pnp三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PBSS5350T,215 编号：C179405

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。NPN互补型号：PBSS4350T

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型号：PXT2907A,115 编号：C426880

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

PNP 开关晶体管，采用中功率扁平引脚 SOT89 (SC-62/TO-243) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：2DA1971-7 编号：C531173

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。IC = -0.5A 连续集电极电流。ICM = 1A 峰值脉冲电流。高增益:hFE = 140 @ IC = -100mA。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。应用：高压开关

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型号：MJD32CQ 编号：C20602014

封装：TO-252

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。湿度敏感度等级为1。应用：通用放大器和低速开关应用

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型号：NSS1C200LT1G 编号：C232619

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

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型号：NJT4030PT1G 编号：C233756

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

低饱和电压和高增益组合使得此双极功率晶体管成为适用于节电高速开关应用中的理想器件。

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型号：BSR33TA 编号：C129775

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -80V。 IC = -1A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -150mA。互补型 BSR43。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：负载管理功能。 solenoid、继电器和执行器驱动器

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￥2.2553
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型号：NSS12100XV6T1G 编号：C232473

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

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型号：2SB1123T-TD-E 编号：C604955

封装：SOT-89

品牌：onsemi(安森美)

2SB1123 是一款双极晶体管，-50V -2A，低饱和压，(PNP)NPN 单 PCP，用于高电流开关应用。

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型号：TTA004B,Q(S 编号：C5155086

封装：TO-126N

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高集电极电压：VCEO = -160V (min)。与TTC004B互补。小集电极输出电容：Cob = 17 pF (typ.)。高过渡频率：fT = 100 MHz (typ.)。应用：音频放大器

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型号：PBHV9050T,215 编号：C456134

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

PNP高压低VCEsat晶体管采用SOT23小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。NPN互补型号为PMBTA45。

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型号：FZT792ATA 编号：C115948

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -70V。 Ic Max.-2A High Continuous Current。低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。互补 NPN 类型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：电池供电电路

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型号：ZXTP2027FTA 编号：C460293

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。高连续集电极电流:IC = -4A。峰值脉冲电流:ICM = -10A。低饱和电压:最大 40mV @ IC = -1A。低等效导通电阻:IC = 1A 时,RCE(SAT) = 45mΩ。功率耗散:1.2W。应用：驱动 MOSFET 和 IGBT 的栅极。电机驱动

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￥3.93
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型号：FZT789ATA 编号：C460089

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-25V。 IC =-3A 高持续电流。低饱和电压 VCE(sat) <-250mV @-1A。 RCE(sat) = 93mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定至-6A，高增益保持。互补 NPN 类型：FZT689B。应用：功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。电池供电电路

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