,放大倍数范围63至250,适用于中高压、大电流环境下的开关及线性放大电路设计,是工业控制、电源管理等领域的重要半导体组件。
数据手册
  • 10+

    ¥0.313596 ¥0.3372
  • 100+

    ¥0.260028 ¥0.2796
  • 300+

    ¥0.233244 ¥0.2508
  • 1000+

    ¥0.189348 ¥0.2036
  • 5000+

    ¥0.173259 ¥0.1863
  • 10000+

    ¥0.165261 ¥0.1777
  • 有货
  • PNP开关晶体管,采用非常小的SOT363 (TSSOP6) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5303
    • 50+

      ¥0.4288
    • 150+

      ¥0.378
    • 500+

      ¥0.317384 ¥0.3272
    • 3000+

      ¥0.287799 ¥0.2967
    • 6000+

      ¥0.273055 ¥0.2815
  • 有货
  • 特性:低速开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6189
    • 50+

      ¥0.5013
    • 200+

      ¥0.418
    • 400+

      ¥0.3739
    • 2400+

      ¥0.3386
  • 有货
  • 特性:低速度开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6548
    • 50+

      ¥0.5323
    • 150+

      ¥0.471
    • 500+

      ¥0.4251
    • 2500+

      ¥0.3883
    • 5000+

      ¥0.37
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -40V。 IC = -200mA 高集电极电流。 一对本质匹配的 PNP 晶体管。 电流增益(hFE)匹配度为 2%。 基极-发射极电压(VBE)匹配度为 2mV。 在小型表面贴装封装中完全内部隔离。应用:电流镜。 差分和仪表放大器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8554
    • 50+

      ¥0.6906
    • 150+

      ¥0.6081
    • 500+

      ¥0.5463
    • 3000+

      ¥0.4968
    • 6000+

      ¥0.4721
  • 有货
  • 特性:BVC E O >-40V。I_C =-1.5A 连续集电极电流。I_CM =-4A 峰值脉冲电流。低饱和电压 V_CE(sat) <-220mV @-1A。R_CE(SAT) = 163mΩ,低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用:栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2424
    • 50+

      ¥1.0047
    • 150+

      ¥0.9029
    • 500+

      ¥0.7758
    • 3000+

      ¥0.6456
    • 6000+

      ¥0.6116
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -60V。 IC = -6A 连续集电极电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -95mV 最大值 @ -1A。 RCE(sat) = 40mΩ 低等效导通电阻。 hFE 指定至 -10A 以实现高增益保持。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。应用:电机驱动。 DC-DC 模块
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8545
    • 50+

      ¥1.5007
    • 150+

      ¥1.349
    • 1000+

      ¥1.1598
    • 2000+

      ¥1.0756
    • 5000+

      ¥1.025
  • 有货
  • 互补硅功率晶体管
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2646
    • 50+

      ¥1.8009
    • 150+

      ¥1.6022
    • 500+

      ¥1.3543
    • 2000+

      ¥1.2439
    • 5000+

      ¥1.1776
  • 有货
  • 该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.43
    • 10+

      ¥1.88
    • 30+

      ¥1.65
    • 100+

      ¥1.36
    • 500+

      ¥1.23
    • 1000+

      ¥1.15
  • 有货
  • 采用SOT223(SC - 73)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP低VCEsat小信号突破(BISS)晶体管。NPN互补型号:PBSS304NZ。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.81
    • 10+

      ¥3.09
    • 30+

      ¥2.78
    • 100+

      ¥2.39
    • 500+

      ¥2.18
    • 1000+

      ¥2.08
  • 有货
  • PNP低VCEsat 小信号突破性(BISS)晶体管,采用中功率扁平引脚SOT89(SC-62)表面贴装器件(SMD)塑料封装。NPN互补型号为PBSS4041NX。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.65
    • 10+

      ¥4.57
    • 30+

      ¥4.03
    • 100+

      ¥3.49
    • 500+

      ¥3.17
    • 1000+

      ¥3
  • 有货
  • (hFE):300@10mA,1V
    • 100+

      ¥0.024985 ¥0.0263
    • 1000+

      ¥0.024415 ¥0.0257
    • 3000+

      ¥0.024035 ¥0.0253
    • 9000+

      ¥0.023655 ¥0.0249
  • 有货
  • 特性:高集电极电流。 与S8050互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.03465 ¥0.0693
    • 500+

      ¥0.0279 ¥0.0558
    • 3000+

      ¥0.02115 ¥0.0423
    • 6000+

      ¥0.0189 ¥0.0378
    • 24000+

      ¥0.01695 ¥0.0339
    • 51000+

      ¥0.0159 ¥0.0318
  • 有货
  • 特性:作为互补类型,推荐使用NPN晶体管MMBT3904
    • 100+

      ¥0.03686 ¥0.0388
    • 1000+

      ¥0.028785 ¥0.0303
    • 3000+

      ¥0.02413 ¥0.0254
    • 9000+

      ¥0.02147 ¥0.0226
    • 51000+

      ¥0.019095 ¥0.0201
    • 99000+

      ¥0.01786 ¥0.0188
  • 有货
  • PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 100+

      ¥0.0384
    • 1000+

      ¥0.0305
    • 3000+

      ¥0.0261
    • 9000+

      ¥0.0234
    • 51000+

      ¥0.0211
    • 99000+

      ¥0.0199
  • 有货
  • 特性:与MMBT3904互补-表面贴装器件
    数据手册
    • 100+

      ¥0.04788 ¥0.0504
    • 1000+

      ¥0.03838 ¥0.0404
    • 3000+

      ¥0.03116 ¥0.0328
    • 9000+

      ¥0.028025 ¥0.0295
    • 51000+

      ¥0.02527 ¥0.0266
    • 99000+

      ¥0.02375 ¥0.025
  • 有货
  • 此款SOT-23封装PNP三极管,具有45V高耐压VCEO及0.1A集电极电流,放大倍数高达200至400,专为中等电压、微电流环境下的精密放大应用设计,是小型电子设备和高增益电路的理想半导体元件。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.05225 ¥0.055
    • 500+

      ¥0.040945 ¥0.0431
    • 3000+

      ¥0.033725 ¥0.0355
    • 6000+

      ¥0.029925 ¥0.0315
    • 24000+

      ¥0.0266 ¥0.028
    • 51000+

      ¥0.02489 ¥0.0262
  • 有货
  • 丝印2TY
    数据手册
    • 50+

      ¥0.066975 ¥0.0705
    • 500+

      ¥0.053485 ¥0.0563
    • 3000+

      ¥0.04294 ¥0.0452
    • 6000+

      ¥0.038475 ¥0.0405
    • 24000+

      ¥0.03458 ¥0.0364
    • 51000+

      ¥0.03249 ¥0.0342
  • 有货
  • 耐压:60V 电流:600mA PNP (hFE):300@150mA,10V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.08136 ¥0.0904
    • 200+

      ¥0.06435 ¥0.0715
    • 600+

      ¥0.0549 ¥0.061
    • 3000+

      ¥0.04482 ¥0.0498
    • 9000+

      ¥0.03996 ¥0.0444
    • 30000+

      ¥0.03726 ¥0.0414
  • 有货
  • 适用于低功耗、高增益电路设计,是各类精密电子设备和小型化项目的优质选择。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.085215 ¥0.0897
    • 500+

      ¥0.06726 ¥0.0708
    • 2000+

      ¥0.0513 ¥0.054
    • 5000+

      ¥0.045315 ¥0.0477
    • 25000+

      ¥0.04009 ¥0.0422
    • 50000+

      ¥0.03724 ¥0.0392
  • 有货
  • 特性:VCE = -40V。 IC = -0.6A。 fT = 200MHz @ VCE = -10V, IC = -20mA, f = 100MHz。 集电极电流高达 600mA。 适用于通用放大器和开关
    • 50+

      ¥0.0968
    • 500+

      ¥0.0747
    • 3000+

      ¥0.0624
    • 6000+

      ¥0.055
  • 有货
  • 特性:与MMBT5551互补,非常适合中功率放大和开关
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0994
    • 500+

      ¥0.0799
    • 3000+

      ¥0.0651
    • 6000+

      ¥0.0586
  • 有货
  • 特性:晶体管根据直流电流增益细分为Q、R和S三组
    数据手册
    • 50+

      ¥0.10583 ¥0.1114
    • 500+

      ¥0.08265 ¥0.087
    • 3000+

      ¥0.06973 ¥0.0734
    • 6000+

      ¥0.062035 ¥0.0653
    • 24000+

      ¥0.055385 ¥0.0583
    • 51000+

      ¥0.051775 ¥0.0545
  • 有货
  • 特性:集电极电流能力:IC = 500 mA。 集电极-发射极电压:VCEO(max) = 45 V。 通用开关和放大。 PNP 互补:LBC807 系列。 产品材料符合 RoHS 要求
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1109
    • 500+

      ¥0.0866
    • 3000+

      ¥0.0667
    • 6000+

      ¥0.0586
  • 有货
  • 特性:与MMBT5551互补。 外延平面芯片结构。 功率耗散为300mW
    数据手册
    • 20+

      ¥0.113
    • 200+

      ¥0.0888
    • 600+

      ¥0.0753
    • 3000+

      ¥0.064
    • 9000+

      ¥0.0569
    • 21000+

      ¥0.0532
  • 有货
  • 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):100nA
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1171
    • 200+

      ¥0.0909
    • 600+

      ¥0.0764
    • 3000+

      ¥0.0662
    • 9000+

      ¥0.0587
    • 21000+

      ¥0.0546
  • 有货
  • 特性:高集电极电流。 与SS8050互补
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1706
    • 200+

      ¥0.1366
    • 600+

      ¥0.1177
    • 3000+

      ¥0.1063
    • 9000+

      ¥0.0965
  • 有货
  • 特性:与S9013互补。 出色的hFE线性度
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1829
    • 200+

      ¥0.1453
    • 1000+

      ¥0.1244
    • 2000+

      ¥0.1119
    • 10000+

      ¥0.1011
  • 有货
  • 丝印2D
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1839
    • 200+

      ¥0.1493
    • 600+

      ¥0.1301
    • 3000+

      ¥0.109
    • 9000+

      ¥0.0991
  • 有货
  • 特性:适用于开关和放大器应用。 特别适用于音频驱动级和低功率输出级。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.20235 ¥0.213
    • 200+

      ¥0.15884 ¥0.1672
    • 600+

      ¥0.13471 ¥0.1418
    • 3000+

      ¥0.120175 ¥0.1265
    • 9000+

      ¥0.107635 ¥0.1133
    • 21000+

      ¥0.10089 ¥0.1062
  • 有货
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