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首页 > 热门关键词 > 13001三极管
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操作
放大倍数200-350 1500MA电流
  • 50+

    ¥0.063
  • 500+

    ¥0.0501
  • 3000+

    ¥0.0429
  • 6000+

    ¥0.0386
  • 24000+

    ¥0.0349
  • 有货
  • 用于开关和放大应用的NPN硅通用晶体管。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0641
    • 500+

      ¥0.0497
    • 3000+

      ¥0.0409
    • 6000+

      ¥0.0362
    • 24000+

      ¥0.032
  • 有货
  • 特性:适用于开关和音频放大器应用。 晶体管根据其直流电流增益分为四组:O、Y、G 和 L。 SOT-23封装
    数据手册
    • 50+

      ¥0.07353 ¥0.0774
    • 500+

      ¥0.059185 ¥0.0623
    • 3000+

      ¥0.04693 ¥0.0494
    • 6000+

      ¥0.04218 ¥0.0444
    • 24000+

      ¥0.038 ¥0.04
    • 51000+

      ¥0.03572 ¥0.0376
  • 有货
  • 特性:产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0794
    • 500+

      ¥0.0617
    • 3000+

      ¥0.0518
    • 6000+

      ¥0.0459
    • 24000+

      ¥0.0407
    • 51000+

      ¥0.038
  • 有货
  • 晶体管类型: PNP,集电极电流(Ic): 1.5A,集射极击穿电压 25V,耗散功率(Pd); 300mW
    • 50+

      ¥0.0902
    • 500+

      ¥0.0696
    • 3000+

      ¥0.0581
    • 6000+

      ¥0.0512
    • 24000+

      ¥0.0453
    • 51000+

      ¥0.042
  • 有货
  • NPN 电流:500mA 电压:30V
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0955
    • 500+

      ¥0.075
    • 3000+

      ¥0.0631
    • 6000+

      ¥0.0563
    • 24000+

      ¥0.0503
    • 51000+

      ¥0.0471
  • 有货
  • 晶体管类型: NPN,集电极电流(Ic): 600mA,集射极击穿电压 60V,耗散功率(Pd): 250mW
    • 50+

      ¥0.0964
    • 500+

      ¥0.0743
    • 3000+

      ¥0.0621
    • 6000+

      ¥0.0547
    • 24000+

      ¥0.0484
    • 51000+

      ¥0.0449
  • 有货
  • 特性:与BC817互补。 高集电极电流。 外延平面管芯结构。 高电流增益。 表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.10773 ¥0.1134
    • 500+

      ¥0.08569 ¥0.0902
    • 3000+

      ¥0.069825 ¥0.0735
    • 6000+

      ¥0.06251 ¥0.0658
    • 24000+

      ¥0.056145 ¥0.0591
    • 51000+

      ¥0.052725 ¥0.0555
  • 有货
  • 特性:非常适合自动插入。 外延平面管芯结构。 有互补NPN类型(BC817)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1143
    • 500+

      ¥0.09
    • 3000+

      ¥0.0765
    • 6000+

      ¥0.0684
    • 24000+

      ¥0.0614
  • 有货
  • 特性:产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力。 低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) ≤ 0.4V。 简化电路设计。 减少电路板空间。 减少元件数量。 直流电流增益(hFE)为100-300
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1371
    • 200+

      ¥0.1061
    • 600+

      ¥0.0889
    • 3000+

      ¥0.0786
    • 9000+

      ¥0.0696
    • 21000+

      ¥0.0648
  • 有货
  • 这款SOT-89封装的PNP型三极管,拥有25V的VCEO耐压值和1.5A的稳定集电极电流IC,其放大倍数范围在200至300之间,适用于高增益、大电流应用场景,是您电子设计与制造的理想选择。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1565
    • 200+

      ¥0.1209
    • 1000+

      ¥0.1016
    • 2000+

      ¥0.0898
    • 10000+

      ¥0.0795
    • 20000+

      ¥0.0739
  • 有货
  • 特性:驱动晶体管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1636
    • 200+

      ¥0.1298
    • 600+

      ¥0.111
    • 3000+

      ¥0.0997
    • 9000+

      ¥0.0899
    • 21000+

      ¥0.0847
  • 有货
  • 此 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-416/SC-75 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1653
    • 200+

      ¥0.1292
    • 600+

      ¥0.1092
    • 3000+

      ¥0.0927
    • 9000+

      ¥0.0823
    • 21000+

      ¥0.0767
  • 有货
  • 通用小信号放大器 (50V, 150mA)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2189
    • 200+

      ¥0.1733
    • 600+

      ¥0.1479
    • 3000+

      ¥0.1327
    • 9000+

      ¥0.1195
    • 21000+

      ¥0.1125
  • 有货
  • 此款SOT-23封装的PNP三极管,具备40V高击穿电压VCEO和1.5A大电流承载能力,放大倍数高达300至480,尤其适用于需要高增益、大电流处理能力的电子电路中,提供卓越的信号放大功能。
    • 10+

      ¥0.284952 ¥0.3064
    • 100+

      ¥0.224688 ¥0.2416
    • 300+

      ¥0.194556 ¥0.2092
    • 3000+

      ¥0.160239 ¥0.1723
    • 6000+

      ¥0.142197 ¥0.1529
    • 9000+

      ¥0.133083 ¥0.1431
  • 有货
  • 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):80V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):1W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@5mA,2V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3382 ¥0.356
    • 100+

      ¥0.27436 ¥0.2888
    • 300+

      ¥0.24244 ¥0.2552
    • 1000+

      ¥0.19722 ¥0.2076
    • 5000+

      ¥0.17803 ¥0.1874
    • 10000+

      ¥0.16853 ¥0.1774
  • 有货
  • 采用超小型SOT323(SC - 70)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP通用晶体管。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3636
    • 100+

      ¥0.283
    • 300+

      ¥0.2427
    • 3000+

      ¥0.2125
    • 6000+

      ¥0.1883
    • 9000+

      ¥0.1763
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP型(PZT2907A)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4513
    • 100+

      ¥0.362
    • 300+

      ¥0.3174
    • 2500+

      ¥0.2746
    • 5000+

      ¥0.2478
    • 10000+

      ¥0.2344
  • 有货
  • 特性:高电压:适用于高电压放大器应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4611
    • 100+

      ¥0.3683
    • 300+

      ¥0.3219
    • 2500+

      ¥0.287
    • 5000+

      ¥0.2592
    • 10000+

      ¥0.2453
  • 有货
  • 特性:低噪声和高增益。典型噪声系数NF = 1.1dB,典型增益G = 11dB,条件为Vce = 10V,Ic = 7mA,f = 1.0GHz。 高功率增益。典型最大可用增益MAG = 13dB,条件为Vce = 10V,Ic = 20mA,f = 1.0GHz。应用:设计用于甚高频(VHF)、超高频(UHF)和有线电视(CATV)频段的低噪声放大器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.501505 ¥0.5279
    • 50+

      ¥0.406695 ¥0.4281
    • 150+

      ¥0.35929 ¥0.3782
    • 500+

      ¥0.32376 ¥0.3408
    • 3000+

      ¥0.29526 ¥0.3108
    • 6000+

      ¥0.28101 ¥0.2958
  • 有货
  • 特性:用于音频驱动和输出级。 集电极电流高。 集电极-发射极饱和电压低。 互补类型:BCP51 ... BCP53(PNP)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.5271
    • 100+

      ¥0.4313
    • 300+

      ¥0.3834
    • 2500+

      ¥0.3109
    • 5000+

      ¥0.2821
    • 10000+

      ¥0.2677
  • 有货
  • 采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP通用晶体管。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.562
    • 100+

      ¥0.4828
    • 300+

      ¥0.4432
    • 3000+

      ¥0.4135
    • 6000+

      ¥0.3897
    • 9000+

      ¥0.3779
  • 有货
  • 特性:功率耗散
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5845
    • 50+

      ¥0.467
    • 150+

      ¥0.4082
    • 500+

      ¥0.3641
    • 2500+

      ¥0.3288
    • 5000+

      ¥0.3111
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 100V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性达到 2A 以保持高电流增益。 互补 PNP 类型:FMMT593。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该部件符合 AEC-Q101 标准,具备 PPAP 能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6985
    • 50+

      ¥0.5754
    • 150+

      ¥0.5138
    • 500+

      ¥0.4676
    • 3000+

      ¥0.4307
    • 6000+

      ¥0.4122
  • 有货
  • 特性:适用于功率开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8666
    • 50+

      ¥0.71
    • 150+

      ¥0.6318
    • 500+

      ¥0.5731
    • 2500+

      ¥0.5
    • 5000+

      ¥0.4765
  • 有货
  • 本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;主要应用于超高频微波、高频宽带低噪声放大器中,适合中功率高频信号放大。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0716
    • 50+

      ¥0.8549
    • 150+

      ¥0.762
    • 1000+

      ¥0.6461
    • 2000+

      ¥0.5945
    • 5000+

      ¥0.5635
  • 有货
  • NPN低VCEsat晶体管,采用中功率SOT89 (SC-62)封装。PNP互补型号为PBSS540X。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6514
    • 50+

      ¥1.2801
    • 150+

      ¥1.1209
    • 500+

      ¥0.9224
    • 2500+

      ¥0.834
    • 4000+

      ¥0.7809
  • 有货
  • PNP晶体管采用SOT23塑料封装。NPN互补型号:BCX19。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0479
    • 50+

      ¥1.6145
    • 150+

      ¥1.4288
    • 500+

      ¥1.197
    • 3000+

      ¥1.0938
    • 6000+

      ¥1.0319
  • 有货
  • NPN通用晶体管,采用小型SOT23 (TO236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    • 5+

      ¥2.0658
    • 50+

      ¥1.6641
    • 150+

      ¥1.4919
    • 500+

      ¥1.2771
    • 3000+

      ¥1.1336
    • 6000+

      ¥1.0762
  • 有货
  • NPN BISS晶体管采用SOT23塑料封装,提供超低的VcEsat和RcEsat参数。PNP互补型号为PBSS5120T。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0743
    • 50+

      ¥1.6316
    • 150+

      ¥1.4419
    • 500+

      ¥1.2052
    • 3000+

      ¥1.0998
    • 6000+

      ¥1.0365
  • 有货
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