恩智浦三极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-723

此款NPN型三极管（BJT）适用于广泛的电子设备中，具备集电极电流IC为0.15A，确保了在低功率应用中的高效性能。其集电极-发射极电压VCEO高达50V，使其能够承受较高的反向电压，增强了使用的安全性与稳定性。该三极管的直流电流增益HFE范围为180至390，能够提供良好的信号放大效果。此外，其过渡频率FT达到180MHz，表明它在高频工作环境下仍能保持优秀的性能表现。这些特性使得这款三极管成为需要高灵敏度和稳定性的电路设计的理想选择。

10+
￥0.23607 ￥0.2623
100+
￥0.18801 ￥0.2089
300+
￥0.16398 ￥0.1822
1000+
￥0.14598 ￥0.1622
5000+
￥0.13158 ￥0.1462
8000+
￥0.12438 ￥0.1382

有货

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型号：MMDT5401(RANGE:100-300) 编号：C54540

封装：SOT-363

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：外延平面管芯结构。有互补NPN型 (MMDT 5551)。适用于中功率放大和开关

数据手册

10+
￥0.2556
100+
￥0.2066
300+
￥0.1821
3000+
￥0.1638
6000+
￥0.1491
9000+
￥0.1417

有货

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型号：FMMT493 编号：C20416645

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：VCE = 100V。 IC = 1A。 fT = 150MHz @ VCE = 10V, IC = 50mA, f = 100MHz。高电压和高电流。出色的hFE线性度。低噪声

10+
￥0.2664
100+
￥0.2112
300+
￥0.1836
3000+
￥0.1629
6000+
￥0.1463
9000+
￥0.138

有货

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型号：BC847BDW1T1G 编号：C82368

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用 SOT−363/SC−88 封装，该封装专为低功率表面贴装应用而设计。

数据手册

20+
￥0.2688
200+
￥0.2218
600+
￥0.1957
3000+
￥0.1801
9000+
￥0.1665
21000+
￥0.1592

有货

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型号：D882 编号：C181187

封装：SOT-89

品牌：Hottech(合科泰)

特性：与B772互补。大功率耗散。表面贴装器件

数据手册

10+
￥0.30723 ￥0.3234
100+
￥0.253365 ￥0.2667
300+
￥0.22648 ￥0.2384
1000+
￥0.17556 ￥0.1848
5000+
￥0.15941 ￥0.1678
10000+
￥0.151335 ￥0.1593

有货

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型号：EMX1T2R 编号：C253326

封装：SOT-563

品牌：ROHM(罗姆)

特性：两个2SC2412K芯片封装在EMT、UMT或SMT封装中。可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。晶体管元件相互独立，消除干扰。可将贴装成本和面积减半。应用：通用小信号放大器

数据手册

10+
￥0.3338
100+
￥0.2942
300+
￥0.2744
1000+
￥0.2595
5000+
￥0.2476
8000+
￥0.2417

有货

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型号：MMDT5451 编号：C17703037

封装：SOT-363

品牌：MSKSEMI(美森科)

特性：外延平面芯片结构。适用于低功率放大和开关。包含一个5551（NPN）和一个5401（PNP）

10+
￥0.3402
100+
￥0.2682
300+
￥0.2322
3000+
￥0.2052
6000+
￥0.1836
9000+
￥0.1727

有货

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型号：BC849C,215 编号：C334244

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23塑料封装的NPN晶体管。互补PNP晶体管型号为：BC859和BC860。

数据手册

10+
￥0.3586
100+
￥0.2888
300+
￥0.2539
3000+
￥0.220869 ￥0.2277
6000+
￥0.200596 ￥0.2068
9000+
￥0.190411 ￥0.1963

有货

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型号：BC857BS,115 编号：C8654

封装：TSSOP-6(SOT-363)

品牌：Nexperia(安世)

采用超小型SOT363（SC - 88）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用双晶体管。NPN互补型号：BC847BS。

数据手册

10+
￥0.3595
100+
￥0.2921
300+
￥0.2584
3000+
￥0.226107 ￥0.2331
6000+
￥0.206513 ￥0.2129
9000+
￥0.196716 ￥0.2028

有货

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型号：BC817-16QCZ 编号：C3198470

封装：DFN-3(1.4x1.2)

品牌：Nexperia(安世)

NPN通用晶体管，采用超小型DFN1412D-3 (SOT8009)无引脚表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，侧面可焊。

10+
￥0.4527
100+
￥0.368
300+
￥0.3257
1000+
￥0.282144 ￥0.2939
5000+
￥0.25776 ￥0.2685
10000+
￥0.245568 ￥0.2558

有货

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型号：FMMT493TA 编号：C435889

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性达到 2A 以保持高电流增益。互补 PNP 类型：FMMT593。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

数据手册

5+
￥0.576
50+
￥0.4611
150+
￥0.4036
500+
￥0.3606
3000+
￥0.3261
6000+
￥0.3088

有货

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型号：PBSS8110T,215-JSM 编号：C53114124

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

集电极电流(Ic)：1A 集射极击穿电压(Vceo)：100V 耗散功率(Pd)：250mW 直流电流增益(hFE)：300@500mA,10V

5+
￥0.5866
50+
￥0.4672
150+
￥0.4076
500+
￥0.3628
3000+
￥0.327
6000+
￥0.3091

有货

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型号：BC847B-QR 编号：C7507690

封装：TSSOP-6

品牌：Nexperia(安世)

5+
￥0.6061
50+
￥0.5946
150+
￥0.5869
500+
￥0.556128 ￥0.5793

有货

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型号：B772M(RANGE:160-320) 编号：C33027

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低速开关

数据手册

5+
￥0.661
50+
￥0.5395
150+
￥0.4788
500+
￥0.4333
2500+
￥0.3766
5000+
￥0.3584

有货

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型号：PN2222ABU 编号：C896866

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

特性：可作为中功率放大器和开关使用，集电极电流可达500mA

数据手册

5+
￥0.6862
50+
￥0.5493
150+
￥0.4809
500+
￥0.4296
2500+
￥0.3655
5000+
￥0.345

有货

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型号：BCX56,115 编号：C135819

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

NPN中功率晶体管，采用SOT89 (SC-62)扁平引脚表面贴装器件 (SMD)塑料封装

数据手册

5+
￥0.7071
50+
￥0.5573
150+
￥0.4824
1000+
￥0.422037 ￥0.4263
2000+
￥0.377487 ￥0.3813
5000+
￥0.355311 ￥0.3589

有货

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型号：2SC3357 编号：C2987041

封装：SOT-89-3

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款NPN型BJT三极管是超高频低噪声功率晶体管，具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想的电流特性，主要应用于VHF，UHF和CATV等高频宽带低噪声放大器。

数据手册

5+
￥0.7486
50+
￥0.6007
150+
￥0.5268
1000+
￥0.4208
2000+
￥0.3764
5000+
￥0.3542

有货

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型号：LBSS5350SY3T1G 编号：C2905404

封装：SOT-89

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：低集电极-发射极饱和电压。快速开关速度。大电流容量和宽安全工作区 (ASO)。产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

数据手册

5+
￥0.7673
50+
￥0.6146
150+
￥0.5383
500+
￥0.481
2500+
￥0.4111
5000+
￥0.3882

有货

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型号：DMMT5401-7-F 编号：C154733

封装：SOT-26(SC74R)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -150V，2% 匹配容差。 hFE、Vce(SAT)、Vbe(SAT) 适合中功率放大和开关。单个 SOT26 (SC74R) 封装中的双晶体管，占用空间为两个等效 SOT23 晶体管的一半。外延平面管芯结构。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色” 器件

数据手册

5+
￥0.8685
50+
￥0.7022
150+
￥0.6191
500+
￥0.5568
3000+
￥0.5069
6000+
￥0.482

有货

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型号：FMMT619TA 编号：C15331

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 50V。连续集电极电流 IC = 2A。功率耗散 625mW。低饱和电压：VCE(sat) < 200mV @ 1A。 RCE(sat) = 68mΩ，低等效导通电阻。 hFE 特性高达 6A，高电流增益保持。应用：MOSFET 栅极驱动。 DC-DC / DC-AC 转换器

数据手册

5+
￥0.9439
50+
￥0.758
150+
￥0.6651
500+
￥0.5954
3000+
￥0.5121
6000+
￥0.4842

有货

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型号：PBSS4350T,215 编号：C131672

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。PNP互补型号：PBSS5350T

数据手册

5+
￥0.9793
50+
￥0.7916
150+
￥0.6977
500+
￥0.608481 ￥0.6273
3000+
￥0.539611 ￥0.5563
6000+
￥0.512257 ￥0.5281

有货

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型号：FZT653 编号：C47283706

封装：SOT-223

品牌：TWGMC(迪嘉)

晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 3A 集射极击穿电压(Vceo): 120V

5+
￥1.026
50+
￥0.8144
150+
￥0.7236
1000+
￥0.6104
2000+
￥0.56

有货

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型号：MJD41CRLG 编号：C41421811

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

专为通用放大器和低速开关应用而设计。

5+
￥1.0376
50+
￥0.7957
150+
￥0.692
500+
￥0.5626
2500+
￥0.5434

有货

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型号：MJD41C 编号：C49446801

封装：TO-252

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：高电流输出可达6A。低饱和电压。电气特性与流行的TIP41C相似。互补PNP类型为MJD42C。应用：低速开关

5+
￥1.0911
50+
￥0.8643
150+
￥0.7671
500+
￥0.6458
2500+
￥0.5918
5000+
￥0.5594

有货

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型号：KSP44BU 编号：C232817

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

特性：高压晶体管-集电极-发射极电压：VCEO = KSP44: 400 V；KSP45: 350 V

数据手册

5+
￥1.209592 ￥1.2868
50+
￥0.949212 ￥1.0098
150+
￥0.837634 ￥0.8911
1000+
￥0.64672 ￥0.688
2000+
￥0.584774 ￥0.6221
5000+
￥0.54755 ￥0.5825

有货

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型号：FCX690BTA 编号：C460072

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCBO > 45V。 IC = 2A 高连续集电极电流。 ICM 高达 6A 峰值脉冲电流。高增益 hFE > 400 @ 1A。 2W 功率耗散。低饱和电压 VCE(sat) ≤ 300mV @ 1A。互补 PNP 类型：FCX790A。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册