pnp三极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23

特性：20V。 -1A 连续集电极电流。 -2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -320mV@ -1A。 hFE 特性高达 -1.5A，可保持高电流增益。 500mW 功率耗散。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC 转换器

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5+
￥0.9624
50+
￥0.8582
150+
￥0.8135
500+
￥0.7577

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型号：BCX53,115 编号：C179344

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

PNP 中功率晶体管系列，采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥1.0008
50+
￥0.8537
150+
￥0.7802
1000+
￥0.725
2000+
￥0.6809
5000+
￥0.6588

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型号：2SA1298-Y,LF 编号：C146432

封装：SOT-23

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 100 至 320。低饱和电压：VCE(sat) = -0.4V（最大值）（IC = -500 mA，IB = -20 mA）。适用于小型电机驱动级。与 2SC3265 互补。小封装。应用：低频功率放大器应用。功率开关应用

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5+
￥1.0177
50+
￥0.7909
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￥0.6937
500+
￥0.5725

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型号：MJE172 编号：C22466879

封装：TO-126

品牌：GOODWORK(固得沃克)

PNP 电流:3A 耐压:80V (hFE):250@1.5A,1V

5+
￥1.114635 ￥1.1733
50+
￥0.875235 ￥0.9213
150+
￥0.772635 ￥0.8133
500+
￥0.64467 ￥0.6786
2500+
￥0.58767 ￥0.6186
5000+
￥0.553375 ￥0.5825

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型号：DMMT3906-7-F 编号：C526572

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。本质匹配的 PNP 对。小表面贴装封装。 2% hFE 匹配公差。无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

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5+
￥1.1386
50+
￥1.0153
150+
￥0.9624
500+
￥0.8964

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型号：PBHV9040Z,115 编号：C456082

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT223（SC - 73）中功率表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP高压低VCEsat晶体管。互补NPN型：PBHV8540Z

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5+
￥1.2307
50+
￥0.9598
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￥0.8437
1000+
￥0.6989
2000+
￥0.6344
5000+
￥0.5957

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型号：BCP53T1G 编号：C134063

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件安装在 SOT-223 封装中，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.3249
50+
￥1.0351
150+
￥0.9109
1000+
￥0.7559
2000+
￥0.6869
5000+
￥0.6455

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型号：2SB1260T100Q 编号：C308642

封装：SOT-89

品牌：ROHM(罗姆)

特性：适用于中功率驱动器。互补NPN类型。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat)最大为-0.4V（IC / IB = -500 mA / -50 mA）。无铅/符合RoHS标准。应用：电机驱动器。 LED驱动器

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5+
￥1.4048
50+
￥1.1152
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￥0.9911
1000+
￥0.8363

有货

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型号：PBSS5160DS,115 编号：C551954

封装：SOT-457

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP/PNP低VCEsat晶体管对。NPN互补型号：PBSS4160DS

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5+
￥1.46
50+
￥1.1804
150+
￥1.0605
500+
￥0.911
3000+
￥0.8444
6000+
￥0.8045

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型号：NJVMJD32CT4G-VF01 编号：C904728

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

设计用于通用放大器和低速开关应用。

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1+
￥1.5235 ￥2.77
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￥1.098 ￥2.44
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￥0.798 ￥2.28
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￥0.7385 ￥2.11
500+
￥0.7035 ￥2.01
1000+
￥0.686 ￥1.96

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型号：DPLS350E-13 编号：C460719

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构，非常适合自动化组装过程。适用于中功率开关或放大应用。设计无铅/RoHS 合规。 “绿色”器件

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5+
￥1.5287
50+
￥1.2481
150+
￥1.1279
500+
￥0.9779

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型号：MJD253T4G 编号：C233693

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于低电压、低功率和高增益音频放大器应用。

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5+
￥1.599
50+
￥1.2716
150+
￥1.1313
500+
￥0.9563
2500+
￥0.8783
5000+
￥0.8315

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型号：KTA1040D-Y-RTF/P 编号：C69791

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：KEC

特性：低集电极饱和电压：在集电极电流（Ic）为 -2A、基极电流（Ib）为 -0.2A 时，集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）最大为 -1.0V。直引脚（IPAK，“L”后缀）。与 KTC2020D/L 互补

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1+
￥1.7398
10+
￥1.5343
30+
￥1.4463
100+
￥1.3364
500+
￥1.2875
1000+
￥1.2582

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型号：FMMT720QTA 编号：C177045

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVC E O >-40V。I_C =-1.5A 连续集电极电流。I_CM =-4A 峰值脉冲电流。低饱和电压 V_CE(sat) <-220mV @-1A。R_CE(SAT) = 163mΩ，低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器

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5+
￥1.7763
50+
￥1.5839
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￥1.5014
500+
￥1.3985

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型号：BCP69-25,115 编号：C549607

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

PNP 中功率晶体管系列，采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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5+
￥1.897929 ￥1.9171
50+
￥1.466542 ￥1.6478
150+
￥1.210596 ￥1.5324
1000+
￥1.050858 ￥1.3302
2000+
￥1.000219 ￥1.2661
5000+
￥0.969804 ￥1.2276

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型号：2SAR542PT100 编号：C308633

封装：SOT-89

品牌：ROHM(罗姆)

特性：适合中功率驱动器。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) 最大为 -0.4V（IC / IB = -2A / -100mA）。无铅/符合 RoHS 标准。应用：电机驱动器。 LED 驱动器

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5+
￥1.9119
50+
￥1.484
150+
￥1.3005

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型号：BCP53,115 编号：C18737

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

PNP 中功率晶体管系列。

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5+
￥1.9487
50+
￥1.5203
150+
￥1.3367
1000+
￥1.0813
2000+
￥0.9793
5000+
￥0.9181

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型号：FCX591TA 编号：C211424

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVC₍CE₎ >-60V。 I₍C₎ =-1A 高连续集电极电流。 I₍CM₎ =-2A 峰值集电极电流。 R₍CE(sat)₎ = 295mΩ 低等效导通电阻。 h₍FE₎ 在高达 2A 时具有高电流增益。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

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