9012三极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23

特性：BVCEO > 20V。连续集电极电流 IC = 2.5A。RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。功率耗散 625mW。hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。互补 NPN 类型:FMMT718。应用：DC-DC 模块。栅极驱动器

数据手册

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￥1.0854
50+
￥0.8722
150+
￥0.7809
500+
￥0.6668
3000+
￥0.5466

有货

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型号：CZT31C 编号：C2875434

封装：SOT-223

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：与CZT32C互补，适用于高达3.0A的功率放大器应用

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5+
￥1.1236
50+
￥0.8968
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￥0.7996
500+
￥0.6783

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型号：PBSS4160DS,115 编号：C456126

封装：SOT-457

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN/NPN低VCEsat晶体管对。互补的PNP/PNP晶体管对：PBSS5160DS

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￥1.1559
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￥0.9267
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￥0.8285
500+
￥0.684723 ￥0.7059
3000+
￥0.627299 ￥0.6467
6000+
￥0.595483 ￥0.6139

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型号：2SD2391 编号：C49236587

封装：SOT-89-3L

品牌：SPTECH(深圳质超)

特性：小尺寸封装：SOT89-3L。大最大电流：IC = 3A。低集电极到发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.15V max.(at IC / IB = 0.5A / 0.05A)。高功率耗散：PC = 2W。与2SB1561为互补对

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￥1.19776 ￥1.2608
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￥0.948765 ￥0.9987
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￥0.84208 ￥0.8864
1000+
￥0.70889 ￥0.7462
2000+
￥0.64961 ￥0.6838
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￥0.61408 ￥0.6464

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型号：MJD44H11T4G-CN 编号：C49006717

封装：TO-252

品牌：ChipNobo(无边界)

封装: TO-252-2(DPAK) 晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic):1000mA 集射极击穿电压(Vceo):80V 功率: 20W

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￥1.21248 ￥1.5156
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￥0.95824 ￥1.1978
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￥0.84936 ￥1.0617
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￥0.71344 ￥0.8918
2500+
￥0.65288 ￥0.8161
5000+
￥0.61656 ￥0.7707

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型号：BCM856BSH 编号：C458150

封装：TSSOP-6(SOT-363)

品牌：Nexperia(安世)

PNP/PNP 匹配双晶体管，采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。晶体管内部完全隔离。

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￥1.279824 ￥1.4064
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￥0.936441 ￥1.1561
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￥0.744648 ￥1.0488
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￥0.649579 ￥0.9149
3000+
￥0.607263 ￥0.8553
6000+
￥0.581916 ￥0.8196

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型号：BFS20,215-JSM 编号：C53114277

封装：SOT-323

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：25mA 集射极击穿电压(Vceo)：20V 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：40@7mA,10V

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￥1.5176
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￥1.2022
150+
￥1.067
500+
￥0.8983
3000+
￥0.8232

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型号：DXT5551P5-13 编号：C5260571

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：比SO7223小43%，比TO252小60%。最大高度仅1.1mm。额定功率高达2.25W。集电极-发射极击穿电压（BVCEO）> 160V。集电极电流（Io(sch)） = 0.6A。无铅，符合RoHS标准。应用：电信线路驱动器

数据手册

5+
￥1.5454
50+
￥1.3513
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￥1.2682
500+
￥1.109
2500+
￥1.0628
5000+
￥1.0351

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型号：2DA1971-7 编号：C531173

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。IC = -0.5A 连续集电极电流。ICM = 1A 峰值脉冲电流。高增益:hFE = 140 @ IC = -100mA。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。应用：高压开关

数据手册

5+
￥1.6226
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￥1.3135
150+
￥1.181
1000+
￥1.0158
2000+
￥0.9422

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型号：BFP740H6327 编号：C439776

封装：SOT-343-4

品牌：Infineon(英飞凌)

是宽带 NPN RF 异质结双极晶体管 (HBT)

数据手册

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￥1.6612
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￥1.3087
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￥1.1577
500+
￥0.9692

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型号：2STF1360 编号：C128670

封装：SOT-89

品牌：ST(意法半导体)

低压快速切换NPN功率晶体管

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5+
￥1.7013
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￥1.3487
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￥1.1975
500+
￥1.009

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型号：FZT751TA 编号：C24099

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -3A，高连续电流。 ICM = -6A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VOE(sat) < -300mV @ -1A。互补 NPN 型：FZT651。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：照明。 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动

数据手册

5+
￥1.7738
50+
￥1.4074
150+
￥1.2504
1000+
￥1.0089

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型号：MJE340G 编号：C5296719

封装：TO-126

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

三极管@@MJE340 MJE340STU 340

数据手册

5+
￥1.806235 ￥1.9013
50+
￥1.423195 ￥1.4981
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￥1.259035 ￥1.3253
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￥1.031415 ￥1.0857
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￥0.940215 ￥0.9897
5000+
￥0.8854 ￥0.932

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型号：2SD2211T100R 编号：C79649

封装：SOT-89

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高击穿电压（BVCEO = 160V）。低集电极输出电容（典型值：在VCB = 10V时为20pF）。高过渡频率（fr = 80MHz）。与2SB1275 / 2SB1236A互补

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￥2.0271
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￥1.636
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￥1.4684
1000+
￥0.9725
2000+
￥0.8794
5000+
￥0.8235

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型号：MJE13009-2 编号：C42404752

封装：TO-220

品牌：KTP(科泰普)

NPN晶体管，适用于开关稳压器和电机控制。

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￥2.11774 ￥2.2292
50+
￥1.66288 ￥1.7504
150+
￥1.46794 ￥1.5452
500+
￥1.22474 ￥1.2892
2500+
￥1.11644 ￥1.1752
5000+
￥1.05146 ￥1.1068

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型号：LBTP880DPTUG 编号：C5273355

封装：TO-252

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：引脚成型，适用于塑料套管中的表面贴装应用。产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力

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5+
￥2.1297
50+
￥1.7015
150+
￥1.518
500+
￥1.289
2500+
￥1.187
5000+
￥1.1258

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型号：MJD31CQ 编号：C2942580

封装：TO-252

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。湿度敏感度等级1。后缀为“Q”的产品符合AEC-Q101标准。应用：通用放大器。低速开关应用

5+
￥2.2702
50+
￥1.8081
150+
￥1.6101
500+
￥1.363

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型号：2SC5886A(T6L1,NQ) 编号：C5156044

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 400 至 1000 (Ic = 0.5 A)。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.22 V (最大值)。高速开关：tf = 95 ns (典型值)。应用：高速开关应用。 DC/DC 转换器应用

5+
￥2.3575
50+
￥1.8787
150+
￥1.6735
500+
￥1.4175

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型号：MJE253G 编号：C127879

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。

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5+
￥2.3614
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￥1.8707
150+
￥1.6603
500+
￥1.2531
2500+
￥1.1363
5000+
￥1.0662

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型号：MJD45H11 编号：C51886700

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

1+
￥2.38
10+
￥1.85
30+
￥1.63
100+
￥1.35
500+
￥1.22
1000+
￥1.15

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型号：MJE15028 编号：C480196

封装：TO-220C

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用程序·设计用于音频放大器中的高频驱动器。

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1+
￥2.394 ￥2.52
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￥2.1375 ￥2.25
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￥1.9 ￥2
100+
￥1.7765 ￥1.87
500+
￥1.7005 ￥1.79
1000+
￥1.653 ￥1.74

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型号：PHE13005,127 编号：C78890

封装：TO-220AB

品牌：WeEn(瑞能)

高电压、高速 NPN 平面钝化功率开关晶体管，采用 SOT78 塑料封装，适用于高频电子照明镇流器应用。

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1+
￥2.6
10+
￥2
30+
￥1.74
100+
￥1.42
500+
￥1.28
1000+
￥1.19

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型号：ZXTC2045E6TA 编号：C84408

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

采用先进的制程能力来实现这款高性能器件。SOT26 封装将 NPN 和 PNP 晶体管相结合，为目标应用提供了紧凑的解决方案。

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1+
￥2.65
10+
￥2.14
30+
￥1.93
100+
￥1.65
500+
￥1.37
1000+
￥1.3

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型号：ZTX753 编号：C531148

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：100V VCEO。 2A 连续电流。低饱和电压。总功率 Ptot = 1W

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1+
￥2.69
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￥2.11
30+
￥1.86
100+
￥1.54
500+
￥1.4
1000+
￥1.32

有货

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型号：MJE243G 编号：C19707

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

这些器件适用于低功率音频放大器和低电流、高速开关应用。

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1+
￥2.94
10+
￥2.35
30+
￥2.09
100+
￥1.77
500+
￥1.35
1000+
￥1.26

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型号：FZT753TA 编号：C85794

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。 IC = -2A High Continuous Current。 ICM = -6A Peak Pulse Current。低饱和电压 VCE(sat) < -300mV @ -1A。互补NPN类型：FZT653。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

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