合科泰三极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：MJD32CQ 编号：C20602014

封装：TO-252

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级且无卤。湿度敏感度等级为1。应用：通用放大器和低速开关应用

1+
￥1.73
10+
￥1.52
30+
￥1.43
100+
￥1.31
500+
￥1.26
1000+
￥1.23

有货

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型号：FZT751TA 编号：C24099

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -3A，高连续电流。 ICM = -6A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VOE(sat) < -300mV @ -1A。互补 NPN 型：FZT651。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：照明。 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动

数据手册

5+
￥1.7738
50+
￥1.4074
150+
￥1.2504
1000+
￥1.0089

有货

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型号：FZT955 编号：C52200675

封装：SOT-223

品牌：Leiditech(雷卯电子)

5+
￥1.8653
50+
￥1.4621
150+
￥1.2893
500+
￥1.0737
2500+
￥0.9777

有货

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型号：MOT13009DA 编号：C51934030

封装：TO-220

品牌：MOT(仁懋)

5+
￥1.8678
50+
￥1.4847
150+
￥1.3206
500+
￥1.1158
2000+
￥1.0246

有货

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型号：PBSS5540Z,115 编号：C426845

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT223塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。NPN互补型号：PBSS4540Z。

数据手册

5+
￥1.951
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￥1.6123
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￥1.4672
1000+
￥1.09858 ￥1.1564
2000+
￥1.02201 ￥1.0758
5000+
￥0.97603 ￥1.0274

有货

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型号：ZXTC2062E6TA 编号：C444407

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN + PNP组合。 BVCEO > 20 (-20)V。 BVEBO > 7 (-7)。连续集电极电流 IC = 4 (-3.5)A。 VCE(sat) < 50 (-65)mV @ 1A。 RCE(sat) = 35 (54)mΩ。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动。电机驱动

数据手册

5+
￥1.9713
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￥1.5719
150+
￥1.4007
500+
￥1.1872
3000+
￥1.0921
6000+
￥1.035

有货

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型号：BF723,115 编号：C70014

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

PNP 高压晶体管，采用 SOT223 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。NPN 互补型号：BF722

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￥2.0097
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￥1.6248
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￥1.4599
1000+
￥1.203936 ￥1.2541
2000+
￥1.115904 ￥1.1624
5000+
￥1.063104 ￥1.1074

有货

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型号：MJE13009-2 编号：C42404752

封装：TO-220

品牌：KTP(科泰普)

NPN晶体管，适用于开关稳压器和电机控制。

5+
￥2.11774 ￥2.2292
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￥1.66288 ￥1.7504
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￥1.46794 ￥1.5452
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￥1.22474 ￥1.2892
2500+
￥1.11644 ￥1.1752
5000+
￥1.05146 ￥1.1068

有货

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型号：KTD1414-U/PF 编号：C17701480

封装：TO-220

品牌：KEC

特性：高直流电流增益：在VCE = 2V、IC = 1A时，hFE = 2000（最小值）。应用：开关应用。锤式驱动器

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￥2.14
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￥1.84
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￥1.72
100+
￥1.5288 ￥1.56
500+
￥1.4602 ￥1.49
1000+
￥1.421 ￥1.45

有货

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型号：PMBTA45,215 编号：C456136

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT23小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN高压、低VCEsat晶体管。互补PNP型晶体管：PBHV9050T

数据手册

5+
￥2.171
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￥1.7154
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￥1.5201
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￥1.2765
3000+
￥1.0324
6000+
￥0.9673

有货

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型号：FMMT620TA 编号：C74081

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 80V。连续集电极电流 IC = 1.5A。低等效导通电阻 RCE(SAT) = 90mΩ。功耗 625mW。 hFE 高达 5A 时仍有高电流增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 模块。电源管理功能

数据手册

5+
￥2.3496
50+
￥1.9265
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￥1.7451
500+
￥1.5189

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型号：FCX458TA 编号：C435832

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 400V。 IC = 225mA 连续集电极电流。 ICM = 500mA 峰值脉冲电流。高达100mA时具有出色的hFE特性。低饱和电压 VCE(sat) < 200mV @ 20mA。互补PNP类型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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5+
￥2.3597
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￥1.9099
150+
￥1.7171

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型号：ZXTN4004KQTC 编号：C460146

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 hFE > 100（IC = 150mA，VCE = 0.25V）。 IC(cont) = 1A。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。符合AEC-Q101高可靠性标准。应用：LED电视背光

数据手册

5+
￥2.5014
50+
￥1.9982
150+
￥1.7825
500+
￥1.5134

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型号：2SD1623T-TD-E 编号：C604966

封装：SOT-89

品牌：onsemi(安森美)

2SD1623 是一款双极晶体管，50V 2A，低饱和压，(PNP)NPN 单 PCP，用于高电流开关应用。

数据手册

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￥2.53
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￥1.97
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￥1.73
100+
￥1.43
500+
￥1.3
1000+
￥1.22

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型号：PMP5201Y,115 编号：C553005

封装：SOT-363

品牌：Nexperia(安世)

PNP/PNP 匹配双晶体管采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。SOT666 和 SOT363 (SC-88) 封装中的晶体管内部完全隔离。

数据手册

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￥2.59
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￥2.07
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￥1.85
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￥1.5326 ￥1.58
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￥1.4065 ￥1.45
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￥1.3386 ￥1.38

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型号：PBSS4112PANP,115 编号：C551888

封装：DFN2020-6

品牌：Nexperia(安世)

NPN/PNP 低 VCEsat 小信号 (BISS) 晶体管，采用无铅中功率 DFN2020-6 (SOT1118) 表面贴装塑料封装。NPN/NPN 互补型号为 PBSS4112PAN，PNP/PNP 互补型号为 PBSS5112PAP。

数据手册

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￥2.5958
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￥2.1079
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￥1.8988
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￥1.556005 ￥1.6379
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￥1.44571 ￥1.5218
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￥1.3794 ￥1.452

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型号：ZXTN07045EFFTA 编号：C460133

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

此低压NPN晶体管专为需要高增益和极低饱和电压的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热性能。

数据手册

1+
￥2.93
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￥2.3
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￥2.03
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￥1.7
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￥1.55
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￥1.46

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型号：STN9360 编号：C155571

封装：SOT-223

品牌：ST(意法半导体)

高压快速切换PNP功率晶体管

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￥2.9814
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￥2.5429
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￥2.355

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型号：TTC014,L1NV 编号：C7403922

封装：2-7J1S

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高直流电流增益：hFE = 100 至 200 (IC = 0.1A)。高集电极击穿电压：VCEO = 800V，VCBO = 900V。高速开关：Δtr = 0.2μs（典型值），tf = 0.4 μs（典型值）(IC = 0.3A)。应用：高速高压开关。开关稳压器

1+
￥3.01
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￥2.65
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￥2.47
100+
￥2.29
500+
￥2.18
1000+
￥2.12

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型号：BFU550XAR 编号：C2802650

封装：SOT-143-4

品牌：NXP(恩智浦)

NPN硅射频晶体管，采用塑料4引脚双发射极SCT143B封装，适用于高速、低噪声应用。适用于高达2 GHz的小信号到中功率应用。

数据手册

1+
￥3.12
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￥2.49
30+
￥2.22
100+
￥1.692 ￥1.88
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￥1.557 ￥1.73
1000+
￥1.476 ￥1.64

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型号：OSA13009-1 编号：C20607955

封装：TO-3PNT

品牌：OSEN(欧芯)

1+
￥3.173 ￥3.34
10+
￥2.5555 ￥2.69
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￥2.2515 ￥2.37
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￥1.938 ￥2.04
450+
￥1.7575 ￥1.85
900+
￥1.6625 ￥1.75

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型号：ZXTP25060BFHTA 编号：C460151

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压 BVCEO >-60V。正向阻断电压 100V。连续集电极电流 IC =-3A。峰值脉冲电流 ICM =-9A。低饱和电压，VCE(sat) <-85mV @-1A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 58mΩ。应用：MOSFET 驱动器。电源开关

数据手册

1+
￥3.29
10+
￥2.62
30+
￥2.33
100+
￥1.97
500+
￥1.81

有货

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型号：D209L 编号：C20607957

封装：TO-3PNB

品牌：OSEN(欧芯)

特性：高开关速度。低正向压降。高效低功耗。大电流浪涌能力强。应用：电子镇流器。开关电源

1+
￥3.3725 ￥3.55
10+
￥2.717 ￥2.86
30+
￥2.3845 ￥2.51
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￥2.0615 ￥2.17
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￥1.8715 ￥1.97
900+
￥1.767 ￥1.86

有货

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型号：KTC4370A-Y-U/PF 编号：C125308

封装：TO-220IS

品牌：KEC

特性：高过渡频率：fT = 100MHz（典型值）。与KTA1659/A互补

数据手册

1+
￥3.58
10+
￥2.85
50+
￥2.54
100+
￥2.0425 ￥2.15
500+
￥1.881 ￥1.98
1000+
￥1.786 ￥1.88

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型号：FZT651QTA 编号：C526627

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管 (BJT) 旨在满足汽车应用的严格要求。

数据手册

1+
￥3.92
10+
￥3.24
30+
￥2.9
100+
￥2.56
500+
￥2.36
1000+
￥2.25

有货

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型号：FZT789ATA 编号：C460089

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-25V。 IC =-3A 高持续电流。低饱和电压 VCE(sat) <-250mV @-1A。 RCE(sat) = 93mΩ，低等效导通电阻。 hFE 指定至-6A，高增益保持。互补 NPN 类型：FZT689B。应用：功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。电池供电电路

数据手册

1+
￥4.16
10+
￥3.45
30+
￥3.09
100+
￥2.74
500+
￥2.53
1000+
￥2.42

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型号：STIP3055 编号：C49206896

封装：TO-247

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

15A 60V互补硅功率晶体管

1+
￥4.4
10+
￥3.53
30+
￥3.1
90+
￥2.67
450+
￥2.42
900+
￥2.28

有货

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型号：2SA1943 编号：C22378644

封装：TO-3PL

品牌：OSEN(欧芯)

特性：高效率，低偏差。小输入阻抗，低功耗。抗高温、高湿。稳定性好，可靠性高。应用：音频放大器。开关应用

1+
￥4.662 ￥6.66
10+
￥3.857 ￥5.51
25+
￥3.409 ￥4.87
100+
￥2.912 ￥4.16
400+
￥2.688 ￥3.84
800+
￥2.59 ￥3.7

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型号：FZT855TA 编号：C145106

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。高连续集电极电流：IC = 5A。峰值脉冲电流：ICM = 10A。极低饱和电压：VCE(sat) < 110mV @ 1A。低等效导通电阻：RCE(sat) = 50mΩ。高增益保持：hFE 规定至 10A。互补 PNP 类型。无铅涂层。符合 RoHS 标准。无卤素和锑，绿色器件

数据手册

1+
￥4.82
10+
￥3.9
30+
￥3.44
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￥2.98
500+
￥2.45
1000+
￥2.31

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型号：ZTX853 编号：C78831

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

特性：集电极-发射极电压（VCEO）：100V。连续电流：4A。峰值电流：高达10A。极低的饱和电压。总功率（Ptot）：1.2W

数据手册

1+
￥4.94
10+
￥4.02
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￥3.56
100+
￥3.11
500+
￥2.83
1000+
￥2.69

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