平晶微三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：D882M 编号：C47089149

封装：TO-252

品牌：GOODWORK(固得沃克)

耐压:30V 电流:3A NPN (hFE):60@1A,2V

5+
￥0.53082 ￥0.5898
50+
￥0.42282 ￥0.4698
150+
￥0.36882 ￥0.4098
500+
￥0.32832 ￥0.3648
2500+
￥0.29592 ￥0.3288
5000+
￥0.27972 ￥0.3108

有货

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型号：PBSS5350Z-JSM 编号：C18195214

封装：SOT-223

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：3A 集射极击穿电压(Vceo)：50V 耗散功率(Pd)：1.35W

5+
￥0.5906
50+
￥0.4704
150+
￥0.4103
500+
￥0.3653
2500+
￥0.3292

有货

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型号：B772M(RANGE:200-400) 编号：C161556

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低速度开关

数据手册

5+
￥0.6463
50+
￥0.5205
150+
￥0.4576
500+
￥0.4104
2500+
￥0.3726

有货

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型号：2SC3357 编号：C2987041

封装：SOT-89-3

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款NPN型BJT三极管是超高频低噪声功率晶体管，具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想的电流特性，主要应用于VHF，UHF和CATV等高频宽带低噪声放大器。

数据手册

5+
￥0.7948
50+
￥0.6469
150+
￥0.573
1000+
￥0.467
2000+
￥0.4226
5000+
￥0.4004

有货

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型号：DNBT8105-7 编号：C460714

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。适用于中功率放大和开关。高集电极电流额定值。有互补版本。无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色器件”。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.8134
50+
￥0.6387
150+
￥0.5514
500+
￥0.4859
3000+
￥0.4335
6000+
￥0.4073

有货

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型号：2SC5569G-AB3-R 编号：C5310376

封装：SOT-89

品牌：UTC(友顺)

特性：高电流容量。低集电极-发射极饱和电压。高速开关。高允许功耗。与2SA2016互补。应用：继电器驱动器。灯驱动器

数据手册

5+
￥0.8291
50+
￥0.6707
150+
￥0.5915
500+
￥0.5321
2500+
￥0.4846
4000+
￥0.4608

有货

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型号：FMMT591TA 编号：C141789

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。高连续集电极电流：Ic = -1A。峰值脉冲电流：ICM = -2A。低等效导通电阻：R(sat) = 295mΩ。高达 -2A 时具有高电流增益保持能力：hFE 特性。互补 NPN 类型：FMMT491。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8409
50+
￥0.6824
150+
￥0.6032
500+
￥0.5438
3000+
￥0.4589

有货

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型号：FMMT491ATA 编号：C110504

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。连续集电极电流 Ic = 1A。峰值脉冲电流 Icm = 2A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 195mΩ。功耗 500mW。 hFE 特性高达 2A，以保持高电流增益。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。具备 PPAP 能力

数据手册

5+
￥0.9791
50+
￥0.759
150+
￥0.6646
500+
￥0.5469
3000+
￥0.4945

有货

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型号：STR1550 编号：C907714

封装：SOT-23-3

品牌：ST(意法半导体)

高压快速切换NPN功率晶体管

数据手册

5+
￥1.0694
50+
￥0.8582
150+
￥0.7526
500+
￥0.6363

有货

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型号：MJD41CRLG 编号：C41421811

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

专为通用放大器和低速开关应用而设计。

5+
￥1.088
50+
￥0.8461
150+
￥0.7424
500+
￥0.613

有货

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型号：MJD122(MS) 编号：C22365381

封装：TO-252

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款MJD122，采用表面贴装TO-252(DPAK)，MJD122达林顿晶体管适用于各种需要大电流驱动的应用场景，如电源开关、电机驱动、LED驱动、音频放大器以及各类功率控制电路。

5+
￥1.1733
50+
￥0.9213
150+
￥0.8133
500+
￥0.6786
2500+
￥0.6186
5000+
￥0.5825

有货

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型号：MJD41C(MS) 编号：C22365377

封装：TO-252

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款MJD41C达林顿三极管，它具备比普通单个三极管更大的电流驱动能力，采用表面贴装TO-252（DPAK），广泛应用在功率放大器、电机驱动、继电器驱动、开关电路以及各种需要高电流输出的应用场合

5+
￥1.1983
50+
￥0.9463
150+
￥0.8383
500+
￥0.7036
2500+
￥0.6186
5000+
￥0.5825

有货

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型号：FMMT720TA 编号：C15332

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVC E O >-40V。I_C =-1.5A 连续集电极电流。I_CM =-4A 峰值脉冲电流。低饱和电压 V_CE(sat) <-220mV @-1A。R_CE(SAT) = 163mΩ，低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥1.2424
50+
￥1.0047
150+
￥0.9029
500+
￥0.7758
3000+
￥0.6456

有货

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型号：DXT2222A-13 编号：C154859

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 IC = 600mA 高集电极电流。互补PNP类型。适用于中功率开关或放大应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥1.2701
50+
￥1.0063
150+
￥0.8933
500+
￥0.7523
2500+
￥0.6895

有货

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型号：MMBT3904FA-7B 编号：C151577

封装：DFN-3L(0.6x0.8)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 Ic = 200mA高集电极电流。 PD = 435mW功耗。 0.48mm²封装尺寸，比SOT23小16倍。 0.4mm封装高度，最小化板外轮廓。互补PNP型MMBT3906FA。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤和无锑“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥1.2857
50+
￥1.048
150+
￥0.9461
500+
￥0.819
2500+
￥0.7625
5000+
￥0.7285

有货

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型号：BCM53DSX 编号：C549553

封装：SC-74

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP/PNP配对双晶体管。NPN/NPN互补型号：BCM56DS

数据手册

5+
￥1.3066
50+
￥1.0217
150+
￥0.8996
500+
￥0.7473
3000+
￥0.6795
6000+
￥0.6388

有货

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型号：BC858B,215 编号：C37466

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用晶体管。

数据手册

5+
￥1.3563
50+
￥1.0635
150+
￥0.938
500+
￥0.7815
3000+
￥0.6577
6000+
￥0.6159

有货

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型号：BCP53T1G 编号：C134063

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件安装在 SOT-223 封装中，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

5+
￥1.4286
50+
￥1.1161
150+
￥0.9822
1000+
￥0.8151
2000+
￥0.7407
5000+
￥0.696

有货

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型号：BFR193WH6327 编号：C152683

封装：SOT-323

品牌：Infineon(英飞凌)

射频三极管 NPN

数据手册

5+
￥1.4772
50+
￥1.1748
150+
￥1.0452

有货

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型号：MJD42CT4G(MS) 编号：C22365378

封装：TO-252

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款MJD42CT4G，采用表面贴装TO-252（DPAK）可用于各种需要大电流开关或放大的场合，例如电机驱动、电源管理、音频放大、继电器驱动、LED灯串驱动等

5+
￥1.494 ￥1.66
50+
￥1.305 ￥1.45
150+
￥1.224 ￥1.36
500+
￥1.125 ￥1.25
2500+
￥1.08 ￥1.2
5000+
￥1.053 ￥1.17

有货

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型号：MJD42C 编号：C2891516

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：设计用于通用放大器和低速开关应用。适用于塑料套管表面贴装应用的引脚成型（无后缀）。塑料套管中的直引脚版本（“-1”后缀）。16mm 卷带和卷轴中的引脚成型版本（“T4”后缀）。电气特性与流行的 TIP41 和 TIP42 系列相似。带有内置基极-发射极电阻的单片结构

数据手册

5+
￥1.5678
50+
￥1.2906
150+
￥1.1718
500+
￥1.0235
2500+
￥0.8485

有货

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型号：YFW13005AD 编号：C53403751

封装：TO-252

品牌：YFW(佑风微)

Polarity：NPN、VCEO/V：400、I/A：4、NPN三极管、TO-252、最小包装量：2500PCS

5+
￥1.6327
50+
￥1.2933
150+
￥1.1479
500+
￥0.9664
2500+
￥0.8856

有货

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型号：PZT3904T1G 编号：C232396

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

特性：S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准

数据手册

5+
￥1.8547
50+
￥1.4608
150+
￥1.2919
1000+
￥1.0813
2000+
￥0.9875

有货

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型号：FMMT625TA 编号：C212600

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。最大连续集电极电流 IC = 1A。 625mW 功率耗散。 hFE 特性高达 33A。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：DC-DC 模块。电源管理功能

数据手册

5+
￥1.8879
50+
￥1.5181
150+
￥1.3597
500+
￥1.1619

有货

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型号：2SD2211T100R 编号：C79649

封装：SOT-89

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高击穿电压（BVCEO = 160V）。低集电极输出电容（典型值：在VCB = 10V时为20pF）。高过渡频率（fr = 80MHz）。与2SB1275 / 2SB1236A互补

数据手册

5+
￥1.9792
50+
￥1.5973
150+
￥1.4337
1000+
￥0.9495
2000+
￥0.8586

有货

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型号：ZXTN25100DFHTA 编号：C461151

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。集电极电流 IC = 2.5A。低饱和电压 VCE(sat) < 95mV @ 1A。互补PNP快速ZXTP25100DFH。外延平面管芯结构。高增益。应用：DC-DC转换器。 DC风扇

数据手册

5+
￥2.0219
50+
￥1.5673
150+
￥1.3725
500+
￥1.1294
3000+
￥1.0211
6000+
￥0.9562

有货

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型号：NSV1C201MZ4T1G 编号：C86644

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的低饱和压晶体管系列是具有超低饱和电压饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。典型应用有便携式和电池供电产品（例如蜂窝电话和无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和 MP3 播放器）中的 DC-DC 转换器和电源管理。其它应用有大容量存储产品（例如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。在汽车行业中，它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许这些双极晶体管器件直接从 PMU 的控制输出驱动，而线性增益 (Beta) 使其成为模拟放大器的理想组件。

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