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首页 > 热门关键词 > 飞虹三极管
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操作
特性:两个2SA1037AK芯片封装在EMT、UMT或SMT中。 可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。 晶体管元件相互独立,消除干扰。 可将安装成本和面积减半。应用:通用小信号放大器
数据手册
  • 10+

    ¥0.4434
  • 100+

    ¥0.3563
  • 300+

    ¥0.3127
  • 1000+

    ¥0.2801
  • 5000+

    ¥0.2539
  • 有货
  • 这款NPN型三极管(BJT)具有1A的集电极电流IC和60V的集电极-发射极电压VCEO,适用于需要中等功率处理能力的应用。其直流电流增益HFE范围为100至300,能够满足不同设计对放大效率的需求。此外,该三极管的过渡频率FT为150MHz,确保了在高频工作环境下仍能保持稳定性能,适合于无线通信设备、家用电器及各类消费电子产品中的信号放大与开关应用。通过其出色的参数配置,此三极管支持高效稳定的电路运作,是实现复杂电子设计的重要组件。
    • 5+

      ¥0.47565 ¥0.5285
    • 50+

      ¥0.37881 ¥0.4209
    • 150+

      ¥0.33048 ¥0.3672
    • 500+

      ¥0.29421 ¥0.3269
    • 3000+

      ¥0.26514 ¥0.2946
    • 6000+

      ¥0.25065 ¥0.2785
  • 有货
  • 特性:低饱和电压。 高速开关
    • 10+

      ¥0.4875
    • 100+

      ¥0.3952
    • 300+

      ¥0.3491
    • 1000+

      ¥0.3145
  • 有货
  • 采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中,如卫星电视调谐器、CATV放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、无线安防报警器、射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品;集电极-发射极击穿电压:BVCEO = 12V,集电极电流:IC = 120mA,耗散功率:PC = 500mW,特征频率:fT = 9GHz,封装形式:SOT23
    • 5+

      ¥0.5002
    • 50+

      ¥0.3984
    • 150+

      ¥0.3475
    • 500+

      ¥0.3094
    • 3000+

      ¥0.2788
    • 6000+

      ¥0.2636
  • 有货
  • 2SC4901是超高频低噪声晶体管,采用平面NPN硅外延双极型工艺,具有高功率增益、低噪声特性和大动态范围的特点。采用SOT-323封装,适用于高密度表面贴片安装,主要用于VHF,UHF,CATV等高频低噪声宽带放大器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5184
    • 50+

      ¥0.4176
    • 150+

      ¥0.3672
    • 500+

      ¥0.3294
    • 3000+

      ¥0.2619
    • 6000+

      ¥0.2468
  • 有货
  • 特性:高击穿电压。低集电极-发射极饱和电压。互补类型:PZTA92(PNP)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5346
    • 50+

      ¥0.4314
    • 150+

      ¥0.3798
    • 500+

      ¥0.3411
    • 2500+

      ¥0.3102
  • 有货
  • 特性:用于音频驱动和输出级。 高集电极电流。 低集电极-发射极饱和电压。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5368
    • 50+

      ¥0.436
    • 150+

      ¥0.3856
    • 500+

      ¥0.3478
    • 2500+

      ¥0.2882
    • 5000+

      ¥0.273
  • 有货
  • 集电极-基极反向击穿电压700V,集电极-发射极反向击穿电压400V,放大系数10-40, 集电极电流IC1.5A
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5865
    • 50+

      ¥0.4651
    • 150+

      ¥0.4044
    • 500+

      ¥0.3588
    • 2500+

      ¥0.3153
    • 5000+

      ¥0.297
  • 有货
  • PNP外延硅晶体管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5886
    • 50+

      ¥0.4611
    • 150+

      ¥0.3974
    • 500+

      ¥0.3496
    • 2000+

      ¥0.3113
    • 4000+

      ¥0.2922
  • 有货
  • PNP 50V 3A
    • 5+

      ¥0.5906
    • 50+

      ¥0.4704
    • 150+

      ¥0.4103
    • 500+

      ¥0.3653
  • 有货
  • 特性:分别与BD234/236/238互补
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6915
    • 50+

      ¥0.5547
    • 200+

      ¥0.4863
    • 400+

      ¥0.435
    • 2400+

      ¥0.3939
  • 有货
  • NPN外延硅晶体管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7181
    • 50+

      ¥0.5597
    • 150+

      ¥0.4805
    • 1000+

      ¥0.4211
    • 2000+

      ¥0.3736
    • 5000+

      ¥0.3498
  • 有货
  • 特性:开关和放大高压:BC546,VCEO = 65V。 低噪声:BC549、BC550。 与BC556、BC557、BC558、BC559和BC560互补。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7483
    • 50+

      ¥0.6105
    • 150+

      ¥0.5416
    • 500+

      ¥0.49
    • 2000+

      ¥0.4166
  • 有货
  • NPN晶体管 N沟道, VDSS耐压 650V, ID电流 2A, RDON导通电阻 5R@VGS 10V(MAX), VGS(th)开启电压 2.0-4.0V,
    • 5+

      ¥0.7518
    • 50+

      ¥0.5886
    • 150+

      ¥0.507
    • 1000+

      ¥0.473
    • 2000+

      ¥0.424
    • 5000+

      ¥0.3995
  • 有货
  • 此款 NPN 双极晶体管是我们受欢迎的 SOT-23/SOT-323 三引线器件的副产品。该器件适用于通用放大器应用,采用 SOT-563 六引线表面贴装封装。通过将两个分立器件放入一个封装中,该器件适用于板空间非常宝贵的低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7535
    • 50+

      ¥0.5903
    • 150+

      ¥0.5087
    • 500+

      ¥0.4475
    • 2500+

      ¥0.3985
    • 4000+

      ¥0.374
  • 有货
  • 是一款中功率低压晶体管,适用于音频功率放大器、DC-DC 转换器和电压调节器。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8
    • 50+

      ¥0.6543
    • 200+

      ¥0.5451
    • 400+

      ¥0.4905
    • 2400+

      ¥0.4468
  • 有货
  • 特性:适用于音频驱动和输出级。 高集电极电流和低Vce(sat)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.824
    • 50+

      ¥0.6749
    • 150+

      ¥0.6003
    • 1000+

      ¥0.4978
    • 2000+

      ¥0.4531
  • 有货
    • 5+

      ¥0.8361
    • 50+

      ¥0.6729
    • 150+

      ¥0.5913
    • 500+

      ¥0.5301
    • 2500+

      ¥0.4811
  • 有货
  • 此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8746
    • 50+

      ¥0.7023
    • 150+

      ¥0.6161
    • 500+

      ¥0.5515
    • 3000+

      ¥0.4603
  • 有货
  • 特性:2A, 50V中功率晶体管。 适用于中功率驱动器。 低集电极-发射极饱和电压。应用:中功率驱动器。 LED驱动器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8861
    • 50+

      ¥0.7119
    • 150+

      ¥0.6248
    • 500+

      ¥0.5594
    • 2500+

      ¥0.5072
  • 有货
  • NPN中功率晶体管,采用SOT89 (SC-62)扁平引脚表面贴装器件 (SMD)塑料封装
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9757
    • 50+

      ¥0.7967
    • 150+

      ¥0.7071
    • 500+

      ¥0.64
    • 2500+

      ¥0.5863
    • 4000+

      ¥0.5595
  • 有货
  • 用于功率放大和帧频输出
    数据手册
    • 5+

      ¥0.98199 ¥1.0911
    • 50+

      ¥0.77787 ¥0.8643
    • 150+

      ¥0.69039 ¥0.7671
    • 500+

      ¥0.58122 ¥0.6458
    • 2000+

      ¥0.53262 ¥0.5918
    • 5000+

      ¥0.50346 ¥0.5594
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -40V。 IC = -1A,高连续电流。 ICM = -2A,峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。 RSAT = 350mΩ,低等效导通电阻。 互补 NPN 型:FMM1491A。应用:功率 MOSFET 栅极驱动。 低损耗功率开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9967
    • 50+

      ¥0.7875
    • 150+

      ¥0.6979
    • 500+

      ¥0.586
    • 3000+

      ¥0.5362
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A,可保持高电流增益。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高。 具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0031
    • 50+

      ¥0.8105
    • 150+

      ¥0.7143
    • 500+

      ¥0.6421
    • 2500+

      ¥0.5843
    • 5000+

      ¥0.5554
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))。 高过渡频率
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0248
    • 50+

      ¥0.8376
    • 150+

      ¥0.744
    • 500+

      ¥0.6738
  • 有货
  • 本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;主要应用于超高频微波、高频宽带低噪声放大器中,适合中功率高频信号放大。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0549
    • 50+

      ¥0.8312
    • 150+

      ¥0.7353
    • 1000+

      ¥0.6157
    • 2000+

      ¥0.5624
    • 5000+

      ¥0.5305
  • 有货
    • 5+

      ¥1.0587
    • 50+

      ¥0.8269
    • 150+

      ¥0.7275
    • 500+

      ¥0.6036
  • 有货
  • 低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0768
    • 50+

      ¥0.8257
    • 150+

      ¥0.718
    • 500+

      ¥0.5837
    • 3000+

      ¥0.5239
    • 6000+

      ¥0.488
  • 有货
  • 采用SOT457(SC - 74)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN/NPN低VCEsat晶体管对。互补的PNP/PNP晶体管对:PBSS5160DS
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1559
    • 50+

      ¥0.9267
    • 150+

      ¥0.8285
    • 500+

      ¥0.684723 ¥0.7059
    • 3000+

      ¥0.627299 ¥0.6467
    • 6000+

      ¥0.595483 ¥0.6139
  • 有货
  • 采用小型SOT23塑料封装的PNP通用晶体管。NPN互补型号:PMBTA06。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1849
    • 50+

      ¥0.949
    • 150+

      ¥0.8479
    • 500+

      ¥0.700146 ¥0.7218
    • 3000+

      ¥0.645632 ¥0.6656
    • 6000+

      ¥0.612943 ¥0.6319
  • 有货
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