9014三极管_厂家_价格_品牌_库存

间距2.54mm的C-Grid III压接式外壳，双排，6路，黑色

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￥3.1
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￥2.53
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￥2.29
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￥1.4925 ￥1.99
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￥1.3875 ￥1.85
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￥1.26 ￥1.68

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型号：901420012 编号：C505316

封装：P=2.54mm

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￥3.36
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￥2.72
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￥2.44
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￥1.638 ￥2.1
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￥1.5132 ￥1.94
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￥1.443 ￥1.85

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型号：GT-USB-9014AB 编号：C3019720

封装：SMD

TID认证16pin，有弹沉板0.8mm，L7.35mm，5A电流，支持胶芯颜色定制

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￥3.8855 ￥4.09
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￥3.135 ￥3.3
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￥2.7645 ￥2.91
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￥2.394 ￥2.52
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￥2.1755 ￥2.29
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￥2.0045 ￥2.11

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型号：GT-USB-9014C 编号：C2988367

封装：SMD

8.94×6.50×3.16mm

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￥1.675135 ￥1.7633
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￥1.31708 ￥1.3864
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￥1.163655 ￥1.2249
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￥0.95038 ￥1.0004
2800+
￥0.865165 ￥0.9107
5600+
￥0.81396 ￥0.8568

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型号：GT-USB-9014G 编号：C48996273

封装：SMD

TID&IEC-62680-1-3/沉板1.3mm/16pin四脚插板/CH0.28/L6.50mm/深度4.60/黑胶有弹

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￥3.4675 ￥3.65
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￥2.812 ￥2.96
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￥2.4795 ￥2.61
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￥2.1565 ￥2.27
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￥1.957 ￥2.06
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￥1.862 ￥1.96

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型号：901420008 编号：C505315

封装：P=2.54mm

间距2.54mm的C-Grid III压接式外壳，双排，8针，黑色

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￥1.3517
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￥1.0534
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￥0.9255
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￥0.766

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型号：IRFL9014TRPBF-VB 编号：C558160

封装：SOT-223

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥2.9325 ￥3.45
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￥2.3035 ￥2.71
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￥2.0315 ￥2.39
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￥1.7 ￥2
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￥1.547 ￥1.82
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￥1.462 ￥1.72

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型号：901420040 编号：C505110

封装：P=2.54mm

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1+
￥8.08
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￥6.69
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￥5.93

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型号：GT-USB-9014B 编号：C48533152

封装：SMD

TID&IEC/沉板1.0mm/16pin/CH0.58/L6.50mm/深度4.45

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￥2.755 ￥2.9
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￥2.1755 ￥2.29
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￥1.938 ￥2.04
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￥1.6245 ￥1.71
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￥1.4915 ￥1.57
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￥1.406 ￥1.48

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型号：0901471103 编号：C5466631

封装：插件,P=2.54mm

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￥13.58
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￥11.59
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￥7.9904 ￥9.08
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￥7.48 ￥8.5
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￥7.26 ￥8.25

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型号：IRFL9014TR(UMW) 编号：C7472427

封装：SOT-223

品牌：UMW(友台半导体)

MOS

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￥1.115
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￥0.874
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￥0.7707
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￥0.6418
2500+
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￥0.55

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型号：IRFR9014TRPBF-HXY 编号：C22366779

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

IRFR9014TRPBF 是一款P沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高效率、低损耗电路设计。其特点是拥有60V的最高耐压等级VDSS，可安全承载高达10A的连续直流电流，且导通电阻仅为125mR（RD(on)），保证了在高电流运作下的低功耗表现。这款MOS管适用于电源转换、电机驱动等多种应用场景，凭借卓越的电气性能和可靠的封装技术，成为现代电子设计的理想选择。

5+
￥0.81424 ￥1.0178
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￥0.79528 ￥0.9941
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￥0.78256 ￥0.9782
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￥0.76984 ￥0.9623

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型号：IRFU9014PBF-VB 编号：C725090

封装：TO-251

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型Trench技术MOSFET，适用于电源管理、电动车辆、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块，为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。TO251；；N—Channel沟道,-60V；-20A；RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥3.078 ￥3.24
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￥2.4415 ￥2.57
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￥2.166 ￥2.28
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￥1.7195 ￥1.81
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￥1.5675 ￥1.65
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￥1.4725 ￥1.55

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型号：FL9014-VB 编号：C20755503

封装：SOT-223

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥3.2775 ￥3.45
10+
￥2.5745 ￥2.71
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￥2.28 ￥2.4
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￥1.9 ￥2
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￥1.634 ￥1.72

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型号：349690140 编号：C587324

封装：-

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1+
￥7.53
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￥6.32
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￥4.508 ￥4.9
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￥3.726 ￥4.05

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型号：834219014 编号：C585701

封装：-

1+
￥123.22
10+
￥119.17
14+
￥116.7866 ￥119.17

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型号：IRFR9014TRPBF-VB 编号：C5444633

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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1+
￥1.8905 ￥1.99
10+
￥1.8525 ￥1.95
30+
￥1.824 ￥1.92
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￥1.786 ￥1.88

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型号：SIHFL9014T-E3-VB 编号：C5240554

封装：SOT-223

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要P型MOSFET的中功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。SOT223；P—Channel沟道,-60V；-7A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥1.7085 ￥2.01
10+
￥1.6745 ￥1.97
30+
￥1.649 ￥1.94
100+
￥1.6235 ￥1.91

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型号：IRFR9014NTRPBF-VB 编号：C29779398

封装：TO-252

TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥1.8905 ￥1.99
10+
￥1.8525 ￥1.95
30+
￥1.824 ￥1.92
100+
￥1.786 ￥1.88

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型号：IRFU9014NPBF-VB 编号：C19626841

封装：TO-251