MDD三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PMP5201Y,115 编号：C553005

封装：SOT-363

品牌：Nexperia(安世)

PNP/PNP 匹配双晶体管采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。SOT666 和 SOT363 (SC-88) 封装中的晶体管内部完全隔离。

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型号：PBSS4112PANP,115 编号：C551888

封装：DFN2020-6

品牌：Nexperia(安世)

NPN/PNP 低 VCEsat 小信号 (BISS) 晶体管，采用无铅中功率 DFN2020-6 (SOT1118) 表面贴装塑料封装。NPN/NPN 互补型号为 PBSS4112PAN，PNP/PNP 互补型号为 PBSS5112PAP。

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型号：2STF2360 编号：C128669

封装：SOT-89

品牌：ST(意法半导体)

低压快速切换PNP功率晶体管

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型号：ZXTN07045EFFTA 编号：C460133

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

此低压NPN晶体管专为需要高增益和极低饱和电压的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热性能。

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型号：STN9360 编号：C155571

封装：SOT-223

品牌：ST(意法半导体)

高压快速切换PNP功率晶体管

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型号：TTC014,L1NV 编号：C7403922

封装：2-7J1S

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 100 至 200 (IC = 0.1A)。高集电极击穿电压：VCEO = 800V，VCBO = 900V。高速开关：Δtr = 0.2μs（典型值），tf = 0.4 μs（典型值）(IC = 0.3A)。应用：高速高压开关。开关稳压器

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型号：BFU550XAR 编号：C2802650

封装：SOT-143-4

品牌：NXP(恩智浦)

NPN硅射频晶体管，采用塑料4引脚双发射极SCT143B封装，适用于高速、低噪声应用。适用于高达2 GHz的小信号到中功率应用。

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型号：OSA13009-1 编号：C20607955

封装：TO-3PNT

品牌：OSEN(欧芯)

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型号：ZXTP25060BFHTA 编号：C460151

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压 BVCEO >-60V。正向阻断电压 100V。连续集电极电流 IC =-3A。峰值脉冲电流 ICM =-9A。低饱和电压，VCE(sat) <-85mV @-1A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 58mΩ。应用：MOSFET 驱动器。电源开关

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型号：D209L 编号：C20607957

封装：TO-3PNB

品牌：OSEN(欧芯)

特性：高开关速度。低正向压降。高效低功耗。大电流浪涌能力强。应用：电子镇流器。开关电源

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型号：KTC4370A-Y-U/PF 编号：C125308

封装：TO-220IS

品牌：KEC

特性：高过渡频率：fT = 100MHz（典型值）。与KTA1659/A互补

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型号：3DD13009AN 编号：C162359

封装：TO-3PN

品牌：华润华晶

3DD13009AN是硅NPN型功率开关晶体管，该产品采用平面工艺，分压环终端结构和少子寿命控制技术，提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。

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型号：FZT789ATA 编号：C460089

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-25V。 IC =-3A 高持续电流。低饱和电压 VCE(sat) <-250mV @-1A。 RCE(sat) = 93mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定至-6A，高增益保持。互补 NPN 类型：FZT689B。应用：功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。电池供电电路

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型号：STIP3055 编号：C49206896

封装：TO-247

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

15A 60V互补硅功率晶体管

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型号：FZT855TA 编号：C145106

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。高连续集电极电流：IC = 5A。峰值脉冲电流：ICM = 10A。极低饱和电压：VCE(sat) < 110mV @ 1A。低等效导通电阻：RCE(sat) = 50mΩ。高增益保持：hFE 规定至 10A。互补 PNP 类型。无铅涂层。符合 RoHS 标准。无卤素和锑，绿色器件

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型号：ZTX853 编号：C78831

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：集电极-发射极电压（VCEO）：100V。连续电流：4A。峰值电流：高达10A。极低的饱和电压。总功率（Ptot）：1.2W

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型号：ZXTN2018FTA 编号：C155309

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

先进的工艺能力和封装设计被用于最大限度地提升这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件尺寸紧凑且额定参数出色，非常适合空间有限的应用场景。

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型号：MJD31CRLG 编号：C233747

封装：TO-252(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。

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型号：PHPT60410PYX 编号：C6147419

封装：SC-100(SOT-669)

品牌：Nexperia(安世)

PNP 高功率双极晶体管采用 SOT669 (LFPAK56) 表面贴装器件 (SMD) 功率塑料封装。NPN 互补型号为 PHPT60410NY。

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型号：FZT956TA 编号：C144161

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：连续电流4A（峰值电流10A）。极低的饱和电压。高达3A的出色增益特性

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型号：FZT951QTA 编号：C460221

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-60V。 IC =-5A 高连续集电极电流。 ICM =-15A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(SAT) <-140 mV @-1 A。 RCE(SAT) = 55 mΩ 低等效导通电阻。 hFE 规定至-10A 以实现高增益保持。互补 NPN 类型：FZT851。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

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型号：STD2805T4 编号：C672201

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

该器件采用“基极岛”布局，运用 PNP 平面技术制造。由此制成的晶体管具有极高的增益性能，同时饱和电压极低。

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型号：PBHV9115T,215 编号：C282550

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23（TO - 263AB）小尺寸表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP型高压、低VCEsat晶体管。与之互补的NPN型晶体管为PBHV8115T。

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型号：MJL21193G 编号：C47148332

封装：TO-3PL

品牌：OSEN(欧芯)

高品质功放三极管，电流16A，耐压250V、功率200W

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型号：TTA1943(Q) 编号：C282420

封装：TO-3P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TTA1943适用于功率放大器应用。高集电极电压：VCEO = -230 V (rΩ min)，与TTC5200互补，推荐用于100 W高保真音频放大器输出级。

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型号：WGC5453 编号：C22369080

封装：TO-264

品牌：Wild Goose(威谷)

这是一款是NPN双极型大功率晶体管，制造中采用的主要工艺技术有：高压平面工艺技术、三重扩散技术等，并且采取了能够最大限度的兼顾电流容量与耐电冲击性的发射区网格的横向设计。

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型号：FJL6920TU 编号：C512904

封装：TO-264-3

品牌：onsemi(安森美)

NPN型三重扩散平面硅晶体管

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型号：NJW3281G 编号：C328094

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管卓越的增益线性和安全运行区域性能使其适用于高保真音频放大器输出级和其他线性应用。

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型号：NTE2312-HXY 编号：C47502956

封装：TO-220

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

此款NPN三极管（BJT）专为高效能应用设计，具备8A的集电极电流（IC）能力和高达400V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），确保在高电压环境下稳定运行。其直流电流增益（HFE）为10，适用于需要中等放大能力的电路。该三极管的过渡频率（FT）达到4MHz，表明它能在高频条件下有效工作。整体而言，这款三极管非常适合于构建要求严格的电源管理及信号处理电路，满足对精度和稳定性有较高要求的应用场景。

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￥16.794 ￥18.66
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￥16.335 ￥18.15

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型号：FMMT413TD 编号：C193670

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

FMMT413是一款NPN硅平面双极晶体管，针对雪崩模式工作进行了优化。严格的工艺控制与低电感封装相结合，可产生具有快速沿的高电流脉冲，非常适合用于激光二极管驱动。

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