MDD三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：2DA1971-7 编号：C531173

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。IC = -0.5A 连续集电极电流。ICM = 1A 峰值脉冲电流。高增益:hFE = 140 @ IC = -100mA。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。应用：高压开关

数据手册

5+
￥1.6226
50+
￥1.3135
150+
￥1.181
1000+
￥1.0158
2000+
￥0.9422

有货

立即购买

型号：BFP740H6327 编号：C439776

封装：SOT-343-4

品牌：Infineon(英飞凌)

是宽带 NPN RF 异质结双极晶体管 (HBT)

数据手册

5+
￥1.6612
50+
￥1.3087
150+
￥1.1577
500+
￥0.9692

有货

立即购买

型号：2STF1360 编号：C128670

封装：SOT-89

品牌：ST(意法半导体)

低压快速切换NPN功率晶体管

数据手册

5+
￥1.7013
50+
￥1.3487
150+
￥1.1975
500+
￥1.009

有货

立即购买

型号：FZT751TA 编号：C24099

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -3A，高连续电流。 ICM = -6A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VOE(sat) < -300mV @ -1A。互补 NPN 型：FZT651。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：照明。 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动

数据手册

5+
￥1.7738
50+
￥1.4074
150+
￥1.2504
1000+
￥1.0089

有货

立即购买

型号：MJE340G 编号：C5296719

封装：TO-126

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

三极管@@MJE340 MJE340STU 340

数据手册

5+
￥1.806235 ￥1.9013
50+
￥1.423195 ￥1.4981
150+
￥1.259035 ￥1.3253
1000+
￥1.031415 ￥1.0857
2000+
￥0.940215 ￥0.9897
5000+
￥0.8854 ￥0.932

有货

立即购买

型号：2SD2211T100R 编号：C79649

封装：SOT-89

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高击穿电压（BVCEO = 160V）。低集电极输出电容（典型值：在VCB = 10V时为20pF）。高过渡频率（fr = 80MHz）。与2SB1275 / 2SB1236A互补

数据手册

5+
￥2.0271
50+
￥1.636
150+
￥1.4684
1000+
￥0.9725
2000+
￥0.8794
5000+
￥0.8235

有货

立即购买

型号：MJE13009-2 编号：C42404752

封装：TO-220

品牌：KTP(科泰普)

NPN晶体管，适用于开关稳压器和电机控制。

5+
￥2.11774 ￥2.2292
50+
￥1.66288 ￥1.7504
150+
￥1.46794 ￥1.5452
500+
￥1.22474 ￥1.2892
2500+
￥1.11644 ￥1.1752
5000+
￥1.05146 ￥1.1068

有货

立即购买

型号：LBTP880DPTUG 编号：C5273355

封装：TO-252

品牌：LRC(乐山无线电)

特性：引脚成型，适用于塑料套管中的表面贴装应用。产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力

数据手册

5+
￥2.1297
50+
￥1.7015
150+
￥1.518
500+
￥1.289
2500+
￥1.187
5000+
￥1.1258

有货

立即购买

型号：MJD31CQ 编号：C2942580

封装：TO-252

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。湿度敏感度等级1。后缀为“Q”的产品符合AEC-Q101标准。应用：通用放大器。低速开关应用

5+
￥2.2702
50+
￥1.8081
150+
￥1.6101
500+
￥1.363

有货

立即购买

型号：2SC5886A(T6L1,NQ) 编号：C5156044

封装：-

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 400 至 1000 (Ic = 0.5 A)。低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.22 V (最大值)。高速开关：tf = 95 ns (典型值)。应用：高速开关应用。 DC/DC 转换器应用

5+
￥2.3575
50+
￥1.8787
150+
￥1.6735
500+
￥1.4175

有货

立即购买

型号：MJE253G 编号：C127879

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

该双极功率晶体管适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。

数据手册

5+
￥2.3614
50+
￥1.8707
150+
￥1.6603
500+
￥1.2531
2500+
￥1.1363
5000+
￥1.0662

有货

立即购买

型号：MJD45H11 编号：C51886700

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

1+
￥2.38
10+
￥1.85
30+
￥1.63
100+
￥1.35
500+
￥1.22
1000+
￥1.15

有货

立即购买

型号：MJE15028 编号：C480196

封装：TO-220C

品牌：SPTECH(深圳质超)

应用程序·设计用于音频放大器中的高频驱动器。

数据手册

1+
￥2.394 ￥2.52
10+
￥2.1375 ￥2.25
50+
￥1.9 ￥2
100+
￥1.7765 ￥1.87
500+
￥1.7005 ￥1.79
1000+
￥1.653 ￥1.74

有货

立即购买

型号：PHE13005,127 编号：C78890

封装：TO-220AB

品牌：WeEn(瑞能)

高电压、高速 NPN 平面钝化功率开关晶体管，采用 SOT78 塑料封装，适用于高频电子照明镇流器应用。

数据手册

1+
￥2.6
10+
￥2
30+
￥1.74
100+
￥1.42
500+
￥1.28
1000+
￥1.19

有货

立即购买

型号：ZXTC2045E6TA 编号：C84408

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

采用先进的制程能力来实现这款高性能器件。SOT26 封装将 NPN 和 PNP 晶体管相结合，为目标应用提供了紧凑的解决方案。

数据手册

1+
￥2.65
10+
￥2.14
30+
￥1.93
100+
￥1.65
500+
￥1.37
1000+
￥1.3

有货

立即购买

型号：ZTX753 编号：C531148

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：100V VCEO。 2A 连续电流。低饱和电压。总功率 Ptot = 1W

数据手册

1+
￥2.69
10+
￥2.11
30+
￥1.86
100+
￥1.54
500+
￥1.4
1000+
￥1.32

有货

立即购买

型号：MJE243G 编号：C19707

封装：TO-225-3

品牌：onsemi(安森美)

这些器件适用于低功率音频放大器和低电流、高速开关应用。

数据手册

1+
￥2.94
10+
￥2.35
30+
￥2.09
100+
￥1.77
500+
￥1.35
1000+
￥1.26

有货

立即购买

型号：FZT753TA 编号：C85794

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。 IC = -2A High Continuous Current。 ICM = -6A Peak Pulse Current。低饱和电压 VCE(sat) < -300mV @ -1A。互补NPN类型：FZT653。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

数据手册