平晶微三极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23

特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A，可保持高电流增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

5+
￥1.0031
50+
￥0.8105
150+
￥0.7143
500+
￥0.6421
2500+
￥0.5843
5000+
￥0.5554

有货

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型号：2SD1899(RANGE:100-200) 编号：C122613

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）。高过渡频率

数据手册

5+
￥1.0248
50+
￥0.8376
150+
￥0.744
500+
￥0.6738

有货

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型号：BFU590Q 编号：C5375297

封装：SOT-89

品牌：Slkor(萨科微)

本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；主要应用于超高频微波、高频宽带低噪声放大器中，适合中功率高频信号放大。

数据手册

5+
￥1.0549
50+
￥0.8312
150+
￥0.7353
1000+
￥0.6157
2000+
￥0.5624
5000+
￥0.5305

有货

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型号：2SC3052 编号：C51315022

封装：SOT-23

品牌：CBI(创基)

5+
￥1.0587
50+
￥0.8269
150+
￥0.7275
500+
￥0.6036

有货

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型号：NSS40201LT1G 编号：C145175

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

数据手册

5+
￥1.0768
50+
￥0.8257
150+
￥0.718
500+
￥0.5837
3000+
￥0.5239
6000+
￥0.488

有货

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型号：FMMT593TA 编号：C500774

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-100V。 IC =-1A 高连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。低饱和电压。高达 IC =-1A 时具有出色的 hFE 特性。互补 NPN 类型。应用：高端驱动器。负载断开开关

数据手册

5+
￥1.1319
50+
￥0.8874
150+
￥0.7651
500+
￥0.6733

有货

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型号：BSR14 编号：C258201

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此器件用于需要最高 500 mA 集极电流的中等功率放大器和开关。源自 Process 19。参见 BCW65C 了解特性。

数据手册

5+
￥1.1438
50+
￥0.8915
150+
￥0.7833
500+
￥0.6484
3000+
￥0.5883

有货

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型号：PBSS4160DS,115 编号：C456126

封装：SOT-457

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN/NPN低VCEsat晶体管对。互补的PNP/PNP晶体管对：PBSS5160DS

数据手册

5+
￥1.1559
50+
￥0.9267
150+
￥0.8285
500+
￥0.684723 ￥0.7059
3000+
￥0.627299 ￥0.6467
6000+
￥0.595483 ￥0.6139

有货

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型号：PMBTA56,215 编号：C75559

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23塑料封装的PNP通用晶体管。NPN互补型号：PMBTA06。

数据手册

5+
￥1.1849
50+
￥0.949
150+
￥0.8479
500+
￥0.700146 ￥0.7218
3000+
￥0.645632 ￥0.6656
6000+
￥0.612943 ￥0.6319

有货

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型号：2SD2391 编号：C49236587

封装：SOT-89-3L

品牌：SPTECH(深圳质超)

特性：小尺寸封装：SOT89-3L。大最大电流：IC = 3A。低集电极到发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.15V max.(at IC / IB = 0.5A / 0.05A)。高功率耗散：PC = 2W。与2SB1561为互补对

5+
￥1.19776 ￥1.2608
50+
￥0.948765 ￥0.9987
150+
￥0.84208 ￥0.8864
1000+
￥0.70889 ￥0.7462
2000+
￥0.64961 ￥0.6838
5000+
￥0.61408 ￥0.6464

有货

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型号：PZT1816G-S-AA3-R 编号：C84886

封装：SOT-223

品牌：UTC(友顺)

特性：低集电极-发射极饱和电压。 hFE线性良好。小型薄型封装，便于设备紧凑化。高f。快速开关速度

数据手册

5+
￥1.2092
50+
￥0.9659
150+
￥0.8616
500+
￥0.7315
2500+
￥0.6736
5000+
￥0.6388

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型号：MJD45H11T4G-DW 编号：C49195054

封装：TO-252

品牌：DOWO(东沃)

特性：低集电极-发射极饱和电压。快速开关速度。互补型号为MJD44H11。标记：MJD45H11。应用：功率放大器。开关电路

5+
￥1.382
50+
￥1.0947
150+
￥0.9716
500+
￥0.818
2500+
￥0.7496

有货

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型号：MOT13007MA 编号：C5143125

封装：TO-220

品牌：MOT(仁懋)

集电极－基极反向击穿电压700V,集电极－发射极反向击穿电压400V,放大系数8-40，集电极电流IC8A

5+
￥1.4406
50+
￥1.0965
150+
￥0.9648
500+
￥0.8004
2000+
￥0.7272
5000+
￥0.6832

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型号：DXT651-13 编号：C443640

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。高连续集电极电流：IC = 3A。峰值脉冲电流：ICM 高达 6A。功耗：2W。低饱和电压：VCE(sat) < 300mV @ 1A。互补 PNP 类型。应用：负载管理功能。电机控制

数据手册

5+
￥1.474
50+
￥1.1745
150+
￥1.0461
500+
￥0.8859
2500+
￥0.8146

有货

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型号：ZXTP25020BFHTA 编号：C672075

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件紧凑的尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。

数据手册

1+
￥1.484 ￥2.12
10+
￥1.309 ￥1.87
30+
￥1.232 ￥1.76
100+
￥1.141 ￥1.63
500+
￥1.099 ￥1.57
1000+
￥1.078 ￥1.54

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型号：2SAR554RTL 编号：C962667

封装：SOT-346

品牌：ROHM(罗姆)

特性：适用于中功率驱动器。低VCE(sat)：VCE(sat)= -400mV（最大值）（IC/IB = -500mA/-25mA）。应用：低频放大器。高速开关

数据手册

5+
￥1.5603
50+
￥1.2528
150+
￥1.121
500+
￥0.9566

有货

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型号：BC868-25,115 编号：C549548

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

NPN 中功率晶体管系列，采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥1.5972
50+
￥1.2913
150+
￥1.1602
1000+
￥0.956736 ￥0.9966
2000+
￥0.886848 ￥0.9238
5000+
￥0.844896 ￥0.8801

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型号：FCX491ATA 编号：C155278

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。IC = 1A 高连续电流。低饱和电压 V(sat) < 500mV @ 1A。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

数据手册

5+
￥1.6164
50+
￥1.4181
150+
￥1.3332
1000+
￥1.2272

有货

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型号：MJD32CQ 编号：C20602014

封装：TO-252

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。湿度敏感度等级为1。应用：通用放大器和低速开关应用

1+
￥1.73
10+
￥1.52
30+
￥1.43
100+
￥1.31
500+
￥1.26
1000+
￥1.23

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型号：FZT751TA 编号：C24099

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -3A，高连续电流。 ICM = -6A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VOE(sat) < -300mV @ -1A。互补 NPN 型：FZT651。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：照明。 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动

数据手册

5+
￥1.7738
50+
￥1.4074
150+
￥1.2504
1000+
￥1.0089

有货

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型号：DZT5551Q-13 编号：C674404

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

数据手册

5+
￥1.8491
50+
￥1.4963
150+
￥1.3451
500+
￥1.1565

有货

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型号：FZT955 编号：C52200675

封装：SOT-223

品牌：Leiditech(雷卯电子)

5+
￥1.8653
50+
￥1.4621
150+
￥1.2893
500+
￥1.0737
2500+
￥0.9777

有货

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型号：MOT13009DA 编号：C51934030

封装：TO-220

品牌：MOT(仁懋)

5+
￥1.8678
50+
￥1.4847
150+
￥1.3206
500+
￥1.1158
2000+
￥1.0246

有货

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型号：PBSS5540Z,115 编号：C426845

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT223塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。NPN互补型号：PBSS4540Z。

数据手册

5+
￥1.951
50+
￥1.6123
150+
￥1.4672
1000+
￥1.09858 ￥1.1564
2000+
￥1.02201 ￥1.0758
5000+
￥0.97603 ￥1.0274

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型号：ZXTC2062E6TA 编号：C444407

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN + PNP组合。 BVCEO > 20 (-20)V。 BVEBO > 7 (-7)。连续集电极电流 IC = 4 (-3.5)A。 VCE(sat) < 50 (-65)mV @ 1A。 RCE(sat) = 35 (54)mΩ。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动。电机驱动

数据手册

5+
￥1.9713
50+
￥1.5719
150+
￥1.4007
500+
￥1.1872
3000+
￥1.0921
6000+
￥1.035

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型号：MJE13009-2 编号：C42404752

封装：TO-220

品牌：KTP(科泰普)

NPN晶体管，适用于开关稳压器和电机控制。

5+
￥2.11774 ￥2.2292
50+
￥1.66288 ￥1.7504
150+
￥1.46794 ￥1.5452
500+
￥1.22474 ￥1.2892
2500+
￥1.11644 ￥1.1752
5000+
￥1.05146 ￥1.1068

有货

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型号：PMBTA45,215 编号：C456136

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN高压、低VCEsat晶体管。互补PNP型晶体管：PBHV9050T

数据手册

5+
￥2.171
50+
￥1.7154
150+
￥1.5201
500+
￥1.2765
3000+
￥1.0324
6000+
￥0.9673

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型号：FMMT620TA 编号：C74081

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 80V。连续集电极电流 IC = 1.5A。低等效导通电阻 RCE(SAT) = 90mΩ。功耗 625mW。 hFE 高达 5A 时仍有高电流增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 模块。电源管理功能

数据手册

5+
￥2.3496
50+
￥1.9265
150+
￥1.7451
500+
￥1.5189

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型号：FCX458TA 编号：C435832

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 400V。 IC = 225mA 连续集电极电流。 ICM = 500mA 峰值脉冲电流。高达100mA时具有出色的hFE特性。低饱和电压 VCE(sat) < 200mV @ 20mA。互补PNP类型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥2.3597
50+
￥1.9099
150+
￥1.7171

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型号：ZXTN4004KQTC 编号：C460146

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 hFE > 100（IC = 150mA，VCE = 0.25V）。 IC(cont) = 1A。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。符合AEC-Q101高可靠性标准。应用：LED电视背光

数据手册

5+
￥2.5014
50+
￥1.9982
150+
￥1.7825
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￥1.5134

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