ST三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MJE172G 编号：C27682

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

MJE170/180 系列适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。MJE170、MJE171、MJE172 (PNP)；MJE180、MJE181、MJE182 (NPN) 为互补器件。

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5+
￥2.354
50+
￥1.8584
150+
￥1.646
500+
￥1.2313
2500+
￥1.1133
5000+
￥1.0425

有货

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型号：MJD31C-13 编号：C435909

封装：DPAK-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。Ic = 3A 高连续集电极电流。Icm = 5A 峰值脉冲电流。适用于功率开关或放大应用。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 AEC Q101 高可靠性标准

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5+
￥1.6238
50+
￥1.3035
150+
￥1.1663
500+
￥0.995
2500+
￥0.9188

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型号：NSS1C201LT1G 编号：C152544

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的微型表面贴装器件。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

数据手册

5+
￥1.8738
50+
￥1.4723
150+
￥1.3002
500+
￥1.0855
3000+
￥0.9876
6000+
￥0.9302

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型号：S-LBTP460Z4TZHG 编号：C2932884

封装：SOT-223

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：低集电极-发射极饱和电压。高集电极电流能力。高集电极电流增益。因发热少而效率高。所需印刷电路板 (PCB) 更小。 MM: >400V。 HBM: >8000V。产品材料符合 RoHS 要求且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力

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5+
￥1.9179
50+
￥1.5826
150+
￥1.4389
500+
￥1.1354
2500+
￥1.0555

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型号：ZXTD4591E6TA 编号：C155320

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN晶体管:BVCEO > 60V，IC = 1A连续集电极电流。低饱和电压（最大500mV @ 1A）。hFE特性可达2A。RSAT = 210mΩ @ 1A，低等效导通电阻。PNP晶体管:BVCEO > -60V，IC = -1A连续集电极电流。低饱和电压（最大-600mV @ -1A）。应用：MOSFET栅极驱动器。低功率电机驱动器

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1+
￥2.45
10+
￥1.94
30+
￥1.72
100+
￥1.45
500+
￥1.33
1000+
￥1.26

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型号：ZXTP25040DFHTA 编号：C211430

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：- BVCEO >-40V。 BVECO >-3V。连续集电极电流 IC =-3A。在-1A 时，VCE(sat) <-85mV。典型 RCE(sat) = 55mΩ。功率耗散 PD = 1.25W。应用：- MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 DC-DC 转换器

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1+
￥2.71
10+
￥2.17
30+
￥1.94
100+
￥1.65
500+
￥1.52
1000+
￥1.44

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型号：MJE182G 编号：C27681

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

MJE170/180 系列适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。MJE170、MJE171、MJE172 (PNP)；MJE180、MJE181、MJE182 (NPN) 为互补器件。

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5+
￥2.733
50+
￥2.1509
150+
￥1.9014
500+
￥1.4461
2500+
￥1.3075
5000+
￥1.2244

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型号：2SC5566-TD-E 编号：C154832

封装：SOT-89

品牌：onsemi(安森美)

特性：采用FBET和MBIT工艺。集电极-发射极饱和电压低。超小封装，便于终端产品小型化。允许的功率耗散高。电流容量大。高速开关。应用：继电器驱动器。灯驱动器

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1+
￥2.93
10+
￥2.27
30+
￥1.99
100+
￥1.64
500+
￥1.48
1000+
￥1.38

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型号：ZXTP25100BFHTA 编号：C460152

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-100V。 BVECO >-7V。连续集电极电流 IC =-2A。在-1A 时，VCE(SAT) <-130mV。典型 RCE(SAT) = 108mΩ。 PD = 1.25W。应用：MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 DC-DC 转换器

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1+
￥3.42
10+
￥2.65
30+
￥2.33
100+
￥1.92
500+
￥1.73
1000+
￥1.62

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型号：FZT953TA 编号：C110507

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：5A 连续电流，高达 15A 峰值电流。极低的饱和电压。高达 10A 时具有出色的增益特性。Ptot = 3W。FZT951 具有极低的等效导通电阻；在 4A 时 Rceestat 为 55mΩ

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1+
￥3.44
10+
￥2.61
30+
￥2.25
100+
￥1.8
500+
￥1.6
1000+
￥1.48

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型号：PBSS4041PX,115-JSM 编号：C53114151

封装：SOT-89

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：5A 集射极击穿电压(Vceo)：60V 耗散功率(Pd)：2.5W 直流电流增益(hFE)：120@4A,2V

1+
￥3.48
10+
￥2.76
30+
￥2.45
100+
￥2.06
500+
￥1.89

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型号：PBHV9050Z,115 编号：C551770

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用中功率SOT223（SC - 73）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP型高压、低VCEsat晶体管。

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1+
￥3.6
10+
￥2.92
30+
￥2.62
100+
￥2.16 ￥2.25
500+
￥2.0064 ￥2.09
1000+
￥1.9104 ￥1.99

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型号：FZT851TA 编号：C87950

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。集电极连续电流高，Ic = 6A。脉冲峰值电流，ICM = 20A。低饱和电压，VCE(sat) < 100mV @ 1A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 44mΩ。 hFE 在高达10A时指定，高增益保持。互补PNP类型：FZT951。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在通过IATF16949认证的工厂生产

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