pnp三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：NJVMJD32CT4G-VF01 编号：C904728

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

设计用于通用放大器和低速开关应用。

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1+
￥1.5235 ￥2.77
10+
￥1.098 ￥2.44
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￥0.798 ￥2.28
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￥0.7385 ￥2.11
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￥0.686 ￥1.96

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型号：PBHV9115Z,115 编号：C551775

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT223（SC - 73）中功率表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP高压低VCEsat晶体管。NPN互补型号：PBHV8115Z

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1+
￥1.5729 ￥3.21
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￥0.9828 ￥2.52
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￥0.6438 ￥2.22
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￥0.5365 ￥1.85
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型号：LBTP560Y3T1G 编号：C5273349

封装：SOT-89

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：低集电极-发射极饱和电压。高集电极电流能力。高集电极电流增益。由于发热少，效率高。所需印刷电路板 (PCB) 面积小。产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

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￥1.5914
50+
￥1.2934
150+
￥1.1657
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￥1.0064
2000+
￥0.9354
5000+
￥0.8929

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型号：2SA1952 编号：C2910354

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：SA-60V 中功率晶体管。适用于中功率驱动器。互补 NPN 类型。低集电极-发射极饱和电压。应用：中功率驱动器。 LED 驱动器

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5+
￥1.6002
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￥1.2676
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￥1.125
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型号：DXT790AP5-13 编号：C672304

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。连续集电极电流高：IC = -3A。脉冲峰值电流：ICM = -6A。比SOT223小43%；比TO252小60%。最大高度仅1.1mm。额定功率达3.2W。低饱和、高增益晶体管。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101高可靠性标准

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1+
￥1.96
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￥1.73
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型号：BC807DSF 编号：C549414

封装：SC-74

品牌：Nexperia(安世)

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1+
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￥1.93
30+
￥1.9
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￥1.8048 ￥1.88

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型号：PXTA92,115 编号：C553560

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

采用中功率扁平引脚SOT89（SC - 62）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP高压晶体管。NPN互补型号：PXTA42。

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￥2.0359
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型号：MJD42CJ 编号：C3198519

封装：DPAK

品牌：Nexperia(安世)

PNP高功率双极晶体管，采用功率DPAK、TO-252（SOT428C）表面贴装器件（SMD）塑料封装。NPN互补型号：MJD41C

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￥2.13
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￥2.09
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￥2.07
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￥1.9584 ￥2.04

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型号：FCX591TA 编号：C211424

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVC₍CE₎ >-60V。 I₍C₎ =-1A 高连续集电极电流。 I₍CM₎ =-2A 峰值集电极电流。 R₍CE(sat)₎ = 295mΩ 低等效导通电阻。 h₍FE₎ 在高达 2A 时具有高电流增益。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

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￥2.1412
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￥1.5319

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型号：PHPT61002PYCX 编号：C552663

封装：SOT-669

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT669（LFPAK56）表面贴装器件（SMD）功率塑料封装的PNP大功率双极晶体管。NPN互补型号：PHPT61002NYC。

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￥2.5694 ￥4.43
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￥1.7088 ￥3.56
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￥1.1894 ￥3.13
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￥1.026 ￥2.7
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￥0.9272 ￥2.44
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￥0.8778 ￥2.31

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型号：BCV64B,215 编号：C549622

封装：SOT-143

品牌：Nexperia(安世)

PNP通用双晶体管，采用小型SOT143B表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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￥2.72
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￥2.67
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￥2.63
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￥2.496 ￥2.6

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型号：PBSS306PX,115 编号：C551859

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT89（SC - 62/TO - 243）小型扁平引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。互补NPN型晶体管：PBSS306NX

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￥3.17
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￥2.51
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￥2.22
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￥1.87
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型号：BD242B 编号：C5456156

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

是安装在JEDEC TO-220塑料封装中的硅外延基NPN晶体管。适用于中功率线性和开关应用。互补PNP类型分别为BD242A、BD242B和BD242C。

1+
￥3.35
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￥2.68
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￥2.34
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￥2.01
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型号：FZT749TA 编号：C110505

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -25V。高连续电流：IC = -3A。峰值脉冲电流：ICM = -8A。低饱和电压：VCE(sat) < -300mV @ -1A。互补NPN类型。无铅表面处理；符合RoHS标准。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动

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1+
￥3.39
10+
￥2.77
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￥2.5
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型号：FZT593TA 编号：C526625

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。高连续电流：IC = -1A。峰值脉冲电流：ICM = -2A。低饱和电压。互补NPN类型。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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￥3.64
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￥2.64
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￥2.26
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￥2.09

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型号：ZXTD720MCTA 编号：C155327

封装：DFN-8-EP(3x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-3A 连续集电极电流。低饱和电压 (- 220mV @-1A)。 RSAT = 104mΩ 低等效导通电阻。 hFE 指定至-3A，保持高增益。双 NPN 节省空间和元件数量。应用：DC-DC 转换器。充电电路

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￥3.88
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￥3.29
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￥3
100+
￥2.71
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￥2.53

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型号：ZXTP2008GTA 编号：C151587

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -30V。 IC = -5.5A 连续集电极电流。 ICM = -20A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT)< -60mV 最大 @ -1A。 RSAT = 31mΩ @ -5.5A 低等效导通电阻。出色的增益线性度低至 -10mA。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器

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