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首页 > 热门关键词 > 科信三极管
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NPN晶体管 N沟道, VDSS耐压 650V, ID电流 2A, RDON导通电阻 5R@VGS 10V(MAX), VGS(th)开启电压 2.0-4.0V,
  • 5+

    ¥0.7518
  • 50+

    ¥0.5886
  • 150+

    ¥0.507
  • 1000+

    ¥0.473
  • 2000+

    ¥0.424
  • 5000+

    ¥0.3995
  • 有货
  • 此款 NPN 双极晶体管是我们受欢迎的 SOT-23/SOT-323 三引线器件的副产品。该器件适用于通用放大器应用,采用 SOT-563 六引线表面贴装封装。通过将两个分立器件放入一个封装中,该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7535
    • 50+

      ¥0.5903
    • 150+

      ¥0.5087
    • 500+

      ¥0.4475
    • 2500+

      ¥0.3985
    • 4000+

      ¥0.374
  • 有货
  • 是一款中功率低压晶体管,适用于音频功率放大器、DC-DC 转换器和电压调节器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8
    • 50+

      ¥0.6543
    • 200+

      ¥0.5451
    • 400+

      ¥0.4905
    • 2400+

      ¥0.4468
  • 有货
  • 特性:适用于音频驱动和输出级。 高集电极电流和低Vce(sat)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.824
    • 50+

      ¥0.6749
    • 150+

      ¥0.6003
    • 1000+

      ¥0.4978
    • 2000+

      ¥0.4531
  • 有货
    • 5+

      ¥0.8361
    • 50+

      ¥0.6729
    • 150+

      ¥0.5913
    • 500+

      ¥0.5301
    • 2500+

      ¥0.4811
  • 有货
  • 此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8746
    • 50+

      ¥0.7023
    • 150+

      ¥0.6161
    • 500+

      ¥0.5515
    • 3000+

      ¥0.4603
  • 有货
  • 特性:2A, 50V中功率晶体管。 适用于中功率驱动器。 低集电极-发射极饱和电压。应用:中功率驱动器。 LED驱动器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8861
    • 50+

      ¥0.7119
    • 150+

      ¥0.6248
    • 500+

      ¥0.5594
    • 2500+

      ¥0.5072
  • 有货
  • NPN中功率晶体管,采用SOT89 (SC-62)扁平引脚表面贴装器件 (SMD)塑料封装
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9757
    • 50+

      ¥0.7967
    • 150+

      ¥0.7071
    • 500+

      ¥0.64
    • 2500+

      ¥0.5863
    • 4000+

      ¥0.5595
  • 有货
  • 用于功率放大和帧频输出
    数据手册
    • 5+

      ¥0.98199 ¥1.0911
    • 50+

      ¥0.77787 ¥0.8643
    • 150+

      ¥0.69039 ¥0.7671
    • 500+

      ¥0.58122 ¥0.6458
    • 2000+

      ¥0.53262 ¥0.5918
    • 5000+

      ¥0.50346 ¥0.5594
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -40V。 IC = -1A,高连续电流。 ICM = -2A,峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。 RSAT = 350mΩ,低等效导通电阻。 互补 NPN 型:FMM1491A。应用:功率 MOSFET 栅极驱动。 低损耗功率开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9967
    • 50+

      ¥0.7875
    • 150+

      ¥0.6979
    • 500+

      ¥0.586
    • 3000+

      ¥0.5362
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A,可保持高电流增益。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高。 具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0031
    • 50+

      ¥0.8105
    • 150+

      ¥0.7143
    • 500+

      ¥0.6421
    • 2500+

      ¥0.5843
    • 5000+

      ¥0.5554
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))。 高过渡频率
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0248
    • 50+

      ¥0.8376
    • 150+

      ¥0.744
    • 500+

      ¥0.6738
  • 有货
  • 本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;主要应用于超高频微波、高频宽带低噪声放大器中,适合中功率高频信号放大。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0549
    • 50+

      ¥0.8312
    • 150+

      ¥0.7353
    • 1000+

      ¥0.6157
    • 2000+

      ¥0.5624
    • 5000+

      ¥0.5305
  • 有货
    • 5+

      ¥1.0587
    • 50+

      ¥0.8269
    • 150+

      ¥0.7275
    • 500+

      ¥0.6036
  • 有货
  • 低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0768
    • 50+

      ¥0.8257
    • 150+

      ¥0.718
    • 500+

      ¥0.5837
    • 3000+

      ¥0.5239
    • 6000+

      ¥0.488
  • 有货
  • NPN 开关晶体管采用 SOT223 塑料封装。PNP 互补型号为 PZT4403。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.114
    • 50+

      ¥0.9006
    • 150+

      ¥0.8092
    • 1000+

      ¥0.667296 ¥0.6951
    • 2000+

      ¥0.618528 ¥0.6443
    • 5000+

      ¥0.589248 ¥0.6138
  • 有货
  • 采用SOT457(SC - 74)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN/NPN低VCEsat晶体管对。互补的PNP/PNP晶体管对:PBSS5160DS
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1559
    • 50+

      ¥0.9267
    • 150+

      ¥0.8285
    • 500+

      ¥0.684723 ¥0.7059
    • 3000+

      ¥0.627299 ¥0.6467
    • 6000+

      ¥0.595483 ¥0.6139
  • 有货
  • 特性:小尺寸封装:SOT89-3L。 大最大电流:IC = -1 A。 低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = -0.15V 最大(在 IC / IB = -0.5A / -0.05A 时)。 高功率耗散:PC = 2W。 与 2SD2391 互补配对
    • 5+

      ¥1.19776 ¥1.2608
    • 50+

      ¥0.948765 ¥0.9987
    • 150+

      ¥0.84208 ¥0.8864
    • 1000+

      ¥0.70889 ¥0.7462
    • 2000+

      ¥0.64961 ¥0.6838
    • 5000+

      ¥0.61408 ¥0.6464
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压。 hFE线性良好。 小型薄型封装,便于设备紧凑化。 高f。 快速开关速度
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2092
    • 50+

      ¥0.9659
    • 150+

      ¥0.8616
    • 500+

      ¥0.7315
    • 2500+

      ¥0.6736
    • 5000+

      ¥0.6388
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压。 快速开关速度。 互补型号为MJD44H11。 标记:MJD45H11。应用:功率放大器。 开关电路
    • 5+

      ¥1.382
    • 50+

      ¥1.0947
    • 150+

      ¥0.9716
    • 500+

      ¥0.818
    • 2500+

      ¥0.7496
  • 有货
  • 集电极-基极反向击穿电压700V,集电极-发射极反向击穿电压400V,放大系数8-40, 集电极电流IC8A
    • 5+

      ¥1.4406
    • 50+

      ¥1.0965
    • 150+

      ¥0.9648
    • 500+

      ¥0.8004
    • 2000+

      ¥0.7272
    • 5000+

      ¥0.6832
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 60V。 高连续集电极电流:IC = 3A。 峰值脉冲电流:ICM 高达 6A。 功耗:2W。 低饱和电压:VCE(sat) < 300mV @ 1A。 互补 PNP 类型。应用:负载管理功能。 电机控制
    数据手册
    • 5+

      ¥1.474
    • 50+

      ¥1.1745
    • 150+

      ¥1.0461
    • 500+

      ¥0.8859
    • 2500+

      ¥0.8146
  • 有货
  • 先进的工艺能力和封装设计被用于最大化这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件紧凑的尺寸和额定值使其非常适合空间有限的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.484 ¥2.12
    • 10+

      ¥1.309 ¥1.87
    • 30+

      ¥1.232 ¥1.76
    • 100+

      ¥1.141 ¥1.63
    • 500+

      ¥1.099 ¥1.57
    • 1000+

      ¥1.078 ¥1.54
  • 有货
  • 特性:适用于中功率驱动器。 低VCE(sat):VCE(sat)= -400mV(最大值)(IC/IB = -500mA/-25mA)。应用:低频放大器。 高速开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5603
    • 50+

      ¥1.2528
    • 150+

      ¥1.121
    • 500+

      ¥0.9566
  • 有货
  • NPN 中功率晶体管系列,采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5972
    • 50+

      ¥1.2913
    • 150+

      ¥1.1602
    • 1000+

      ¥0.956736 ¥0.9966
    • 2000+

      ¥0.886848 ¥0.9238
    • 5000+

      ¥0.844896 ¥0.8801
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 40V。IC = 1A 高连续电流。低饱和电压 V(sat) < 500mV @ 1A。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。应用:功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6164
    • 50+

      ¥1.4181
    • 150+

      ¥1.3332
    • 1000+

      ¥1.2272
  • 有货
  • 特性:环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。 湿度敏感度等级为1。应用:通用放大器和低速开关应用
    • 1+

      ¥1.73
    • 10+

      ¥1.52
    • 30+

      ¥1.43
    • 100+

      ¥1.31
    • 500+

      ¥1.26
    • 1000+

      ¥1.23
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -60V。 IC = -3A,高连续电流。 ICM = -6A,峰值脉冲电流。 低饱和电压 VOE(sat) < -300mV @ -1A。 互补 NPN 型:FZT651。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。应用:照明。 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7738
    • 50+

      ¥1.4074
    • 150+

      ¥1.2504
    • 1000+

      ¥1.0089
  • 有货
    • 5+

      ¥1.8653
    • 50+

      ¥1.4621
    • 150+

      ¥1.2893
    • 500+

      ¥1.0737
    • 2500+

      ¥0.9777
  • 有货
    • 5+

      ¥1.8678
    • 50+

      ¥1.4847
    • 150+

      ¥1.3206
    • 500+

      ¥1.1158
    • 2000+

      ¥1.0246
  • 有货
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